苏试试验华中总部基地主体结构在武汉封顶，进入冲刺投运阶段
9月28日，苏试试验华中总部基地在武汉经开区智能制造产业园完成主体结构封顶，进入冲刺投运阶段。基地集高端检测服务、核心设备研发、技术解决方案创新及区域运营管理于一体，将建设新能源汽车产品、船舶、宇航、电磁兼容及集成电路五大检测中心。升级后的检测能力将覆盖环境可靠性、全频段电磁兼容、电池安全、材料分析及集成电路失效分析，并可承接整车级、系统级大尺寸试样测试。
#半导体
#半导体
今日 0 条中国仪器仪表行业协会 行业资讯AI 摘要AI 评分5151 仪器信息网·标准AI 摘要AI 评分4444 2026年10月有644份标准将实施：质谱等仪器为标准护航
644份标准将于2026年10月实施，其中包括认证认可标准15份、农林牧渔食品标准295份。RB/T 266-2026涉及国产数字PCR仪验证评价，多项食品安全国家标准采用液相色谱-串联质谱法测定药物残留量。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 谁掌握碳化硅长晶炉核心技术？国内设备企业盘点
天科合达、晶升股份、优晶科技等国内企业持续推进碳化硅长晶炉及配套工艺研发，推动关键装备国产化。天科合达自主研发的第五代SiC单晶生长炉性能达到国外同类水平，成本仅为其1/4。优晶科技UKING ERH SiC RV4.0电阻法碳化硅长晶设备可用于6英寸、8英寸量产。
中国粉体网AI 摘要AI 评分5959 互创芯微5亿元静电卡盘总部项目签约落户无锡高新区
9月28日，互创芯微静电卡盘总部项目签约落户无锡高新区，计划总投资5亿元。项目将建设陶瓷烧结车间、精密加工车间、千级洁净间及研发实验室，形成研发、生产、销售一体化总部基地。项目达产后，预计年产2500颗12英寸静电卡盘、5000颗8英寸静电卡盘。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分6767 Wolfspeed 推出 Premium 200mm n型 SiC 衬底，现已可订购
Wolfspeed 宣布 Premium 200mm n型 SiC 衬底商业供货，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性改善良率。经行业标准方法的 X-ray 拓扑成像验证，该衬底微管密度低于每平方厘米 0.01 个，即每片晶圆少于 3 个微管，并具有较低的螺型穿透位错水平。公司称，更高的裸晶圆质量可在客户现有外延工艺内改善外延表现；产品现已可订购，并配有专用产能。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分4141 Fraunhofer IAF 开发用于数据中心、测量系统和传感器的宽带分布式放大器 MMIC
Fraunhofer IAF 开发出宽带分布式放大器 MMIC 芯片，适用于数据中心、测量系统和传感器。芯片采用栅长20nm的 InGaAs-on-Si HEMT 技术，在4–420GHz频段实现11 ± 2dB增益，饱和输出功率为6dBm至8dBm。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4242 芯联集成前三季度预盈6.81亿元：公司盈利持续加速
芯联集成预计2026年前三季度归母净利润约6.81亿元，同比增长约11.44亿元，盈利逐季加速。同期预计营业收入约77.66亿元，同比增长约43.23%；第三季度单季净利润超过上半年两个季度之和。销售放量带来的规模效应、成本管控、工厂运营效率优化及产品结构升级共同支撑盈利改善。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分7575 五项第三代半导体相关团体标准发布
9月28日，第三代半导体相关CASAS团体标准发布，涉及器件测试、晶锭激光剥离设备及材料表征。正文列出T/CASAS 038—2026的SiC MOSFET非钳位电感开关（UIS）测试方法。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分6464 Riber上半年营收同比增长19%至€12.7m，恢复盈利
法国MBE设备制造商Riber的2026年上半年营收同比增长19%至€12.7m，净利润由上年同期亏损€0.8m转为盈利€0.2m。服务与配件收入增长71%至€5.1m，系统收入为€7.7m、基本持平，毛利率由36.2%升至39.8%。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3030 Wise Integration 数字控制技术将与纳微半导体宽禁带技术结合
Wise Integration 与纳微半导体达成合作，将结合分布式数字控制与 GaN、SiC 技术，推进 AI 数据中心电源及高性能计算供电应用。双方将重点关注 AI 数据中心电源单元，探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5454 阿基米德半导体金刚石集成碳化硅功率模块实现首批样品交付
