3D NAND转向钼字线，半导体级高纯钼粉需求升温

随着3D NAND堆叠层数突破300层，钨基金属字线触及物理性能极限，以钼代钨成为存储行业技术路线，带动半导体级高纯钼粉需求。半导体前端制程用钼粉要求纯度达5N至6N、氧含量控制在10ppm以内、总金属杂质低于5ppm，价格可达普通工业钼粉的5至10倍。