卷材压切分切的历史与实用技术要点
Dave Rumson 梳理了卷材压切分切的历史与选型要点,该工艺通常是坚韧、致密卷材的优选分切方式。压切系统由刀架、压切刀和砧辊组成,刀具直径越大,可运行速度越高、可切卷材越厚。刀尖夹角越大,可承受的施力越高,但分切边缘更粗糙,粉尘也更多。
Dave Rumson 梳理了卷材压切分切的历史与选型要点,该工艺通常是坚韧、致密卷材的优选分切方式。压切系统由刀架、压切刀和砧辊组成,刀具直径越大,可运行速度越高、可切卷材越厚。刀尖夹角越大,可承受的施力越高,但分切边缘更粗糙,粉尘也更多。
Besxar 于 5 July 搭乘 SpaceX Falcon 9 完成 Flight-1“Mission Asimov”,两个 Clipper-class 容器完整回收。飞行后测试显示容器表现符合预期,晶圆样品初步分析未见损伤。第二个容器记录飞行数据时出现异常,公司正开展审查,计划在下次飞行前完成处理。
韩国DB HiTek已完成8英寸(200mm)晶圆1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证,计划为2027年量产加快准备。已通过验证的第二代工艺在18V导通栅极电压下,比导通电阻不高于2.5mΩ•cm²、阈值电压不低于3V;第三代工艺仍在验证,目标是在相同栅极电压下实现不高于2.3mΩ•cm²的比导通电阻及至少2.5μs的SCWT,相关PDK计划于11月推出。
日本东芝联合信越化学工业与新潟大学研发硅与钙钛矿串联电池,小型样品耐久表现达到此前领先水平的1.5倍。团队采用特殊橡胶干燥剂密封方案,25平方毫米样品在85摄氏度、湿度85%的条件下可稳定运行3000小时。后续需放大至250平方厘米以上商用规格开展测试,目标实现20年以上使用寿命,并计划在2030年代完成商业化落地。
韩国IVWorks正基于自研DOMM平台升级GaN外延生产系统,从遵循固定流程的自动化向AI判断状态并决定后续动作的自主工艺转型。DOMM已应用于全部量产产线,AI模型分析RHEED及设备数据以判断生长状态与异常,MRA负责从晶圆装载、生长到卸载的工艺执行。
蜂巢能源在本届迪拜MEE展会上展示6.29MWh大储系统与285kWh工商储一体机,面向中东高温等极端环境需求。公司称,6.29MWh系统采用电池舱、电气舱、水机舱独立布局,L型上下双面液冷将电芯最大温差从15℃降至7℃,循环寿命突破10,000次(70%SOH),CTR无模组设计配合AB镜像排布使占地面积减少30%。
Modelithics 发布 Qorvo GaN Library v26.5.11,新增 QPD2562L 非线性模型。该型号为 200W GaN 晶体管,模型经 2.5GHz 至 3.5GHz 多频点负载牵引测量验证。库内所有 GaN 模型新增对 Keysight ADS 2027 的兼容支持。
蜂巢能源董事长兼CEO杨红新在2026世界动力电池大会上介绍,通过工艺、材料与设计优化降低混合固液电池成本的路径。公司称,电解质隔膜转印技术兼容现有液态锂电产线,无需额外投资与改造,结合飞叠热复合工艺降低叠片制造成本;LATP固态电解质应用可减薄隔膜涂层并减少电解液用量,电芯安全冗余则支持减少整包防护材料。公司计划2027年底实现三元电芯全域混合固液化,2028年推出第三代混合固液技术。
诺斯罗普·格鲁曼获得 DARPA THREADS 项目第二阶段的 $7m 合同,将研发面向军用雷达与通信的金刚石散热芯片。公司与斯坦福大学合作,在器件背面的微通道内生长金刚石层以导出热点热量,并已完成采用金刚石作为半导体材料的高功率测试。第一阶段实现了 3.3x 的功率提升,第二阶段计划将功率密度再提高至三倍,以支持更强的 RF 发射器及卫星通信链路。
Navitas宣布,与GlobalFoundries合作的美国制造Gen 5 GaNFast产品将于9月开始首批晶圆出货。该系列采用GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200mm硅基GaN制造平台,面向AI基础设施、高性能计算、工业电气化及关键国家安全应用。
比克电池在起点户储电池生态大会上介绍150Ah钠离子电芯及储能产品布局,该钠离子电芯容量预计年末升级至170Ah。按会上披露,该电芯循环寿命超过20000次,10分钟可充电至90%,在-40℃环境下放电容量保持率超过85%,45℃下循环寿命超过10000次。
比克电池携手京东打造的标准化电池系列产品亮相2026世界机器人大会,比克电池担任核心电芯供应商。方案统一接口与尺寸,实现机器人电池“即插即用”,适配人形、工业、轮式等机器人。比克电池还推出基于21700电芯的人形机器人标准化电芯方案,提供爆发型、耐力型、均衡型三种动力选择。
