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4月10日周五
4月7日周二
  1. Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要54

    特色器件增长系列第二篇:MEMS、共封装光学等器件面临哪些工艺控制挑战

    MEMS、CMOS图像传感器、SiC与GaN功率器件及共封装光学的规模化制造,均面临各自的形貌、膜厚、均匀性和缺陷控制挑战。CIS器件高度为6µm至10µm,像素隔离沟槽约100nm宽;SiC已采用200mm晶圆生产,部分厂商开始生产用于发挥材料导热特性的300mm SiC晶圆,而GaN更早转向300mm晶圆。

3月9日周一
  1. 粉体圈AI 摘要43

    氮化硼导热:突破各向异性与界面热阻难题,国内外企业进展如何?

    国内氮化硼企业正加速向高端导热填料市场渗透,但高纯度、大单晶、球形化、纳米化等领域仍由国际企业主导。各向异性与界面热阻是主要技术难点,三维导热网络、球形团聚体和表面改性是应对方向。天元航材目前满产年产能为500吨,新产线技改后设计产能将扩至1000吨/年。