热点事件持续更新AI 摘要
九峰山实验室将在IFWS 2026报告碳化硅沟槽MOSFET与超结器件研究
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综述AI 摘要
2026年10月21日，第三代半导体产业网报道，九峰山实验室功率器件负责人袁俊将在11月16日至19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究》报告。报道介绍，其全P封装沟槽MOSFET采用N-P-N外延结构，单元间距1.8μm，击穿电压1.6kV，比导通电阻1.67 mΩ·cm²；基于沟道注入的1200V 4H-SiC超结沟槽MOSFET单元间距2.8μm，比导通电阻1.35 mΩ·cm²。目前事件进展为报告信息已公布，会议尚未召开。
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最新进展10月21日 17:09
九峰山实验室袁俊将于11月16-19日在苏州IFWS 2026报告碳化硅沟槽MOSFET与超结器件研究。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- 第三代半导体产业网IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究
九峰山实验室功率器件负责人袁俊将在11月16-19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究》报告。其全P封装沟槽MOSFET采用N-P-N外延结构，单元间距1.8μm，击穿电压1.6kV，比导通电阻1.67 mΩ·cm²；基于沟道注入的1200V 4H-SiC超结沟槽MOSFET单元间距2.8μm，比导通电阻1.35 mΩ·cm²。
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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。