从150nm到20nm,微纳创优赋能国产MLCC钛酸钡原料升级
微纳创优(烟台)新材料有限公司已形成20nm、60nm、100nm及150nm系列钛酸钡粉体产品,其中BT-20nm系列颗粒集中在约20—30nm,可助力介质层厚度向1μm甚至更薄突破。
微纳创优(烟台)新材料有限公司已形成20nm、60nm、100nm及150nm系列钛酸钡粉体产品,其中BT-20nm系列颗粒集中在约20—30nm,可助力介质层厚度向1μm甚至更薄突破。
清华大学材料学院林元华院士团队与合作者提出分层机器学习策略,从候选材料筛选到器件制备验证,建立AI辅助设计介电材料的新路径,并锁定钨青铜结构氧化物,通过Bi/Ge协同取代调控局域极化,获得介电常数约185、介质损耗低于0.0005、介电温度系数约-22 ppm/℃的材料。
推荐理由:清华大学团队用分层机器学习筛选钨青铜结构氧化物介电材料,并给出介电常数、损耗与温度系数等关键指标,可供介电材料与芯片电容研发参考。
粉体圈将于2026年11月3-4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”,聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯电极材料及稀土掺杂粉体的制备技术。厦门钨业控股子公司福建贝思科确认参与,其规划年产3000T钛酸钡及配方粉、5000T碳酸钡产线,总投资2.15亿元。
抑制BaTiO₃晶粒异常生长需协同调控粉体均匀性、添加剂组成与分布、烧结制度与气氛,单一工艺难以奏效。掺杂与两步烧结(TSS)等方法通常需协同使用,并结合粉体特性与材料配方优化;Mg²⁺受主掺杂可形成富Mg壳层核-壳结构控制晶粒生长,Bi₂O₃–B₂O₃–SiO₂(BBS)玻璃包覆也被用于限制烧结中的晶粒生长。
北京清华前沿交叉创新研究院、清华大学陶瓷国重助理研究员戚俊磊博士将在11月3-4日2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛上,作《从低κ到高κ介电材料:材料创新赋能高端电子元器件》主题报告。报告围绕介电材料组分精准调控与跨尺度结构协同优化,论述从低κ至高κ核心介电陶瓷材料体系,实现介电常数、介电损耗与温度稳定性协同提升,满足多工况高端电子器件产业化需求。
有研新材10月12日在投资者互动平台确认,实验室级别已开发出更小尺寸纳米镍粉,突破现有80nm粒径技术下限,MLCC用纳米镍粉正推进器件验证,纳米铜粉处于样品验证阶段。同日公司披露2026年三季报,前三季度营收84.62亿元、同比增长24.98%,归母净利润2.63亿元、同比增长7.31%。
氧化钇(Y₂O₃)凭借双位取代的两性掺杂能力,成为AI服务器、车规高容MLCC钛酸钡粉体配方中的刚需稀土助剂,掺杂量通常控制在0.3~3.0 mol%。Y³⁺进入B位形成受主掺杂可钉扎晶界、抑制晶粒长大,占据A位则形成缺陷缔合体束缚氧空位,提升绝缘电阻与可靠性。氧化镝主攻温度系数、氧化钬侧重拓宽温区,均无法替代氧化钇的晶界稳定与寿命基底作用。
广州创天电子将参与粉体圈于2026年11月3-4日在广东东莞举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”。该论坛聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯等金属电极材料及稀土/过渡金属粉体等掺杂材料的制备技术,探讨其在AI服务器、新能源汽车、消费电子、5G通信等领域的应用。
太阳诱电正式启动2030中期经营计划(2026~2030财年),目标2030财年实现销售额4800亿日元、营业利润率15%。公司将从MLCC制造商转型为综合电子元器件解决方案提供商,重点开拓AI服务器与汽车电子市场,其中电感业务被设定为新中计中销售增长率最高的板块。
苏州国家实验室研究员卢威博士将在2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛上分享报告《超细纳米钛酸钡粉体的分散与浆料研究》。报告结合润湿颗粒表面特性分析仪与激光粒度等手段,研究分散剂种类与用量对钛酸钡浆料分散效果的影响、相同粒径不同结构钛酸钡的分散稳定性、表面修饰对分散性的改善,以及20nm级超细钛酸钡粉体的分散与评价技术。
无锡泰贤粉体科技有限公司(原无锡新光)入驻粉享通,主营超细纳米研磨、混合、包覆装备,2007年获江苏省高新技术企业等荣誉,服务国内近80%电子元器件生产厂家。公司产品应用于电子陶瓷、MLCC、热敏电阻等领域,配备马尔文MS2000激光粒度分析仪(20nm-200um)等检测设备,并与复旦大学、中科院等机构开展技术合作。
