富士胶片与塔塔电子签署MOU,印度半导体朋友圈再扩容
近日,富士胶片与塔塔电子签署MOU,旨在加速印度半导体材料生态系统发展。富士胶片计划投资约800亿印度卢比,分阶段在古吉拉特邦多莱拉特别投资区建设半导体材料工厂,保障塔塔电子在建晶圆厂的材料供应与运输。双方合作还将为印度化工制造商提供技术、质量保证和制造工艺方面的专业知识,促进高纯度化学品生产。
近日,富士胶片与塔塔电子签署MOU,旨在加速印度半导体材料生态系统发展。富士胶片计划投资约800亿印度卢比,分阶段在古吉拉特邦多莱拉特别投资区建设半导体材料工厂,保障塔塔电子在建晶圆厂的材料供应与运输。双方合作还将为印度化工制造商提供技术、质量保证和制造工艺方面的专业知识,促进高纯度化学品生产。
SEMI 加入欧盟 ReSiLient 项目联盟,助力降低欧洲对进口 SiC 和硅原材料的关键依赖,增强半导体供应链韧性。项目获欧盟共同资助,预算为 €9.57 million,将开发基于本土矿源和工业副产物及废物流的生产路线。SEMI Europe 将牵头社会接受度、成果传播、沟通与标准化工作。
9月19日,礼鼎半导体第二园区先进IC载板数智化制造基地在深圳宝安区落地,计划总投资不低于120亿元。项目规划占地面积约15.72公顷,将分两期建设数座现代化工厂,重点布局FCBGA等IC载板产品,面向人工智能、高性能计算及网络通信领域。这是近2个月以来宝安区落地的第二个百亿级PCB项目,此前鹏鼎控股已公告拟投资100亿元建设第三园区人工智能高阶类载板及柔性电路板智造基地。
苏州长湖纳米科技有限公司技术总监冯朝阳博士将于9月21-22日在苏州纳米金属论坛分享纳米铜在印刷电子及集成电路上的应用探索报告。报告涵盖抗氧化纳米铜粉批量制备、低温烧结浆料配方优化,以及面向FPC柔性集成电路印刷和先进芯片封装的工艺适配。
GB/T 47082-2026《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》于2026-01-28发布,2026-08-01实施。该标准由山东天岳先进科技股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司等单位起草,归口单位为全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及其材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)。
南威尔士化合物半导体集群 CSconnected 于9月10日举行活动,庆祝已于5月结束的 Strength in Places Fund 项目成果。项目影响报告显示,直接就业增长36%至1914个岗位,年销售额增至£531m。集群目标是到2030年将营收增至£1bn,并在当地提供6000个岗位。
NewPhotonics与Tower Semiconductor宣布,面向AI横向扩展和纵向扩展互连的激光器集成可维护光引擎PIC已开始大批量出货。已出货的NPG102支持800G和1.6T,采用每通道200G设计,并依托PH18DA硅光平台异质集成InP器件,在单个PIC上集成激光器、半导体光放大器、调制器和光探测器。
Tower Semiconductor 在 ECOC 2026 展示面向大批量生产的高性能硅光子平台及 SiGe BiCMOS 解决方案。其硅光子平台广泛用于数据中心和电信光收发器等应用。SiGe BiCMOS 与 SiPho 平台互补,满足下一代 AI 基础设施对更高带宽、更低延迟和更低功耗的需求。