阿基米德半导体于2026年8月交付首批“Diamond Inside”碳化硅功率模块正式样品订单，客户为国内一家电动飞行器企业，产品将装机进入其动力系统。模块采用DCM封装，将金刚石复合材料作为底板嵌入封装结构，而非外部贴附热沉片。材料称，该方案可使散热由传统Pinfin水冷改为平板风冷，减少冷却附件及底板重量，并通过与SiC芯片更匹配的热膨胀系数降低热应力与界面疲劳风险。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4141 元旭半导体Micro-LED光互联芯片实测-3dB带宽达3.5GHz
元旭半导体联合清华大学、星火辰光研发的Micro-LED光互联芯片样品，在所采用的测试条件下实测-3dB带宽达到3.5GHz。下一阶段，元旭半导体将围绕器件一致性、阵列集成与封装互连继续研发，并联合合作伙伴推进驱动、接收及光学耦合适配，通过链路测试验证通信能力。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4949 晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片通过AEC-Q102车规认证
晶合光电“画芯一号”Micro-LED数字光源芯片近期在美国倍科实验室（BACL）见证下，通过AEC-Q102车规可靠性认证。公司首个定点整车项目已启动，采用自主设计的Micro-LED光源板，正与合作伙伴推进全链条开发、产品验证与产线筹备。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3232 亿铸科技亮相2026全球AI芯片峰会，系统阐释通用存算一体三大定律
亿铸科技创始人熊大鹏亮相2026全球AI芯片峰会，从数据搬运、软件生态和异构协同三个维度阐释通用存算一体三大定律。公司基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片已流片，完成从理论架构到芯片硬件的全链路验证。其方案在大模型推理场景、同等业务规模下，推理算力综合TCO最高可下降约88%。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5050 中科大孙海定团队AFM：面向高速日盲光通信的微尺度发光与探测二极管几何工程
中国科学技术大学孙海定团队提出沟槽深宽比重构策略，在固定有源面积下提升AlGaN深紫外微二极管的发光、探测与通信性能。NT-diode在50 mA时光输出功率提升约16%，探测响应度提升约17.3%。其数据率达2.688 Gbps，源于接收信号质量改善而非本征调制带宽增加，并完成双向自由空间V2V概念验证。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3030 彭寿院士：夯实电子信息材料根基，赋能电子信息产业高质量发展
彭寿院士提出，应优先夯实电子信息材料基础能力，以材料创新牵引产业升级，保障产业链供应链安全。“十五五”阶段需从单点技术突破转向全链条体系化能力建设，构建研发、中试、量产与应用反馈闭环。重点加强半导体、新型显示及封装材料攻关，建设中试与应用验证平台，推动上下游协同验证。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2929 【详细日程】APWS 2026｜第十二届亚太宽禁带半导体国际会议将于10月11-15日在西安召开
第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）将于10月11日-15日在西安曲江国际饭店召开，完整日程已更新发布。会议由西安电子科技大学主办，将带来超200场主题报告，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体展开交流。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2828 Wise Integration 与纳微半导体拟开展合作
Wise Integration 与纳微半导体拟结合数字控制与 GaN、SiC 技术，合作面向 AI 数据中心 PSU 及计算设备的电源应用。双方将重点结合分布式数字控制与宽禁带技术，并探索更多电能转换拓扑，以满足从电网到芯片的高电压、高功率和高效率应用需求。
国家标准委 国家标准公告AI 摘要AI 评分3636 国家标准委批准发布 GB/T 223.3-2026 等466项推荐性国家标准
国家标准委批准发布《钢铁及合金 磷含量的测定 分光光度法、滴定法和重量法》（GB/T 223.3-2026）等466项推荐性国家标准和4项推荐性国家标准修改单。新标准涵盖半导体分立器件、多层瓷介固定电容器、电火花成形机床等领域，多数于2027-01-01或2027-04-01实施。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3636 InP：光子学领域的关键半导体
IDTechEx报告指出，InP是支撑AI发展的PIC光收发器的关键材料，硅光子技术普及将改变而非取代对InP组件的需求。报告预测，数据通信及量子技术光收发器的PIC与硅光子市场到2036年将达$50 billion。高质量InP衬底供应正成为AI硬件部署的瓶颈，部分厂商正向6-inch晶圆迁移。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分6767 直得、高明铁等CPO设备与零部件供应商启动扩产
