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AI 摘要
日本华为Kimimori Hamada将在IFWS&SSLCHINA 2026分享电镀铜正面源极金属提升1200V平面SiC MOSFET性能与可靠性
IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|日本华为Kimimori Hamada ：电镀铜作为正面源极金属，以提高1200V平面SiC MOSFET的电性能和可靠性
导读
日本华为股份有限公司高级首席专家Kimimori Hamada将于11月16-19日在苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上发表报告，介绍在量产就绪的1200V平面SiC MOSFET平台上以电镀铜替代传统PVD铝作为正面源极金属的研究成果。该工作为下一代高可靠性SiC MOSFET提供芯片到封装解决方案，面向电动汽车和可再生能源应用的苛刻性能要求。
来源：第三代半导体产业网 · casmita.com
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