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9月28日周一
  1. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要52

    英伟达评估玻璃基板方案,与SCHMID等企业合作,最快有望2028年前落地

    英伟达正在评估玻璃基板方案,并与德国设备商SCHMID等企业合作,相关方案最快有望于2028年前落地。英伟达希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发,用于下一代高性能AI加速芯片封装,提升集成度并承载更多高带宽内存。SCHMID披露正与英伟达、英特尔、AMD供应链内核心供应商共同开发玻璃基板制造设备,但TGV金属化仍有技术难点,相关产品客户认证尚未完成。

  2. 全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要74

    高塔半导体拟投资约40亿美元扩产日本,打造AI光通讯芯片基地

    高塔半导体计划投资约40亿美元,分两阶段扩充日本硅光子、硅锗与先进封装产能,以回应AI基础设施需求。第一阶段将新潟县荒井Fab 6改为300mm硅光子与先进光学封装厂,并提升富山县鱼津Fab 7的SiGe与SiPho产能,预计2027年第四季具备全面量产准备;第二阶段将在Fab 7旁新建300mm晶圆厂,扩大SiGe EIC与SiPho PIC产能,为后续导入CPO铺路。

  3. 全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要62

    汇绿生态拟投资3.09亿元建设钧恒科技基地,扩产高速光模块

    汇绿生态9月27日公告,控股子公司武汉钧恒科技拟在武汉东湖高新区投建研发生产基地,总投资3.09亿元。项目将升级现有年产150万支产线,并新增年产200万支高速率光模块产线,全部达产后武汉区域合计年产能350万支,匹配800G、1.6T市场需求。主体工程计划于2026年11月至2028年6月建设,工期20个月,投资尚需按内部流程推进,建设进度及市场需求变化可能影响产能释放。

  4. Semiconductor TodayAI 摘要48

    东芝推出3300V SiC MOSFET模块

    东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块,额定电压3300V、额定电流800A,面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装,通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性,额定沟道温度达175°C。

  5. 粉体圈AI 摘要62

    先进封装为何需要负膨胀(NTE)抗翘曲填料:材料路线与产业化进展浅析

    先进封装用负膨胀(NTE)填料通过升温收缩抵消树脂热膨胀,为兼顾抗翘曲与高导热提供配方思路,但也带来工艺适配挑战。二氧化硅高填充会挤占高导热填料空间并增加黏度,文章对比了钨酸锆、钒酸铜、BNFO及三菱化学M-Filleris™的性能与应用限制。

9月24日周四
  1. Compound SemiconductorAI 摘要44

    东芝推出3300V SiC MOSFET模组

    东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4,额定漏源电压为3300V、额定漏极电流(DC)为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装,通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性,额定沟道温度达175°C。

  2. 全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要35

    晶丰明源出资不超5000万元,参与粤芯半导体IPO战略配售

    晶丰明源以自有资金参与粤芯半导体IPO战略配售,最终获配416.32万股,获配金额约4999.9996万元。本次发行价格为12.01元/股,获配股份自粤芯半导体上市之日起限售24个月。晶丰明源长期向粤芯半导体采购晶圆代工产能,此次投资旨在深化双方产业链战略合作。

  3. 全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要67

    芯联先进注册资本达84.83亿元,推进12英寸车规级数模混合芯片项目

    芯联先进各方出资认购已全部完成,合计注册资本达84.83亿元,作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造四期项目的实施主体。芯联集成9月21日公告披露,已累计完成21.29亿元注册资本实缴;四期项目总投资约200亿元,拟建设5万片/月的12英寸数模混合芯片产线。

  4. Compound SemiconductorAI 摘要29

    Sivers Semiconductors 调整领导团队

    Sivers Semiconductors 调整无线与光子业务领导团队,以推动下一阶段的商业增长。Marc Pegulu 将于2026年9月28日出任无线业务董事总经理,David Clark 将于2026年10月31日出任光子业务工程副总裁。现任无线业务董事总经理 Harish Krishnaswamy 将转任首席战略官。

9月23日周三
  1. Compound SemiconductorAI 摘要67

    苏黎世联邦理工学院开发发光光刻胶,使微小OLED像素可用光刻工艺制造

    苏黎世联邦理工学院研究人员开发出可直接光刻的多色发光聚合物,兼具光刻胶功能与耐化学处理能力,成果发表于Nature。材料采用核壳式分子设计,将发光核心与外围UV交联基团隔开,并制成尺寸为300 by 430 µms、包含250 by 350像素的静态荧光图像,该图像尚非电驱动显示屏。