多家CPO设备与上游零部件供应商因高精度运动平台及自动化光耦合设备需求增长启动扩产，部分订单能见度达明年第二季度。直得预计今年第四季度开出新产能、明年持续放量；高明铁已获800G及1.6T光模组耦光对位模组订单，并取得台中一家光学暨医疗厂约60%股权，未来设立生产组装线后预估产能可扩增一倍以上，其东莞子公司扩产预计明年中以后放量。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分5252 英伟达评估玻璃基板方案，与SCHMID等企业合作，最快有望2028年前落地
英伟达正在评估玻璃基板方案，并与德国设备商SCHMID等企业合作，相关方案最快有望于2028年前落地。英伟达希望韩国、日本基板厂商在两年内完成开发，用于下一代高性能AI加速芯片封装，提升集成度并承载更多高带宽内存。SCHMID披露正与英伟达、英特尔、AMD供应链内核心供应商共同开发玻璃基板制造设备，但TGV金属化仍有技术难点，相关产品客户认证尚未完成。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分7474 高塔半导体拟投资约40亿美元扩产日本，打造AI光通讯芯片基地
高塔半导体计划投资约40亿美元，分两阶段扩充日本硅光子、硅锗与先进封装产能，以回应AI基础设施需求。第一阶段将新潟县荒井Fab 6改为300mm硅光子与先进光学封装厂，并提升富山县鱼津Fab 7的SiGe与SiPho产能，预计2027年第四季具备全面量产准备；第二阶段将在Fab 7旁新建300mm晶圆厂，扩大SiGe EIC与SiPho PIC产能，为后续导入CPO铺路。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分4848 东芝推出3300V SiC MOSFET模块
东芝推出IX800FXF2YMS4双SiC MOSFET模块，额定电压3300V、额定电流800A，面向铁路车辆及可再生能源发电等工业设备。该模块采用第三代SiC MOSFET芯片和iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
粉体圈AI 摘要AI 评分6262 先进封装为何需要负膨胀（NTE）抗翘曲填料：材料路线与产业化进展浅析
先进封装用负膨胀（NTE）填料通过升温收缩抵消树脂热膨胀，为兼顾抗翘曲与高导热提供配方思路，但也带来工艺适配挑战。二氧化硅高填充会挤占高导热填料空间并增加黏度，文章对比了钨酸锆、钒酸铜、BNFO及三菱化学M-Filleris™的性能与应用限制。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分5959 玄测ZF101如何整合四道工序，缓解NAND批量测试瓶颈
深圳市正系信息技术有限公司出品的玄测ZF101 FLASH自动化测试设备，将开卡、快速RDT测试、十级分Bin和下料整合至同一设备。设备基于联芸MAP1602主方案，配置64个独立测试通道，单次最多测试64颗132球NAND FLASH，最高支持2400 MT/s I/O速率。软件统一管理测试数据、分级结果与报表，可输出颗粒、单Die和单Plane三级FBB数据，用于来料检验、量产分选及工程验证。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分6161 京东方未来五年研发投入将超800亿元，未来一年内完成两条玻璃基量产线投资决策
京东方宣布未来五年研发投入将超过800亿元，并将在未来一年内完成玻璃基钙钛矿器件、玻璃基封装载板两条量产线的投资决策。玻璃基钙钛矿器件项目已建成中试线并实现多场景送样出货，玻璃基封装载板产线已完成工艺通线，大尺寸高层数样品已交付客户开展联合验证。公司未来五年面向上下游产业链的采购支出将超8000亿元，并将持续布局光互连、Micro LED、钙钛矿光伏和玻璃基封装等业务。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分6565 Riber 2026年上半年营收与毛利率增长，获€6m融资推进ROSIE II工业化
MBE设备商Riber 2026年上半年营收为€12.7m，同比增长19 percent，毛利率由36.2 percent升至39.8 percent，净利润由亏损转为€0.2m。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4444 东芝推出3300V SiC MOSFET模组
东芝推出面向工业设备的双SiC MOSFET模组IX800FXF2YMS4，额定漏源电压为3300V、额定漏极电流（DC）为800A。该模组采用东芝第三代SiC MOSFET芯片及iXPLV封装，通过银烧结键合技术提升芯片键合部位的耐热性与可靠性，额定沟道温度达175°C。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分3535 晶丰明源出资不超5000万元，参与粤芯半导体IPO战略配售
晶丰明源以自有资金参与粤芯半导体IPO战略配售，最终获配416.32万股，获配金额约4999.9996万元。本次发行价格为12.01元/股，获配股份自粤芯半导体上市之日起限售24个月。晶丰明源长期向粤芯半导体采购晶圆代工产能，此次投资旨在深化双方产业链战略合作。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分6767 芯联先进注册资本达84.83亿元，推进12英寸车规级数模混合芯片项目
