IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|九峰山实验室袁俊：新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究

九峰山实验室功率器件负责人袁俊将在11月16-19日于苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《新型碳化硅沟槽MOSFET和超结器件技术研究》报告。其全P封装沟槽MOSFET采用N-P-N外延结构，单元间距1.8μm，击穿电压1.6kV，比导通电阻1.67 mΩ·cm²；基于沟道注入的1200V 4H-SiC超结沟槽MOSFET单元间距2.8μm，比导通电阻1.35 mΩ·cm²。