英飞凌与 Wolfspeed 将长期 SiC 晶圆供应协议扩展至 200mm
英飞凌与 Wolfspeed 签署新的多年期协议，将现有的 SiC 衬底长期供应从 150mm 直径晶圆过渡到 200mm 直径晶圆，直接支持英飞凌向 200mm SiC 制造转换。
推荐理由：英飞凌与 Wolfspeed 将 SiC 衬底供应从 150mm 扩至 200mm，读者可据此了解功率半导体大厂向大尺寸衬底切换的供应链动作。
碳化硅
全部主题碳化硅衬底、外延与器件：大尺寸量产、良率与扩产。
最新精选
第 1–12 条 · 共 12 条Semiconductor Today精选AI 摘要AI 评分6262 SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 英飞凌与Wolfspeed签署200 mm碳化硅晶圆多年期供货协议
英飞凌与Wolfspeed新签署一项200 mm碳化硅晶圆多年期供货协议，双方原有供货关系从150 mm衬底技术转向200 mm衬底技术。该协议将直接支持英飞凌向200 mm碳化硅制造转型，并增强供应链韧性。
推荐理由：协议把英飞凌与Wolfspeed的供货关系从150 mm切换到200 mm衬底，读者可据此观察碳化硅衬底尺寸迁移对单位成本和供应链布局的影响。
中国粉体网精选AI 摘要AI 评分6969 北京中电科碳化硅器件晶圆全自动减薄机量产交付
中国电科电子装备集团旗下北京中电科研发的国内首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机交付国内头部晶圆企业，实现量产落地。该设备采用三轴四工位整机架构，集成自动传输与清洗单元，实现干进干出全自动化加工，对8英寸碳化硅晶圆可稳定磨削至最低120微米，每小时产出不少于15片，磨削后晶圆内部厚度偏差控制在3微米以内。
推荐理由：国产碳化硅器件晶圆全自动减薄机首次量产交付，文中给出8英寸晶圆磨削至120微米、每小时不少于15片等量产指标，可供判断国产减薄装备的工艺水平。
全球半导体观察 · 材料/设备精选AI 摘要AI 评分7171 电科装备首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机量产交付
中电科电子装备集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机近期交付国内头部晶圆企业并实现量产应用，该公司由此形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的成套解决方案。设备采用三轴四工位整机结构，集成自动化传输与清洗单元，经量产实测8英寸碳化硅晶圆最低可稳定磨削至120微米，单位小时产出不低于15片，磨削后晶圆内厚度偏差稳定控制在3微米以内。
推荐理由：国产8英寸碳化硅晶圆全自动减薄机交付头部晶圆厂量产，给出了磨削厚度、产出与厚度偏差等实测数据，可据此判断国产减薄设备的工艺水平。
Compound Semiconductor精选AI 摘要AI 评分6262 英飞凌与 Wolfspeed 签署 200mm SiC 晶圆多年供应协议
英飞凌与 Wolfspeed 签署新的 200mm SiC 晶圆多年供应协议，将双方原有供应关系从 150mm 衬底技术转为 200mm。英飞凌 COO Alexander Gorski 表示，该协议拓宽了其 200mm 大规模制造的供应基础，并建立在两家公司 20 年供应关系之上。
推荐理由：英飞凌与 Wolfspeed 的 200mm SiC 衬底长约，把双方 20 年供应关系从 150mm 升级到 200mm，可据此观察大尺寸 SiC 衬底的供应格局。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及四代技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线。
推荐理由：长飞先进一次发布四代SiC MOSFET技术路线，给出各代Rsp、短路耐量与雪崩能量等实测数据，可对比其迭代节奏与中高压规格布局。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 电科装备首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机交付并量产应用
中电科电子装备集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机，近期交付国内头部晶圆企业并实现量产应用，形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的国产减薄成套解决方案。设备采用三轴四工位整机结构，集成自动化传输与清洗单元，实现干进干出的全自动加工流程。经量产实测，8英寸碳化硅晶圆最低可稳定磨削至120微米，单位小时产出不低于15片，磨削后晶圆内厚度偏差稳定控制在3微米以内。
推荐理由：国产全自动减薄机在8英寸碳化硅器件晶圆背面减薄环节实现量产应用，文中给出磨削厚度、产出与厚度偏差等实测数据，可供判断国产设备在该工序的成熟度。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6060 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线，覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。
推荐理由：长飞先进一次给出四代SiC MOSFET的Rsp、短路耐量与雪崩能量实测数据，可对照其从1200V到3300V的电压规格布局判断国产器件的技术位置。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 四象半导体零部件项目合肥Fab北区封顶，总投资7.5亿元
四象半导体位于合肥高新区的半导体部件总部生产基地项目Fab车间北区已封顶，南区屋面主体施工中，动力站及废水处理站已封顶。项目占地约40亩，总建筑面积约4.6万平方米，总投资7.5亿元，2025年12月开工，预计2026年底竣工投产，全面达产后年产硅电极、硅环、石英环等关键部件27.6万片。
推荐理由：项目给出总投资、占地、封顶节点与达产产能，可据此判断半导体刻蚀耗材国产替代产线的建设节奏与释放时点。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6060 昕感科技合肥制造中心启动运营，车规功率模块产线进入产能爬坡
10月10日，昕感科技集团合肥制造中心在合肥经济技术开发区启动运营，创始人王哲称从项目落地到首样产品下线用时不足一年。该中心产线已全线贯通并将进入产能爬坡阶段，产品面向新能源汽车、光储充、固态变压器、高压直流输电、AI数据中心、eVTOL等市场。仪式现场，安徽大学与合肥昕感为《功率半导体可靠性与创新技术联合实验室》揭牌；蔚来汽车高级副总裁曾澍湘表示，双方此前已共建车规功率半导体联合实验室。
推荐理由：合肥制造中心从落地到首样下线不足一年，并已与蔚来共建车规功率半导体联合实验室，可据此观察国产车规功率模块的产能爬坡节奏。
Charged EVs精选AI 摘要AI 评分6060 Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期贷款有条件承诺
Wolfspeed 获得美国国防部（DoW）最高 15 亿美元、30 年期融资的有条件承诺，用于支持其在美国本土开发和生产碳化硅（SiC）材料及宽禁带功率器件。
推荐理由：Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期贷款的有条件承诺，读者可了解其 SiC 与 GaN 产能本土化及股权认股权证安排。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6464 Resonac成功开发300mm碳化硅衬底
Resonac（力森诺科）成功开发直径300mm（12寸）SiC衬底，相同制程下每片可取得的芯片数量为主流150mm（6寸）衬底的4倍。其商业化需要功率半导体制造商进行大规模设备投资，以及供应商建立稳定量产低缺陷衬底的生产体系。Resonac目前主要生产150mm衬底，现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力，并按客户需求评估300mm产品的市场前景。
推荐理由：大尺寸衬底的芯片数量优势与商业化所需的设备投资、低缺陷量产条件形成对照，有助于区分开发成果与量产降本之间的距离。