粉体圈将于2026年11月3-4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”,聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯等陶瓷粉体与金属电极材料及稀土掺杂材料的制备技术。大连海外华昇电子科技有限公司作为电子浆料企业将参与,该公司是MLCC内电极浆料标准制定者,2026年获批国家电子浆料标准化技术委员会秘书处单位。
钛酸钡粉体改性按介入时机分为合成过程中改性、合成完成后改性和辅助改性工艺三类,以调控颗粒表面性质、满足 X7R、X8R 等高端 MLCC 规格。合成阶段的原位掺杂可在水热 150-200℃、15-20h 条件下制得 8-40nm 钇掺杂钛酸钡纳米颗粒,共沉淀法可在 14-34nm 范围调控晶粒尺寸。
瑞芯智造(深圳)科技有限公司材料技术总监麻小挺博士将在11月3-4日举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”上,作题为《纳米库尔特粒度仪及其在MLCC粉体表征中的应用》的报告,介绍该仪器的测量原理、结构组成、技术优势及关键参数。
三星电子明年约80%的存储芯片产能已通过长期供应协议提前锁定,包括HBM,英伟达、谷歌、微软等全球科技巨头已与其签署覆盖逾五年的芯片供应协议,未签约企业正争夺剩余约20%产能。SK海力士已与主要客户完成长约签署,美光科技策略客户协议数量从第二季的16份增至第三季的26份。
液相还原法通过液相原位成核生长绕开超细分级难题,可制备80nm球形纳米镍粉,在粒径均匀性和原生分散性上具备优势,但杂质残留、批次放大一致性和结晶度缺陷仍是量产门槛。广州盛立新材料已制备出最小平均直径15nm的纳米镍粉,Span值降至0.15以下,并投资3.18亿元在清远英德建设年产600吨纳米镍粉生产基地。
粉体圈将于2026年11月3-4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”,聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯等金属电极材料及稀土/过渡金属粉体掺杂材料的制备技术。微容科技将以技术顾问单位参与,其MLCC年产能达7000亿片,通用高容量产品容值最高可达220μF。
中科院上海微系统与信息技术研究所于庆凯研究员团队迭代蒙烯铜粉技术,通过双振动分散耦合高温重熔CVD工艺,在1100℃下于微米级球形铜粉表面原位生长少层石墨烯包覆层,实现规模化可控制备。
村田制作所旗下冈山村田制作所计划投入约90亿日元,在现有厂区建设陶瓷原料新产线,2026年10月动工、2028年4月投产,新增产能规模未披露。该产线生产的高纯度超微粒陶瓷粉体是MLCC核心上游原材料,主要供给村田集团内部元器件生产。村田2026财年已安排2500亿日元资本支出,其中追加800亿日元用于AI服务器相关MLCC产能扩充。
PVD法已实现80nm粒径纳米镍粉量产,纯度达99.99%以上,为介质层向0.3–0.5μm演进的超薄MLCC提供内电极材料支撑。博迁新材成为全球唯二、国内唯一掌握PVD法镍粉工艺的企业,已切入三星电机、国巨供应链。
三星电机与一家全球大型企业签订约2.10亿美元的AI服务器用MLCC供货合同,交货期为2027年。这是其今年第6笔长期合同,累计金额约3.9万亿韩元,AI服务器MLCC市场份额超40%。村田制作所子公司冈山村田制作所将投资约90亿日元增设MLCC用陶瓷原料产线,计划2026年10月动工、2028年4月投产。
三洋化成子公司SAN NOPCO开发出一款面向MLCC等先进电子元器件的陶瓷微粒子用水系分散剂。该产品可促进钛酸钡、氧化铝等陶瓷颗粒细化并抑制纳米颗粒再团聚,同时降低高浓度浆料的黏度增长。其低温分解型产品的大部分有机成分可在约300℃前分解去除,有助于减少残留并降低能耗。
粉体圈将于2026年11月3~4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”,同期策划“从AI服务器对MLCC的需求看相关粉体/浆料的制备”圆桌论坛。AI服务器推动MLCC向高容、高温、高可靠方向发展,对钛酸钡介质粉体、纳米镍粉及配套浆料提出更高技术要求。
宇阳科技将以技术顾问单位身份,参与粉体圈于2026年11月3-4日在广东东莞举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”。该论坛聚焦钛酸钡等陶瓷粉体及镍、铜等金属电极材料的前沿制备技术,探讨其在AI服务器、新能源汽车等领域的应用痛点。宇阳科技已建成投产新的华南&华东研发生产基地,持续扩展高频高Q、高容等高端MLCC产品。
风华高科将以技术顾问单位参与粉体圈于2026年11月3-4日在广东东莞举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”。该论坛聚焦钛酸钡、钛酸镁等陶瓷粉体及镍、铜等金属电极材料的前沿制备技术,探讨其在AI服务器、新能源汽车等领域的应用痛点。
