Navitas获美国陆军ALATTIS项目,开发10kV功率半导体
Navitas获美国陆军ALATTIS项目,将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助,旨在通过迭代设计、制造和测试,开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面(TAP)架构,面向军方任务关键系统。
Navitas获美国陆军ALATTIS项目,将开发下一代10kV SiC IGBT及配套PiN二极管技术。项目由美国陆军研究实验室资助,旨在通过迭代设计、制造和测试,开发并验证≥10kV SiC IGBT的美国本土制造工艺。器件将基于其专利沟槽辅助平面(TAP)架构,面向军方任务关键系统。
鸿利显示分享车载Mini LED技术趋势与量产经验,以POB与COB双技术路线覆盖主流至高端车载显示需求。其COB方案亮度均匀性可达92%以上,对比度高达100000:1。公司已具备车规级Mini LED背光模组批量交付能力,量产案例包括吉普12.3寸仪表屏、广汽15.6寸中控屏等。
长飞先进正式发布功率半导体PCB嵌入式技术白皮书,介绍面向下一代车规主驱的功率半导体封装技术路径。该技术将功率芯片直接嵌入PCB内部,以铜层互联导热,降低寄生参数与热阻,提升功率密度与可靠性。
Navitas Semiconductor获美国政府授予ALATTIS项目,将开发下一代10 kV SiC功率半导体技术。该原型项目由美国陆军研究实验室资助,将开发、实施并验证美国目前尚不具备的10 kV SiC IGBT制造工艺。Navitas将采用其专利沟槽辅助平面(TAP)架构,并集成先进PiN二极管技术。
Wolfspeed宣布Premium 200 mm n型SiC衬底正式商用,旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的X-ray形貌检测验证,该衬底微管密度低于0.01个/平方厘米,或每片晶圆少于3个微管,并具有较低的螺型穿透位错。公司称其可在客户现有外延工艺内改善外延表现,产品现已可订购并配有专用产能,后续将随市场需求增长在现有大规模SiC制造设施内快速爬坡新增产能。
格拉斯哥大学牵头的国际团队开发出激光频率测量新方法,通过随频率变化而旋转的图像,在单次拍摄中判定激光频率。该方法利用铷蒸气与矢量光束的相互作用,以图像中亮瓣的位置和亮度指示频率相对原子共振的偏移。目前其精度仍落后于最精确的测频方法,团队正研究进一步提高分辨能力。
Wolfspeed 宣布 Premium 200mm n型 SiC 衬底商业供货,旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的 X-ray 拓扑成像验证,该衬底微管密度低于每平方厘米 0.01 个,即每片晶圆少于 3 个微管,并具有较低的螺型穿透位错水平。公司称,更高的裸晶圆质量可在客户现有外延工艺内改善外延表现;产品现已可订购,并配有专用产能。
Fraunhofer IAF 开发出宽带分布式放大器 MMIC 芯片,适用于数据中心、测量系统和传感器。芯片采用栅长20nm的 InGaAs-on-Si HEMT 技术,在4–420GHz频段实现11 ± 2dB增益,饱和输出功率为6dBm至8dBm。
梅赛德斯-奔驰与辉能科技签署新一代电芯测试协议,将优先获取 Gen4 锂陶瓷电芯,评估其未来车辆应用适用性。电芯将先在奔驰设施及外部测试机构接受电气、热学和安全测试,是否用于量产车型尚未确定。
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单,客户为国内一家电动飞行器企业,产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装,将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构,而非外部贴附热沉片。材料称,该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷,减少冷却附件及底板重量,并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。
元旭半导体联合清华大学、星火辰光研发的Micro-LED光互联芯片样品,在所采用的测试条件下实测-3dB带宽达到3.5GHz。下一阶段,元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成与封装互连继续研发,并联合合作伙伴推进驱动、接收及光学耦合适配,通过链路测试验证通信能力。
中国科学技术大学孙海定团队提出沟槽深宽比重构策略,在固定有源面积下提升AlGaN深紫外微二极管的发光、探测与通信性能。NT-diode在50 mA时光输出功率提升约16%,探测响应度提升约17.3%。其数据率达2.688 Gbps,源于接收信号质量改善而非本征调制带宽增加,并完成双向自由空间V2V概念验证。
