热点事件持续更新AI 摘要
华为专家将在IFWS 2026分享电镀铜提升SiC MOSFET性能
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综述AI 摘要
2026年10月19日，第三代半导体产业网报道，日本华为股份有限公司高级首席专家Kimimori Hamada将于11月16日至19日在苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上发表报告，介绍在量产就绪的1200V平面SiC MOSFET平台上，以电镀铜替代传统PVD铝作为正面源极金属的研究成果。该工作面向电动汽车和可再生能源应用的苛刻性能要求，为下一代高可靠性SiC MOSFET提供芯片到封装解决方案。目前事件处于会议报告预告阶段，尚无报告内容或会后反馈的进一步报道。
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最新进展10月19日 17:29
华为专家将于11月16-19日在苏州IFWS&SSLCHINA 2026分享电镀铜源极金属研究成果。报道时间线AI 摘要
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月19日
- 第三代半导体产业网日本华为Kimimori Hamada将在IFWS&SSLCHINA 2026分享电镀铜正面源极金属提升1200V平面SiC MOSFET性能与可靠性
日本华为股份有限公司高级首席专家Kimimori Hamada将于11月16-19日在苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上发表报告，介绍在量产就绪的1200V平面SiC MOSFET平台上以电镀铜替代传统PVD铝作为正面源极金属的研究成果。该工作为下一代高可靠性SiC MOSFET提供芯片到封装解决方案，面向电动汽车和可再生能源应用的苛刻性能要求。
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