3D NAND以钼代钨，半导体级高纯钼粉需求升温

2026年10月21日，中国粉体网报道，随着3D NAND堆叠层数突破300层，钨基金属字线触及物理性能极限，以钼代钨成为存储行业技术路线，带动半导体级高纯钼粉需求升温。报道称，半导体前端制程用钼粉要求纯度达5N至6N、氧含量控制在10ppm以内、总金属杂质低于5ppm，价格可达普通工业钼粉的5至10倍。目前该事件仅有这一篇报道，后续进展有待观察。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。