英伟达正在评估玻璃基板方案,并与德国设备商SCHMID等企业合作,相关方案最快有望于2028年前落地。英伟达希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发,用于下一代高性能AI加速芯片封装,提升集成度并承载更多高带宽内存。SCHMID披露正与英伟达、英特尔、AMD供应链内核心供应商共同开发玻璃基板制造设备,但TGV金属化仍有技术难点,相关产品客户认证尚未完成。
东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块,额定电压3300V、额定电流800A,面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装,通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性,额定沟道温度达175°C。
嘉智信诺将于11月3-4日在广东东莞举办的MLCC论坛上,发布用于纳米镍浆和钛酸钡浆料的超分散剂产品。该产品利用空间位阻效应在粉体颗粒表面形成保护层,减少再次团聚,并通过降低颗粒间相互作用改善高固含浆料的流动状态。
通用汽车开展电池材料闭环回收试点,首次将正极镍、钴、锰全部来自再生材料的电芯装入电动汽车,相关车辆于2026年9月下线。试点与 Cirba Solutions 等伙伴处理了80块退役电动汽车电池,经黑粉及后续加工获得超过12 metric tons的新正极活性材料;据通用汽车介绍,使用回收材料的电芯满足了与使用新开采材料电芯相当的质量、安全和性能要求。
依托海南省检验检测研究院建立的市场监管总局重点实验室,在生物降解材料合成与检测技术方面取得突破。团队研发出多种全自然域降解共聚物,合成的海洋环境降解材料获比利时OWS认证,并搭建覆盖土壤、海水、好氧、厌氧等环境的降解检测平台。团队牵头制定14项标准,开发便携式拉曼光谱降解材料快检仪,支撑海南省全域“禁塑”。
东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4,额定漏源电压为3300V、额定漏极电流(DC)为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装,通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性,额定沟道温度达175°C。
多氟多新能源科技有限公司披露,其20Ah磷酸铁锂大圆柱电芯已依据GB 47372-2026《移动电源安全技术规范》通过0916类CCC认证。该电芯额定电压3.2V、单体能量64Wh,面向大功率户外电源及便携式储能,配置双向泄压防爆结构并采用含氟电解液配方。多氟多表示,下游品牌可将其作为已获证关键部件纳入整机CCC认证申报材料,有助于减少重复测试、缩短认证周期,后续还将推进更多规格储能电芯的认证。
9月21日,国轩高科在2026世界制造业大会上首次发布混合固液46大圆柱低空飞行高功率星晨电池,面向eVTOL载人飞行器、重载无人机及应急救援飞行器。披露的电芯能量密度达330Wh/kg、850Wh/L,在SOC仅有25%时仍可实现12C脉冲放电、6C持续放电,支持快充和换电双模式,可实现5分钟快速补能。
构网型技术正从示范项目走向规模化商用,多家企业在9月21日张家口交流会上展示了工程实证。南瑞集团在成都500千伏站点投运首套电网侧构网型SVG,直流送电能力预计提升至220万千瓦左右;特变电工在河北实现40兆瓦构网储能支撑离网运行及1分钟整站黑启动。两项国标已于今年7月发布,但场站、控制等标准仍在立项中。
Fraunhofer IAF 开发了 InGaAs-on-Si 宽带分布式放大器芯片,在 4 至 420 GHz 频段实现 11 ± 2 dB 增益。芯片采用栅长为 20 nm 的 HEMT 技术,饱和输出功率为 6 至 8 dBm,适用于数据中心、测量系统和传感器。
Coherent 推出面向下一代 AI 数据中心的集成光学平台 PhotonLink,整合光子技术、组装与测试能力,提供完整光学解决方案。平台支持共封装光学(CPO)、近封装光学(NPO)及新兴芯片间互连。平台收入预计于 CY2026 的 Q4 开始爬坡,公司正扩充 InP 和特种光纤产能。
厦门供电公司通过电能质量治理、移动变电站过渡供电和一站式绿电服务,支持火炬高新区企业生产与项目建设。为联芯集成定制的三级防护体系,使核心生产线在电压暂降58.16%、持续0.27秒的情况下用电未受影响。面向宁德时代厦门高性能锂电池基地,110千伏移动变电站的4台主变自5月以来相继送电,较常规建设时间提前10个月,供电容量达20万千伏安。
保时捷在试点项目中使用完全由回收原料制成的正极活性材料生产电芯,目前正开展真实条件下的测试。原料包括从报废高压电池中回收的锂、镍、钴和锰,合作伙伴包括亚琛电池回收企业 cylib;保时捷称初步测试显示该路线可能在技术上可行,预计2026年底前取得更多结果,为再生材料用于量产电芯提供依据。
飞轮储能正从技术示范走向规模化商业应用,国内已落地30MW乃至百兆瓦级独立调频电站。山西长治鼎轮30MW电站于2024年9月并网,山东乳山建成国内首个百兆瓦级飞轮调频电站;台达联合泓慧能源发布融合SST固态变压器与磁悬浮飞轮的10kV中压UPS,效率突破99%。“飞轮+电化学”混合储能成为主流工程形态,应用场景覆盖电网调频、轨道交通制动能量回收及数据中心不间断供电。