三星电机全面转向AI服务器等高附加值市场,推动MLCC从普通电子元件升级为AI电源系统基础组件。其去年5月发布0402、47㎌及0603、100㎌两款新品,满足GPU高频带来的低ESL要求。产品形态同步向Low Profile和Embedded方向演进,以适配2.5D/3D先进封装的空间与热管理需求。
上海创行实业将于10月28-30日参加IPIE2026第三届上海国际高端粉体装备与科学仪器展,展位号A5015。公司展出CX-GMJ-P、CX-ST-D等机械密封产品,适用于锂电池正负极材料、MLCC等领域,客户包括宁德时代、比亚迪。
GB/T 223.3—2026《钢铁及合金 磷含量的测定 分光光度法、滴定法和重量法》等466项国家标准获批发布。新标准替代了GB/T 223.3—1988等多项旧版标准,涵盖钢铁及合金化学分析、半导体分立器件、多层瓷介固定电容器、电火花成形机床参数及环境试验方法等领域。
巴斯夫(BASF)9月25日确认正探索收购赢创(Evonik),后者披露收到约103亿欧元非约束性报价,但表示尚未达到正式谈判门槛。双方业务在电子和半导体材料领域互补明显,若交易达成有望形成完整的半导体CMP、封装解决方案,并将电子材料业务延伸至粉体—浆料—配方体系,覆盖MLCC等关键电子元件。
MLCC制造过程需使用介质材料掺杂与烧结助剂、流延浆料有机助剂、内电极浆料有机助剂和共料三类关键助剂。目前高容小型化MLCC使用的钛酸钡原料粒径在150 nm左右,部分高端应用已下探至120 nm甚至100 nm。随着粉体粒径细化,浆料的分散稳定性、杂质控制及各组分工艺匹配要求进一步提高。
MLCC用BaTiO3粉体的物相纯度直接影响介电性能与器件可靠性,固相法和水热法需分别采取针对性措施抑制杂相。固相法煅烧温度需控制在约900–1100℃以稳定获得四方相,Ba/Ti比精确控制在0.995-1.005;水热法反应温度一般设定在180-250℃,Ba/Ti比通常为1~4。结合XRD及Rietveld全谱拟合可对多相组成进行定量分析。
粉体圈梳理了MLCC超薄流延成型在浆料分散、干燥应力控制和厚度精度三方面的核心挑战及应对思路。当介质层减至1μm以下时,钛酸钡粉体粒径需细化至80~150nm,刮刀间隙控制要求厚度误差小于0.03μm。目前全球高端超薄流延机由日本平野、平田机工垄断,可实现0.3~5μm膜厚且波动<±0.01μm,国产设备主要用于≥0.8μm膜片且波动±0.05μm。
村田制作所于9月30日宣布两款0603M(0.6mm×0.3mm)尺寸三端子低ESL MLCC量产,安装面积较此前1005M产品减少约64%,达到全球当前最小水平。该产品通过侧面增加接地端子缩短电流路径以降低ESL,明确应用于高频电源去耦。此次量产得益于电极结构优化和制造工艺高精化。
先进陶瓷凭借高温强度、耐磨、低密度和耐腐蚀性能,被广泛应用于防弹衣、坦克装甲、导弹天线罩及隐身材料等武器装备领域。氮化硅陶瓷在1400℃、碳化硅陶瓷在1700℃时强度仍达700MPa,氧化铝、碳化硼、碳化硅是装甲防护的三种主要单相陶瓷。薄介质MLCC和压电陶瓷也已在宇航装备与声纳系统中广泛应用。
三星电机与一家全球大型企业签订约2856.11亿韩元AI服务器用MLCC供货合同,交付期为2027年1月1日至2027年12月31日。这是三星电机2026年对外披露的第六份AI服务器MLCC长期供货协议,此前多笔同类型长协订单交付时间均安排在2027年。
9月29日,TDK与太阳诱电宣布签署合作协议,将探讨MLCC、电感等电子元件的共同开发。双方拟围绕AI服务器用新品研发、原材料采购及制造生产开展协同,并共同强化供应链安全。此次签署的是基本合意书,具体产业合作模式尚未公开,协议也提及未来资本合作的可能性。
纽迈分析产品经理刘佳骏将于11月3-4日在东莞MLCC论坛作报告,分享低场核磁技术在粉体/浆料领域的应用。低场核磁共振(LF-NMR)无须样品预处理即可定量评价分散程度,并可连续监测浆料从制备完成到静置、干燥、固化的全过程,为分散剂筛选及添加量优化提供依据。
国产MLCC已在中低压、常规容值消费级产品上实现规模化替代,但向0.5μm及以下介质层、1200–1600层高容产品推进仍面临材料与装备协同难题。材料端,国瓷材料已稳定量产120–150 nm钛酸钡,博迁新材已规模量产80nm镍粉,高端粉体掺杂与超薄生瓷带用离型膜仍是攻关环节。
国家标准委批准发布《钢铁及合金 磷含量的测定 分光光度法、滴定法和重量法》(GB/T 223.3-2026)等466项推荐性国家标准和4项推荐性国家标准修改单。新标准涵盖半导体分立器件、多层瓷介固定电容器、电火花成形机床等领域,多数于2027-01-01或2027-04-01实施。
嘉智信诺将于11月3-4日在广东东莞举办的MLCC论坛上,发布用于纳米镍浆和钛酸钡浆料的超分散剂产品。该产品利用空间位阻效应在粉体颗粒表面形成保护层,减少再次团聚,并通过降低颗粒间相互作用改善高固含浆料的流动状态。