  2. 粉体圈AI 摘要60

    Noritake推出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia,解析LHA研磨技术

    9月2日,Noritake宣布开发出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia,适用于SiC等半导体硬脆晶圆材料的研磨,可用于SiC晶圆端面加工。其LHA技术将金刚石磨粒以半固定状态内置于网状树脂结构中,使磨粒在研磨时滚动并多次接触工件。该研磨垫仅需通水即可研磨,无需额外添加含磨料的浆料,有助于减少工业废弃物。

9月22日周二
  1. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要46

    富士胶片与塔塔电子签署MOU,印度半导体朋友圈再扩容

    近日,富士胶片与塔塔电子签署MOU,旨在加速印度半导体材料生态系统发展。富士胶片计划投资约800亿印度卢比,分阶段在古吉拉特邦多莱拉特别投资区建设半导体材料工厂,保障塔塔电子在建晶圆厂的材料供应与运输。双方合作还将为印度化工制造商提供技术、质量保证和制造工艺方面的专业知识,促进高纯度化学品生产。

  2. Compound SemiconductorAI 摘要42

    SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟

    SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟,助力降低欧洲对进口 SiC 和硅原材料的关键依赖,增强半导体供应链韧性。项目获欧盟共同资助,预算为 €9.57 million,将开发基于本土矿源和工业副产物及废物流的生产路线。SEMI Europe 将牵头社会接受度、成果传播、沟通与标准化工作。

  3. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要57

    礼鼎半导体深圳先进IC载板制造基地开工,计划总投资不低于120亿元

    9月19日,礼鼎半导体第二园区先进IC载板数智化制造基地在深圳宝安区落地,计划总投资不低于120亿元。项目规划占地面积约15.72公顷,将分两期建设数座现代化工厂,重点布局FCBGA等IC载板产品,面向人工智能、高性能计算及网络通信领域。这是近2个月以来宝安区落地的第二个百亿级PCB项目,此前鹏鼎控股已公告拟投资100亿元建设第三园区人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地。

9月21日周一
  1. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要52

    瑞丰高材拟以4.99亿元收购及增资取得觅拓新材68.065%股权

    瑞丰高材9月16日晚间公告,拟以自有及自筹资金合计4.99亿元,通过股权受让和现金增资取得觅拓新材68.065%股权,完成后将其纳入合并报表。觅拓新材主营电子级环氧树脂、低介电树脂及感光材料,产品面向覆铜板等电子材料领域,感光材料涵盖光敏剂、架桥剂等。

  2. 粉体圈AI 摘要27

    冯朝阳博士:纳米铜在印刷电子以及集成电路上的应用探索(报告)

    苏州长湖纳米科技有限公司技术总监冯朝阳博士将于9月21-22日在苏州纳米金属论坛分享纳米铜在印刷电子及集成电路上的应用探索报告。报告涵盖抗氧化纳米铜粉批量制备、低温烧结浆料配方优化,以及面向FPC柔性集成电路印刷和先进芯片封装的工艺适配。

9月18日周五
  1. Semiconductor TodayAI 摘要53

    NewPhotonics与Tower开始大批量出货面向AI互连的激光器集成可维护光引擎PIC

    NewPhotonics与Tower Semiconductor宣布,面向AI横向扩展和纵向扩展互连的激光器集成可维护光引擎PIC已开始大批量出货。已出货的NPG102支持800G和1.6T,采用每通道200G设计,并依托PH18DA硅光平台异质集成InP器件,在单个PIC上集成激光器、半导体光放大器、调制器和光探测器。

  2. Semiconductor TodayAI 摘要66

    安森美发布 Embedded Power Platform,以硅晶圆构建功率系统封装

    安森美发布 Embedded Power Platform(EPP),以硅晶圆本身作为封装基础,在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计,公司称可依应用实现3–5x功率密度,早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%,电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。

  3. Semiconductor TodayAI 摘要43

    Avicena 将演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连

    Avicena 将在 ECOC 2026 演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连 LightBundle eKit。该实现结合无激光 micro-LED 收发技术与可拆卸光接口,采用 MPO 外形规格及针对多芯光纤束优化的插芯。可拆卸接口可简化系统装配,支持电子与光学子系统独立测试及现场维护。