魏牌V8X搭载蜂巢能源堡垒2.0电池(66.6kWh),SOC从30%到80%仅需9分钟,电芯温度异常时可在10秒内预警。电池支持混动6C快充,最大充电功率达470kW,CLTC纯电续航约402公里。电池包采用六层底部防护和单电芯独立隔热,满足1米水深、100小时浸泡无漏水。
比克电池面向AIDC推出的85Ah高倍率方形电芯已实现量产,采用高倍率铁锂体系,支持瞬时功率支撑。该电芯最大充电倍率达5C,最高支持12C峰值放电,功率达2500W,内阻低于0.3mΩ,在6C放电条件下温升低于30℃,工作温度覆盖-20℃~60℃。产品配置专属盖板与防爆阀,已通过针刺、过充、过放、过流、短路及高温等安全测试,并取得国内外多项安全认证。
比克电池近日发布面向AIDC算力储能的85Ah方形电芯,目前已实现量产,最高支持12C持续放电,最高功率达到2500W。该电芯采用高倍率铁锂体系及卷绕式叠片设计,内阻控制在0.3mΩ及以下,6C放电条件下温升低于30℃,在1C充电、6C放电条件下循环寿命超过2000次。
锂离子电池过充测试通过模拟极端充电故障,验证电芯与保护系统的可靠性及过充安全冗余。测试流程包括满电预处理、恒流过充、恒压稳压和静置观察,重点监测电压、温度、外观及保护装置动作。测试数据用于判定安全合规性、量化安全边界,并指导BMS保护参数、电芯配方及封装工艺优化。
创明新能源计划于2026年下半年将46120-25Ah、60140-50Ah两款大圆柱电芯正式推向市场,面向小动力、小储能领域。绵阳创明研发副总经理邱沫在起点锂电两轮车换电大会上表示,适配两轮换电、便携储能的32140-15Ah电芯已实现满产,公司围绕15-50Ah布局标准化大圆柱产品。
锂离子电池AT9陶瓷层用于正极极片防护,涂布质量关系到极片合格率与电池安全性能。其常规厚度为2-5μm,误差≤±0.5μm,剥离强度≥0.3N/mm。陶瓷窜料和融合区异常需排查浆料粘度、设备定位及干燥工艺,并调整配方与涂布参数。
2026年6月4日,正业科技“锂电池X光智能检测装备关键技术研究及应用”项目通过科技成果鉴定,鉴定委员会认为整体技术处于国际先进水平。装备实现微米级缺陷检测、电芯非接触式高速平稳传输及检测与分拣一体化。项目获授权发明专利2件、实用新型专利3件,参与制定国家标准3项、牵头制定行业标准1项。
气相法白炭黑通过构建三维网络,为电池浆料提供增稠、触变和防沉降作用,改善浆料稳定性与涂布一致性。锂离子电池浆料中的添加量通常为活性物质质量的0.1%~2%,需结合分散效果和粘度调整。分散建议采用预分散与阶梯式混合,避免分散不足引发团聚或过度分散削弱增稠效果。
纳米粉体通过增韧、促进致密化烧结和细化晶粒,提升陶瓷材料的力学性能与功能特性。在氧化铝基体中添加适量纳米SiC颗粒,可使抗弯强度提升30%-80%。成型与烧结需重点控制粉体分散、硬团聚及气孔缺陷,并通过低温或快速烧结抑制晶粒生长。
球形粉体通过颗粒球形化提升流动性、填充性和分散性,应用于导热材料、金属3D打印及电子封装。主要制备技术包括等离子体球化法、喷雾热解法和造粒烧结法,分别适用于高熔点金属及难熔陶瓷、多组分复合氧化物和球形陶瓷粉体。
解决超细粉体分散不均匀,需要依据粉体表面化学性质匹配分散设备、优化工艺参数并筛选分散剂。超细粉体砂磨可选用0.1mm-0.3mm锆珠,转速通常控制在临界转速的65%-80%。分散剂通常添加粉体质量的0.5%-3%,应通过浆料粘度或Zeta电位测试确定最佳添加量,避免过量引发絮凝。
粉体表面改性主要采用物理和化学方法,包括机械融合改性、干式包覆改性、偶联剂处理、表面接枝聚合及酯化反应。物理改性适合常规粉体的低成本工业化处理,化学改性通过接枝官能团或形成稳定化学键满足高性能需求。方法选择需结合粉体性质、应用体系、性能要求和生产成本。
竹基透明材料通过脱色与透明树脂填充实现透光,其中多层透明竹是建筑窗户、采光顶棚的候选材料。三层、0.9mm厚的多层透明竹透光率可达70-80%,层数与组坯方式可调控其性能。大规模产业化仍需降低工艺成本、解决长期使用中的黄变问题并提升界面结合强度。
竹粉经针对性改性和工艺优化,可提升PLA、PBS等生物降解材料的综合性能并降低成本。研究中,木聚糖酶质量浓度为3mg/L时,改性竹粉/PLA复合材料拉伸性能达到42MPa,冲击强度较未酶改性材料提升38.33%。竹粉应用仍面临亲水性强、热稳定性及界面相容性方面的挑战。
聚酰亚胺(PI)粉体在300℃高温下仍可保持初始性能,兼具耐磨、电绝缘和精密加工特性。其制备主要采用化学沉淀法与物理粉碎法,可用于改性PTFE、直接模塑半导体设备绝缘零部件及充当钻石砥石结合剂。成本高、加工要求苛刻仍是应用挑战。
竹粉用于可降解塑料填充改性时,其粒径、填充量、化学组成、物理性能和表面特性共同影响制品性能。10~30μm竹粉可用于降解袋,农用薄膜往往需10μm以内,添加量在10%-35%范围内通常可较好平衡加工与力学性能。使用前需严格干燥,并可通过表面改性改善竹粉与塑料基体的界面相容性。