安森美发布 Embedded Power Platform(EPP),以硅晶圆本身作为封装基础,在晶圆级架构中集成硅、SiC 与 GaN 技术。平台利用其标准12英寸硅晶圆制造能力协同优化电气、热与机械设计,公司称可依应用实现3–5x功率密度,早期固态断路器设计较现有设计尺寸约缩小50%、温度约降低20%,电动车牵引逆变器应用功率密度最高提升至4x、功率损耗降低15%。
韩媒9月16日报道,半导体制造设备关键零部件交期已延长一倍以上,部分日本采购零部件交期可能长达40个月。一家沉积设备企业称,交期由4个月延长至10个月,供应商产能有限,即使支付溢价也难以加快交付。AI芯片需求增长与上游扩产意愿不足形成供需错配,加上核心零部件供应来源单一,可能拖慢三星等企业扩产,并推动韩国晶圆厂和设备厂商加速导入本土零部件。
Avicena 将在 ECOC 2026 演示其宣称的业界首个带连接器的 micro-LED 光互连 LightBundle eKit。该实现结合无激光 micro-LED 收发技术与可拆卸光接口,采用 MPO 外形规格及针对多芯光纤束优化的插芯。可拆卸接口可简化系统装配,支持电子与光学子系统独立测试及现场维护。
罗姆的 SiC 功率半导体芯片已用于宝马“Neue Klasse”Gen 6 电动汽车平台的电驱动系统架构。相关组件支持关键电力电子功能,旨在提升能效并在严苛汽车工况下可靠运行,有助于优化续航里程、充电性能及整车能效。
艾邦半导体将于2027年3月18-19日在江苏·苏州举办第五届玻璃基板TGV暨先进封装产业链高峰论坛。论坛拟围绕TGV成型、通孔金属化、良率提升、检测与量测及先进封装应用等议题,汇聚材料、设备、制造、封装和应用环节代表,探讨技术进展与产业链协同路径。
艾邦半导体将于2027年3月18–19日在江苏苏州举办第5届玻璃基板TGV与先进封装产业链高峰论坛。论坛将汇聚材料、设备、制造、封装及终端应用领域专家和企业代表,围绕TGV技术进展、工艺难点、市场趋势与产业链协作展开交流。
9月16日,浙江德汇电子陶瓷有限公司年产1200万片功率半导体用高性能陶瓷覆铜板项目在嘉兴南湖高新区开工。项目总投资10.1亿元,占地48亩,规划建设集研发中心、智能制造产线、检测试验设施于一体的数字化半导体材料生产基地,建成后预计年产值超12亿元。公司负责人表示,新工厂将在绿色化、数字化、智能化方面升级,目标是较原有基地生产效率提升30%至50%。
Lumentum 公布了专家演讲阵容,将参加9月20–24日在西班牙马拉加举行的 ECOC 2026。议题涵盖面向 AI 系统互连的激光创新、800G 和 1.6T 硅光发射器规模化,以及1060nm VCSEL 阵列的性能、可靠性与可制造性。公司还将在9月21–23日的展会上亮相,展位号为 #2050。
近日,市场监管总局(国家标准委)批准发布5项类脑计算和光电计算领域国家标准化指导性技术文件。类脑计算领域包括《类脑计算 参考架构》《类脑计算 神经拟态芯片计算能力测试方法》《类脑计算 动态视觉传感器测试方法》,分别提供架构参考、芯片计算能力测评规范及传感器测试指标与流程。
SEMI 中国总裁冯莉在 IC WORLD 大会上指出,AI 正推动全球半导体产业进入新增长周期。她援引 WSTS 数据预测,2026 年全球半导体市场规模将超过 1.6 万亿美元,年增长率 108%。AI 算力、存储革命和技术驱动产业升级构成三大趋势,先进制程与先进封装共同推动性能与成本优化。
ClassOne Technology宣布,两家光子器件制造商追加订购多台Solstice S8单晶圆湿法处理系统,用于InP晶圆大批量镀金。设备配置GoldPro电镀腔室,处理4英寸和6英寸InP晶圆,面向AI数据中心及其他高带宽通信应用的光学器件制造。客户预计随InP收发器产能扩张继续部署更多系统,同一平台还可增加金属剥离、湿法刻蚀等工艺。