9月17日周四
  1. 艾邦半导体网AI 摘要35

    【邀请函】第五届玻璃基板TGV暨先进封装产业链高峰论坛

    艾邦半导体将于2027年3月18-19日在江苏·苏州举办第五届玻璃基板TGV暨先进封装产业链高峰论坛。论坛拟围绕TGV成型、通孔金属化、良率提升、检测与量测及先进封装应用等议题,汇聚材料、设备、制造、封装和应用环节代表,探讨技术进展与产业链协同路径。

  2. 粉体圈AI 摘要70

    总投资10.1亿元,德汇电子年产1200万片高性能陶瓷覆铜板项目开工

    9月16日,浙江德汇电子陶瓷有限公司年产1200万片功率半导体用高性能陶瓷覆铜板项目在嘉兴南湖高新区开工。项目总投资10.1亿元,占地48亩,规划建设集研发中心、智能制造产线、检测试验设施于一体的数字化半导体材料生产基地,建成后预计年产值超12亿元。公司负责人表示,新工厂将在绿色化、数字化、智能化方面升级,目标是较原有基地生产效率提升30%至50%。

9月16日周三
  1. Semiconductor TodayAI 摘要25

    Lumentum 专家将在 ECOC 2026 发表演讲

    Lumentum 公布了专家演讲阵容,将参加9月20–24日在西班牙马拉加举行的 ECOC 2026。议题涵盖面向 AI 系统互连的激光创新、800G 和 1.6T 硅光发射器规模化,以及1060nm VCSEL 阵列的性能、可靠性与可制造性。公司还将在9月21–23日的展会上亮相,展位号为 #2050。

  2. SEMI 中国·热点新闻AI 摘要27

    AI 开启新周期:2026年全球及中国半导体产业发展现状与展望

    SEMI 中国总裁冯莉在 IC WORLD 大会上指出,AI 正推动全球半导体产业进入新增长周期。她援引 WSTS 数据预测,2026 年全球半导体市场规模将超过 1.6 万亿美元,年增长率 108%。AI 算力、存储革命和技术驱动产业升级构成三大趋势,先进制程与先进封装共同推动性能与成本优化。

  3. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要56

    扩产还是停产?村田向AI服务器高端MLCC倾斜产能

    村田计划在2028财年将AI服务器用高端MLCC产能较当前提升约20%,同时停产部分消费级和车用MLCC料号。其2026财年资本支出计划达2500亿日元,其中追加800亿日元专项扩充服务器MLCC产能;涉及停产的料号要求客户于2027年底前书面回复、2028年3月底前完成最后下单。

  4. 粉体圈AI 摘要64

    Resonac成功开发300mm(12英寸)碳化硅单晶衬底

    9月15日,Resonac(力森诺科)宣布成功制造出300mm(12英寸)碳化硅单晶并加工成衬底。公司目前主要供应150mm(6英寸)碳化硅外延晶圆,200mm(8英寸)外延晶圆也已对外出货。300mm(12英寸)碳化硅衬底尚未进入大规模产业化阶段,距离稳定量产、客户送样验证还有较长周期,后续竞争将聚焦晶体良率与加工稳定性。

9月15日周二
  1. Semiconductor TodayAI 摘要28

    Altum RF将在EuMW展示产品与技术专长

    Altum RF将于10月6–8日在伦敦EuMW 2026展会展示射频、微波及毫米波半导体产品与技术专长,展位为#L80。重点展品包括E-band功率放大器和低噪声放大器,其中ARF1018频段为71–79GHz、饱和输出功率为1.8W;E-band功率放大器集成片上功率检测器。

  2. Semiconductor TodayAI 摘要41

    英国 Battalion 与宾夕法尼亚州立大学启动聚焦国家安全的研究合作

    英国 Battalion Advanced Technology 与宾夕法尼亚州立大学签署总额最高 $6m 的两项研究协议,开发先进半导体平台及高温材料。协议于7月16日生效,为期三年,研究涵盖半导体与高性能衬底集成,以及耐极端高温、抗氧化合金。半导体项目将探索原子级薄中间层能否改善 GaN 与金刚石、氮化铝等材料的集成。