IFWS&SSLCHINA 2026报告前瞻|京都先端科学大学Alberto Castellazzi：匹配技术-拓扑设计以充分挖掘碳化硅功率MOSFET的潜力

京都先端科学大学工程学院教授Alberto Castellazzi将于11月16-19日在苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上作《匹配技术-拓扑设计以充分挖掘碳化硅功率MOSFET的潜力》主题报告，聚焦半桥开关与双向开关型架构。报告指出，通过适配性拓扑优化与匹配技术调整，部分场景下碳化硅器件系统整体能效可进一步提升10%以上，并降低开关损耗与长期运行失效风险。