CASA联盟T/CASAS 021—2025 SiC MOSFET阈值电压测试方法标准获评2025年度北京市高质量团体标准
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的T/CASAS 021—2025《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》团体标准，被北京标准化协会评为2025年度高质量团体标准。该标准制定后已升级制定为国标，为新能源汽车、新能源并网提供核心技术支撑。
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第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4848 T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》等2项微纳金属烧结标准征求意见
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿，自10月8日起面向联盟成员单位征求意见，截止日期为11月7日。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4545 T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》等2项微纳金属烧结标准征求意见
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿，自2026年10月8日起征求意见至11月7日。前者适用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件封装；后者适用于互连面积不小于30 mm×30 mm的宽禁带半导体器件大面积烧结互连工艺。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分7575 五项第三代半导体相关团体标准发布
9月28日，第三代半导体相关CASAS团体标准发布，涉及器件测试、晶锭激光剥离设备及材料表征。正文列出T/CASAS 038—2026的SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法。
粉体圈AI 摘要AI 评分6161 GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》将于2026-10-01实施
GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》于2026-03-01发布，将于2026-10-01实施。该标准由北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会及其材料分技术委员会。
粉体圈AI 摘要AI 评分6666 GB/T 47082-2026《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》实施
GB/T 47082-2026《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》于2026-01-28发布，2026-08-01实施。该标准由山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及其材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)。