芯联先进各方出资认购已全部完成，合计注册资本达84.83亿元，作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造四期项目的实施主体。芯联集成9月21日公告披露，已累计完成21.29亿元注册资本实缴；四期项目总投资约200亿元，拟建设5万片/月的12英寸数模混合芯片产线。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4040 PicoJool融资$27.5m，扩展美国和台湾业务
PicoJool完成$27.5m A轮融资，将扩充美国和台湾的团队及设施，加速VCSEL与光互连产品商业化。本轮由Socratic Partners领投，累计融资达$39.5m。公司已启动芯片级VCSEL早期送样，并与WIN Semiconductor等GaAs代工厂合作，为200G VCSEL量产做准备。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2929 Sivers Semiconductors 调整领导团队
Sivers Semiconductors 调整无线与光子业务领导团队，以推动下一阶段的商业增长。Marc Pegulu 将于2026年9月28日出任无线业务董事总经理，David Clark 将于2026年10月31日出任光子业务工程副总裁。现任无线业务董事总经理 Harish Krishnaswamy 将转任首席战略官。
粉体圈AI 摘要AI 评分5353 博亿工业MLCC、CMP电子材料解决方案解读：纳米研磨与整线交付
博亿工业面向MLCC钛酸钡和半导体CMP磨料，提供按材料体系配置的纳米研磨设备及从实验验证、中试放大到自动化量产的整线EPC服务。单动力立式砂磨机采用无筛网离心分离，5L机型适配0.03—0.8mm研磨介质；LMM面向低黏度超精细研磨与分散，可使用0.03mm介质，NMM则以TurboMax涡轮结构面向高黏度物料连续处理。
粉体圈AI 摘要AI 评分6161 GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》将于2026-10-01实施
GB/T 47404-2026《碳化硅 单晶》于2026-03-01发布，将于2026-10-01实施。该标准由北京天科合达半导体股份有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司等单位起草，归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会及其材料分技术委员会。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3939 Fraunhofer IAF 团队开发 InGaAs-on-Si 宽带放大器
Fraunhofer IAF 开发了 InGaAs-on-Si 宽带分布式放大器芯片，在 4 至 420 GHz 频段实现 11 ± 2 dB 增益。芯片采用栅长为 20 nm 的 HEMT 技术，饱和输出功率为 6 至 8 dBm，适用于数据中心、测量系统和传感器。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分6767 苏黎世联邦理工学院开发发光光刻胶，使微小OLED像素可用光刻工艺制造
苏黎世联邦理工学院研究人员开发出可直接光刻的多色发光聚合物，兼具光刻胶功能与耐化学处理能力，成果发表于Nature。材料采用核壳式分子设计，将发光核心与外围UV交联基团隔开，并制成尺寸为300 by 430 µms、包含250 by 350像素的静态荧光图像，该图像尚非电驱动显示屏。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4444 Coherent 推出面向下一代数据中心的 PhotonLink 平台
Coherent 推出面向下一代 AI 数据中心的集成光学平台 PhotonLink，整合光子技术、组装与测试能力，提供完整光学解决方案。平台支持共封装光学（CPO）、近封装光学（NPO）及新兴芯片间互连。平台收入预计于 CY2026 的 Q4 开始爬坡，公司正扩充 InP 和特种光纤产能。
中国储能网·产业资讯AI 摘要AI 评分5151 厦门供电公司深化“园网共建”，为火炬高新区提供稳电、接电及绿电服务
厦门供电公司通过电能质量治理、移动变电站过渡供电和一站式绿电服务，支持火炬高新区企业生产与项目建设。为联芯集成定制的三级防护体系，使核心生产线在电压暂降58.16%、持续0.27秒的情况下用电未受影响。面向宁德时代厦门高性能锂电池基地，110千伏移动变电站的4台主变自5月以来相继送电，较常规建设时间提前10个月，供电容量达20万千伏安。
粉体圈AI 摘要AI 评分6060 Noritake推出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia，解析LHA研磨技术
9月2日，Noritake宣布开发出钻石磨粒内包型研磨垫LumiDia，适用于SiC等半导体硬脆晶圆材料的研磨，可用于SiC晶圆端面加工。其LHA技术将金刚石磨粒以半固定状态内置于网状树脂结构中，使磨粒在研磨时滚动并多次接触工件。该研磨垫仅需通水即可研磨，无需额外添加含磨料的浆料，有助于减少工业废弃物。