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#碳化硅

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4月10日周五
4月7日周二
  1. Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要54

    特色器件增长系列第二篇:MEMS、共封装光学等器件面临哪些工艺控制挑战

    MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造,均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm,像素隔离沟槽约100nm宽;SiC已采用200mm晶圆生产,部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆,而GaN更早转向300mm晶圆。