9月15日,Resonac(力森诺科)宣布成功制造出300mm(12英寸)碳化硅单晶并加工成衬底。公司目前主要供应150mm(6英寸)碳化硅外延晶圆,200mm(8英寸)外延晶圆也已对外出货。300mm(12英寸)碳化硅衬底尚未进入大规模产业化阶段,距离稳定量产、客户送样验证还有较长周期,后续竞争将聚焦晶体良率与加工稳定性。
住友化学子公司 SCAT 与 Aeluma 签署协议,将为其提供面向 AI 数据通信市场的光子外延晶圆。合作初期将利用 SCAT 现有 MOCVD 产能,加快研发与生产,并为未来扩产提供路径。Aeluma 的异质集成技术采用 150mm GaAs 和 200-300mm 硅等非 InP 衬底,应对 InP 衬底供应紧张。
Altum RF将于10月6–8日在伦敦EuMW 2026展会展示射频、微波及毫米波半导体产品与技术专长,展位为#L80。重点展品包括E-band功率放大器和低噪声放大器,其中ARF1018频段为71–79GHz、饱和输出功率为1.8W;E-band功率放大器集成片上功率检测器。
EPC 发布两份技术白皮书,分别探讨 AI 数据中心与高性能多轴电机驱动的 GaN 功率转换方案。数据中心方案中,EPC91123 转换器以 8mm 高度实现 98.2% 峰值效率;电机驱动方案采用 EPC231xx 集成式功率级,简化控制与布线。两份白皮书均提供中英文版本下载。
英国 Battalion Advanced Technology 与宾夕法尼亚州立大学签署总额最高 $6m 的两项研究协议,开发先进半导体平台及高温材料。协议于7月16日生效,为期三年,研究涵盖半导体与高性能衬底集成,以及耐极端高温、抗氧化合金。半导体项目将探索原子级薄中间层能否改善 GaN 与金刚石、氮化铝等材料的集成。
Eggtronic 推出面向高端笔记本等设备的 140W USB-C Power Delivery 参考设计,效率接近 96%。该平台结合 EPIC™ 控制器与瑞萨 TP70H150G4LSG GaN 器件,在 90VAC 输入下效率为 94.5%,物料成本维持传统 QR 反激转换器水平。参考板现已供应。
SEMI 加入 ReSiLient 项目联盟,旨在加强欧洲硅与 SiC 原材料价值链韧性,降低进口依赖。项目于2026年启动,为期48个月,金额€9.57m,由欧盟共同资助,将验证本土矿源及工业废料利用路线。SEMI Europe 将牵头 WP8,负责社会接受度、传播、沟通及标准化工作。
大连富乐德7nm及以下高制程精密洗净专线近日在大连普洛斯智造产业园竣工投产,项目总投资约1.4亿元。项目实用面积11160平方米,聚焦半导体痕量金属污染清洗与精密检测,面向ALD、PVD、CVD等薄膜沉积核心设备的金属、陶瓷、石英零部件提供洗净与再生服务。该专线主要服务SK 海力士、北方华创等企业,旨在补齐华北、东北区域高制程设备零部件再生配套短板。
CVD Equipment宣布重组,其CVD设备业务将不再争取新系统订单,转向备件、石英与服务业务。公司将进一步裁减约一半员工,保留完成剩余设备订单、履行保修义务及支持持续业务所需人员,预计本季度确认$0.8-1m重组费用。
Besxar 于 5 July 搭乘 SpaceX Falcon 9 完成 Flight-1“Mission Asimov”,两个 Clipper-class 容器完整回收。飞行后测试显示容器表现符合预期,晶圆样品初步分析未见损伤。第二个容器记录飞行数据时出现异常,公司正开展审查,计划在下次飞行前完成处理。
Ayar Labs新增融资$150m,使2026年融资总额达到$650m,支持面向AI跨机架扩展的CPO向大批量制造过渡。资金将用于产品开发、验证、制造生态扩展及开设班加罗尔设计中心。公司另披露,纬颖今年早些时候进行了战略投资。
