苏科斯完成 4000 万元 A 轮融资，加码半导体湿制程设备国产替代
半导体湿制程设备供应商苏科斯近日完成 4000 万元 A 轮融资，由昆山高新创投、浦东科投、南京河西国资联合投资。公司核心产品包括晶圆电镀设备和 TGV 电镀设备，覆盖 RDL、TSV、TGV 电镀及清洗、蚀刻等湿法装备。本轮资金将用于产品迭代、产能扩充与市场拓展。
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今日 0 条第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3636 Charged EVsAI 摘要AI 评分1414 Microchip 推出 LAN8679 和 LAN8680 收发器，将 10BASE-T1S 扩展至区域架构边缘节点
Microchip 推出 LAN8679、LAN8680 两款 PMD 收发器及 LAN8660X/1X/2X 端点系列，将 10BASE-T1S 单对以太网扩展至区域架构边缘节点。器件符合 AEC-Q100 和 ISO 26262 标准，工作温度 -40°C 至 125°C。在多点拓扑中多个节点共享单条总线，可减少线束重量并省去网关，目前处于限量送样阶段。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4242 浙大团队《PRL》揭示空穴掺杂调控硅压力诱导相变新机制
浙江大学团队在《PRL》发表研究，首次实验证实高浓度空穴掺杂是硅压力诱导相变路径的关键调控因素。微米压痕结合微拉曼光谱测试显示，重硼掺杂硅非晶化概率约60%，轻硼掺杂仅约20%；B/P共掺补偿空穴后降至约33%和30%。该成果为晶圆切片、研磨、抛光等高压接触加载工业过程的加工损伤调控提供了新思路。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4747 费勉科技启动 IPO 辅导，国产 MBE 设备企业冲刺资本市场
费勉科技近日正式启动 IPO 辅导，辅导机构为华泰联合证券。公司自研晶圆级 MBE 系统已批量交付国内头部半导体企业，应用于 5G 通讯、红外探测等领域，累计专利超 200 项。2026 年 5 月公司完成数亿元 C 轮融资，投资方包含华为哈勃、深创投等。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 华为发布 Mate90 系列及基于韬定律的新一代麒麟芯片
华为于10月1日发布Mate90系列四款机型，全系搭载基于韬定律打造的新一代麒麟芯片。旗舰款麒麟9050 Pro晶体管密度达2.38亿每平方毫米，较上代提升28%，整机性能提升31%，是首款完整落地逻辑折叠核心技术的芯片。华为依托韬定律已完成381款芯片设计与量产。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3636 时代电气SiC产线稳步爬坡，预计2027年中期达成首阶段设计产能
时代电气SiC功率半导体产线持续爬坡，现有工艺能力可支撑第五代SiC器件技术迭代，预计2027年中期实现第一阶段设计产能。公司坚持IDM全产业链模式，将功率半导体业务定位为新兴装备业务核心板块。此外，公司中标墨西哥帕丘卡15列车ETCS车载项目，订单金额6155万元。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2525 峰岹科技拟斥资约8.04亿元跨境收购荷兰 Sciosense
峰岹科技拟通过全资香港子公司以现金收购荷兰 Sciosense B.V.100%股权并受让相关股东贷款债权，交易对价合计约8.04亿元。Sciosense 为 Fabless 传感芯片设计企业，产品应用于汽车电子、工业控制等领域。本次交易尚需股东大会审议及多项境内外审批程序。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1818 Filtronic 获 SpaceX 6810 万美元 Cerus E-band GaN 固态功率放大器追加订单
Filtronic 获得 SpaceX 价值 $68.1m 的追加订单，用于供应 Cerus E-band GaN 固态功率放大器（SSPA）。这是该公司从 SpaceX 收到的最大订单，继 2025 年 8 月宣布的 $62.5m 订单之后签订。新订单预计在 fiscal year 2028 期间实质性交付。
电池网AI 摘要AI 评分3636 比亚迪：在智能化下半场，半导体和软件甚至比电池更为重要
比亚迪在9月29日股东会上表示，在智能化下半场，半导体和软件甚至比电池更为重要，公司不会只做组装厂。品牌布局上，仰望、腾势、方程豹、王朝海洋分别定位最高端、豪华、个性与大众类，新上市的方程S预计月销破1万甚至1.5万。海外方面，巴西工厂今年产出约25万辆，匈牙利工厂马上开始正式生产。
电池网AI 摘要AI 评分6262 先导科技集团投资120亿元武汉光电芯片基地通线
9月28日，先导科技集团旗下先导芯光晶圆厂在湖北武汉东湖综保区通线，标志着总投资120亿元的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地由建设期转入工艺认证与产品导入阶段。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分7373 Micro-Epsilon 推出高精度色散共焦三维传感器 confocalLINE CLI8500