9月21日,国轩高科在合肥举行的2026世界制造业大会专场发布会上,发布星晨低空飞行电池、中欧非新能源物流运输一体化解决方案及GotionGuard-ZERO零碳数字能源云平台。
推荐理由:低空电池同时披露能量密度、低电量放电倍率及补能指标,为比较飞行场景下比能与功率的兼顾程度提供具体参照。
创明新能源在2026世界电池及储能产业博览会推出46140、60140两款全极耳大圆柱电池,分别面向高性能与高性价比市场。企业介绍,46140支持-30℃~60℃温域、10分钟充电80%,固液体系常温循环6000次以上,主要用于出口高端电摩及智慧储能;60140采用锂钠双线材料,锂电材料单体容量可达50Ah、钠电材料可达28Ah,面向出口三轮车、四轮车及国内铅改锂市场。
开源鸿蒙生态通过“燃鸿”解决方案推动燃气设备互联与业务协同,构建“端—边—云”一体化智能运营体系。相关方案已实现规模化商用,落地深圳、昆山等多地燃气项目。智能燃气设备支持“表警联动、智能处置、全域感知”,可在断网状态下本地自动关阀、即时告警,并通过AI自检排查潜在风险。
陕西省计量科学研究院所依托的计量光学及应用重点实验室团队研制出系列光学参数校准装置,初步构建交通安全光学计量技术体系。成果覆盖能见度、逆反射与眩光,形成从基础方法、标准装置到现场测量装备的完整技术路径。目前已应用于民用航空、道路交通及公共安全等领域,支撑运行保障、照明优化与质量监督检验。
NewPhotonics与Tower Semiconductor宣布,面向AI横向扩展和纵向扩展互连的激光器集成可维护光引擎PIC已开始大批量出货。已出货的NPG102支持800G和1.6T,采用每通道200G设计,并依托PH18DA硅光平台异质集成InP器件,在单个PIC上集成激光器、半导体光放大器、调制器和光探测器。
安森美发布 Embedded Power Platform(EPP),以硅晶圆本身作为封装基础,在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计,公司称可依应用实现3–5x功率密度,早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%,电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。
Avicena 将在 ECOC 2026 演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连 LightBundle eKit。该实现结合无激光 micro-LED 收发技术与可拆卸光接口,采用 MPO 外形规格及针对多芯光纤束优化的插芯。可拆卸接口可简化系统装配,支持电子与光学子系统独立测试及现场维护。
Futamura与Bio4life联合开发出一款家庭及工业可堆肥压敏胶标签,用于苹果、柑橘、牛油果和猕猴桃等生鲜农产品,面材采用Futamura的NatureFlex纤维素薄膜,胶粘技术来自Bio4life。该标签针对欧盟《包装和包装废弃物法规》(PPWR)要求开发,相关要求将于2028年2月12日实施,生鲜供应商需在此前完成试用与测试。
罗姆的 SiC 功率半导体芯片已用于宝马“Neue Klasse”Gen 6 电动汽车平台的电驱动系统架构。相关组件支持关键电力电子功能,旨在提升能效并在严苛汽车工况下可靠运行,有助于优化续航里程、充电性能及整车能效。
9月15日,Resonac(力森诺科)宣布成功制造出300mm(12英寸)碳化硅单晶并加工成衬底。公司目前主要供应150mm(6英寸)碳化硅外延晶圆,200mm(8英寸)外延晶圆也已对外出货。300mm(12英寸)碳化硅衬底尚未进入大规模产业化阶段,距离稳定量产、客户送样验证还有较长周期,后续竞争将聚焦晶体良率与加工稳定性。
有机硅离型涂层通过调控剥离行为,支持 PSA 胶带和标签的洁净剥离、高速出标与稳定使用。离型性能不仅取决于表面能,还受有机硅网络的柔软性、变形能力及界面力学影响。调整聚合度、交联密度和离型控制添加剂(RCAs),可使离型力适配不同剥离速度及加工需求。
EPC 发布两份技术白皮书,分别探讨 AI 数据中心与高性能多轴电机驱动的 GaN 功率转换方案。数据中心方案中,EPC91123 转换器以 8mm 高度实现 98.2% 峰值效率;电机驱动方案采用 EPC231xx 集成式功率级,简化控制与布线。两份白皮书均提供中英文版本下载。
英国 Battalion Advanced Technology 与宾夕法尼亚州立大学签署总额最高 $6m 的两项研究协议,开发先进半导体平台及高温材料。协议于7月16日生效,为期三年,研究涵盖半导体与高性能衬底集成,以及耐极端高温、抗氧化合金。半导体项目将探索原子级薄中间层能否改善 GaN 与金刚石、氮化铝等材料的集成。
Eggtronic 推出面向高端笔记本等设备的 140W USB-C Power Delivery 参考设计,效率接近 96%。该平台结合 EPIC™ 控制器与瑞萨 TP70H150G4LSG GaN 器件,在 90VAC 输入下效率为 94.5%,物料成本维持传统 QR 反激转换器水平。参考板现已供应。