英飞凌与 SolarEdge 将合作扩展至固态断路器(SSCB)技术,为 800VDC AI 数据中心高压直流配电提供保护。SolarEdge 主导方案设计,英飞凌提供作为保护器件核心的 SiC JFET 技术。该断路器设计用于在几微秒内切断故障,补足固态变压器与计算机架之间配电层的保护环节。
皮秒超声量测平台通过同步采集厚度与反射率数据,为 BCD 器件的 SiCr 薄膜沉积提供厚度之外的工艺监控信息。两种 N₂ 流量条件的晶圆演示显示,较高流量下薄膜更薄、反射率更高,后者与更平滑、致密的表面相符。反射率可作为表面形貌与粗糙度的定性指标,无需额外量测步骤即可辅助识别气流相关沉积变化及潜在工艺异常。
韩国DB HiTek已完成8英寸(200mm)晶圆1200V SiC MOSFET工艺可靠性验证,计划为2027年量产加快准备。已通过验证的第二代工艺在18V导通栅极电压下,比导通电阻不高于2.5mΩ•cm²、阈值电压不低于3V;第三代工艺仍在验证,目标是在相同栅极电压下实现不高于2.3mΩ•cm²的比导通电阻及至少2.5μs的SCWT,相关PDK计划于11月推出。
天准科技针对半导体光学镜头精密部件的深腔结构及≤0.005 mm同轴度要求,提供以 CMZ 系列计量型三坐标测量机为核心的检测方案。方案搭配 HSP 系列固定扫描测头与 Vispec Cube 三维测量软件,扫描速率最高可达 1000 points/s,最大支持 800 mm 测针长度,并通过加长测针刚度补偿修正形变误差。
推荐理由:针对深腔零件的微米级同轴度检测,完整长圆柱拟合、同套测针和增大基准测量跨度提供了减少测量波动的可迁移方法。
天准科技采用VMG龙门型大行程影像仪与Vispec测量软件,以圆弧飞拍连续采集喷淋盘微孔图像,称实际应用中检测效率较传统方案提升10.2倍。方案配置13.3:1自动变倍镜头,最大放大倍率达337倍,可批量测量微孔直径、位置度及坐标等参数。软件支持导入DXF图纸并自动对位校准,减少人工找正和逐孔编程,测量后自动输出标准化检测数据及报表。
推荐理由:将逐孔停顿成像改为沿圆弧连续采集的方案,为高密度微孔工件减少重复启停与定位耗时提供了可参考的量测方法。
外延片和衬底制造商IQE 2026年上半年营收达£64.6m,同比增长43%,高于预期,增长由AI数据中心基础设施、先进传感、无线及国防需求支撑。无线业务营收增长40%至£26m,光子业务增长45%至£38.5m;产品组合及产能利用率改善推动毛利率提升,调整后EBITDA由上年同期的–£0.4m增至£6m。
艾邦智造携手佳利电子将于2026年12月24日在浙江嘉兴举办第五届陶瓷封装(HTCC/LTCC/DPC)产业论坛。论坛聚焦陶瓷封装新材料、新技术与新应用,拟定议题涵盖光模块用陶瓷封装外壳与基板、HTCC半导体封装应用及LTCC封装技术等。
韩国IVWorks正基于自研DOMM平台升级GaN外延生产系统,从遵循固定流程的自动化向AI判断状态并决定后续动作的自主工艺转型。DOMM已应用于全部量产产线,AI模型分析RHEED及设备数据以判断生长状态与异常,MRA负责从晶圆装载、生长到卸载的工艺执行。
天准科技“工业视觉检测大模型与数据治理智能体应用”项目荣获2026年“数据要素×”大赛江苏分赛二等奖。项目构建覆盖半导体、算力设施、智能终端等领域的高质量数据集,建立工业质检缺陷多维度描述标准,并以垂域大模型为核心打造数据治理智能体,提升数据规范性、复用效率与治理效率。
Modelithics 发布 Qorvo GaN Library v26.5.11,新增 QPD2562L 非线性模型。该型号为 200W GaN 晶体管,模型经 2.5GHz 至 3.5GHz 多频点负载牵引测量验证。库内所有 GaN 模型新增对 Keysight ADS 2027 的兼容支持。