Micro-Epsilon 推出色散共焦线传感器 confocalLINE CLI8500，每条轮廓含 2,624 个测量点，Z 向分辨率为 0.2 µm。该传感器量程为 7 mm，在整个可用量程内测量频率最高达 2 kHz，沿线方向倾角最高可达 ±80°，适用于哑光、高反射及透明表面的测量。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分5757 康耐视推出 AI 晶圆与面板识别系统 In-Sight 1750 Series
康耐视推出 In-Sight 1750 Series 晶圆与面板识别系统，结合 AI、先进成像与专用照明，旨在改善追溯并减少生产中断。系统可读取多种退化标记及难处理衬底上的标识，以减少人工干预并维持产能。针对现有 In-Sight 1740 用户，系统支持任务转换和升级，并提供基于网页的配置体验及内置读取日志，辅助质量与过程控制；更多信息见 www.cognex.com。
Charged EVsAI 摘要AI 评分4242 微芯科技 PAC1761 和 PAC1861 电源监测器追踪 48 V 系统累计能耗
微芯科技推出面向 48 V 电源架构的 PAC1761 和 PAC1861 数字电源监测器，可测量瞬时电压、电流并累计能耗。两系列分别采用 12-bit 和 16-bit 分辨率，支持最高 65 V 总线电压及 75 V 尖峰保护，功率测量精度为 1%。产品已通过微芯科技及其分销商供货。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分3333 芯片景气推高韩国税收，今年预计达478.6兆韩元创历史新高
韩国政府近日重估今年国家税收，预计达478.6兆韩元，较去年增加104.7兆韩元，创历史新高。半导体行业强劲复苏及上半年股市交投活跃推动税收上修，芯片产业营业利润较原先预估高出约70%至80%。按规划，超额税收将拨入明年设立的未来基金，用于支撑长期经济增长。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分4747 瑞萨发布面向兆瓦级 AI 数据中心的 650V GaN 器件，称其率先采用双面冷却 8mm x 8mm 封装
瑞萨推出面向 AI 数据中心的 650V GaN 器件 TP65H020G4PLSGBD，称其为业内首款双面冷却同类器件。该器件采用 8mm x 8mm PQFN 封装，导通电阻为 20mΩ，顶面热阻降低 10%，占板面积较 TOLT 封装缩小 57%。目前正向主要客户送样，计划于 2027 年中量产。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3434 Starlab 获 Elethron 有效载荷舱位预订
Starlab Space 获得 Elethron 的有效载荷舱位预订，为其 ĀTAR 平台在 Starlab 空间站演示和运行提供路径。该自主模块化晶体生长与材料加工平台将利用微重力环境开展半导体材料研发，并在为期六个月的试点中积累工艺数据与运行经验。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3030 Space Forge 微重力半导体制造方案获美国 DARPA ERIS Marketplace“可授标”资格
Space Forge 的微重力半导体制造方案通过美国 DARPA ERIS Marketplace 获得“可授标”资格。该方案提供在微重力环境中制造先进半导体材料的路径，重点面向超宽禁带半导体，有望支持 RF、功率电子及量子技术应用。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4040 Filtronics 获 SpaceX $68.1m 订单
英国射频与微波厂商 Filtronics 获 SpaceX $68.1m 追加订单，为其收到的最大一笔 SpaceX 订单。订单涉及 Cerus E-band GaN 固态功率放大器（SSPA），预计在 FY2028 完成主要交付，为未来收入提供更高可见性。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4242 利用 ZnO 量子点开展量子计算研究
日本东北大学联合日本物质材料研究机构及东京大学，在 ZnO 器件中演示了电荷传感、高频反射测量及少电子双量子点的形成。团队将传感量子点与 RF 谐振电路集成，加快电子电荷变化检测，为自旋量子比特研究提供测量平台。下一步将演示电子自旋读出与操控，并测量自旋弛豫和相干时间。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4444 可编程 GaN 芯片适应网络需求变化
Tyndall National Institute 参与的国际团队开发出可编程 GaN 芯片，可持续适应网络需求变化，待机功耗几乎为零。该芯片将多层六方氮化硼（hBN）忆阻开关直接集成到 GaN MMIC，配置保持无需持续供电。研究已在多个关键 RF 组件中完成演示，成果发表于《Nature》，面向未来 6G 通信。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2323 《Semiconductor Today》最新一期现已上线
《Semiconductor Today》最新一期今日出版并免费开放，涵盖上月化合物半导体及先进硅材料与器件的商业和技术进展。本期内容包括热稳定性更高的 InP 量子点近红外激光二极管、降低 micro-LED 侧壁影响、GaN HEMT 短路性能及功率 GaN 器件市场增长。
Charged EVsAI 摘要AI 评分3737 L&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2727 英伟达入局，3D DRAM存算一体迎来产业化拐点
英伟达9月10日宣布将d-Matrix下一代Raptor推理XPU接入其AI基础设施体系，该芯片采用3D DRAM堆叠架构。3D集成与存算一体结合，有望缩短数据传输距离并降低搬运开销。亿铸正推进3D DRAM与通用存算一体架构协同设计，探索面向云端AI推理的产品化路径。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分7676 星辰技术先进封装二期在光谷通线，报道指为国内首条3D先进封装量产线
9月30日，湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目在光谷正式通线，报道将其称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元，二期自2025年10月开工，历时11个月达成通线节点。二期补齐2.5D中试能力，使公司同时具备2.5D和3D先进封装技术；产线全面建成后，可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产，以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由：二期将芯片中试与风险量产、国产设备材料验证纳入同一平台，为理解先进封装产线如何衔接工艺开发与量产提供了具体案例。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2929 IFWS&SSLCHINA 2026将于11月苏州启幕，首批嘉宾名单出炉
IFWS&SSLCHINA 2026将于2026年11月16-19日在江苏苏州召开，首批嘉宾名单已公布。论坛设置1场主论坛、6大主题方向，议题覆盖碳化硅衬底与器件、氮化镓功率与射频、车规级器件可靠性验证及先进封装等，同期举办2026先进半导体技术应用创新展。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5252 芯无界将携电镜表征产品亮相西安 APWS 2026
芯无界表征科技（上海）有限公司将于2026年10月11日-15 日参加在西安举办的 APWS 2026，展位号为 A16。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5151 平湖实验室将携SiC与GaN展品参加西安APWS 2026
平湖实验室将参加2026年10月11日-15日在西安举办的APWS 2026，在A15展位展示SiC与GaN产品。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分5252 Leopard Imaging与Lumotive推出面向机器人和工业自动化的Sirius Max固态3D LiDAR
Leopard Imaging与Lumotive联合推出Sirius Max（LI-AR0234-AF0130-TX10-GMSL2-140H）固态3D LiDAR，面向机器人、工业自动化及边缘AI感知。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分6060 三安光电联合清华大学、厦门大学完成堆叠全彩Micro LED技术原理验证
三安光电联合清华大学、厦门大学历经两年攻关，完成4英寸晶圆堆叠式全彩Micro LED架构工艺的底层原理验证与技术可行性论证。团队依托MOCVD工艺、应力调控及新型隧道结结构，实现红、绿、蓝光半峰宽分别为42nm、27nm、17nm；材料称经检测，蓝光EQE达32%、绿光EQE达20%、红光EQE突破3%。成果处于前沿预研阶段，95%以上BT.2020广色域覆盖为后续技术迭代目标。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3434 科技部启动撤稿论文专项整治，零容忍打击买卖论文，筑牢科研诚信底线
科技部将牵头开展学术不端撤稿论文专项整治，严厉打击买卖论文等科研失信行为。整治将推动各主管部门建立撤稿论文常态化核查处置机制，查处论文售卖经营主体、网站及网店。科研诚信严重失信行为数据库已建立运行，可用于科技项目立项、院士增选、科技奖励评审等环节的诚信审核。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3939 集创北方联合微芯科技重塑车载矩阵灯光架构
集创北方与微芯科技联合推出基于10ba se-T1S技术的车载LED照明终端方案，实现终端节点无MCU化设计。方案结合ICND7301车规级LED驱动芯片与微芯科技端点芯片，通过RCP协议实现区域控制器对终端节点的直接控制。灯效逻辑集中部署于ZCU侧，OTA升级灯效无需改动终端节点配置。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分7272 先导芯光武汉晶圆厂通线，已承接海外400G光互连预研订单
9月28日，先导芯光武汉晶圆厂正式通线，基地转入工艺认证与产品导入阶段，产能尚未释放。该厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心，建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料平台。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分7373 总投资120亿元的先导芯光光电芯片基地在光谷通线
9月28日，先导芯光晶圆厂在东湖综保区通线，这座晶圆厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心。基地建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台，通线后由建设期转入工艺认证与产品导入阶段。研发批与工程批即日启动，200G光芯片代工导入先行，400G平台各项目同步进入流片与验证阶段，平台将以晶圆代工与联合研制两种方式向产业链开放。
推荐理由：通线后的工艺认证、产品导入与流片验证安排，提供了区分晶圆厂建设完成、工程批运行和后续量产进度的具体依据。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6464 Resonac成功开发300mm碳化硅衬底
Resonac（力森诺科）成功开发直径300mm（12寸）SiC衬底，相同制程下每片可取得的芯片数量为主流150mm（6寸）衬底的4倍。其商业化需要功率半导体制造商进行大规模设备投资，以及供应商建立稳定量产低缺陷衬底的生产体系。Resonac目前主要生产150mm衬底，现阶段将优先强化由150mm向200mm转移的生产能力，并按客户需求评估300mm产品的市场前景。
推荐理由：大尺寸衬底的芯片数量优势与商业化所需的设备投资、低缺陷量产条件形成对照，有助于区分开发成果与量产降本之间的距离。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3131 Space Forge获DARPA ERIS平台“可授标”资格
Space Forge的微重力半导体制造方案通过DARPA ERIS平台评估，获得“可授标”资格，为对接美国政府客户提供机会。该方案探索在微重力环境中制造先进半导体材料，重点面向超宽禁带半导体，潜在应用涵盖RF、功率电子及量子技术。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分6868 TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂开业，计划2026年12月开始生产
TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂于2026年9月29日举行开业典礼，计划2026年12月开始生产。该厂是TOPPAN首个FC-BGA基板海外生产基地，拥有约70,000平方米设施及200名以上工程师和技术人员，聚焦生成式AI、机器学习和大型网络交换机所需的大型高多层基板。
工业和信息化部 · 政策文件（通知）精选AI 摘要AI 评分6060 四部门开展2026年度集成电路企业增值税加计抵减政策清单制定工作
工信部等四部门明确，申请列入2026年度增值税加计抵减政策清单的集成电路企业须于2026年10月9日至10月16日申报。清单覆盖设计、生产、封测、装备、材料企业，申报系统为https://ic-tax.ccidthinktank.com/，已列入2025年清单的企业须重新提交相关材料。
推荐理由：已入上年清单的企业仍须重新申报，通知明确了申报窗口与优惠衔接时点，可为集成电路企业安排税务申报提供依据。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分6767 广州广芯半导体先进封装基板项目在中新广州知识城动工
9月29日，广州广芯半导体先进封装基板项目在中新广州知识城动工，目标产品为高阶FCBGA封装基板。项目首期占地面积312亩，总建筑面积约36万平方米，产品应用领域包括数据中心、高性能计算（HPC）和云计算。项目建成后，将进一步提升广州广芯在高阶封装基板领域的技术能力与产能规模。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4747 瑞萨推出采用双面冷却封装的650V GaN器件
瑞萨推出业内首款双面冷却650V GaN器件TP65H020G4PLSGBD，面向800V HVDC AI数据中心电源转换。该器件导通电阻为20 mΩ，采用8 x 8mm PQFN封装，顶部热阻降低10 percent，占板面积较TOLT封装缩小57 percent。目前已送样，计划于2027年中量产。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分7171 工研院验证基于玻璃载板的面板级中介层，面向2.5D先进IC封装
工研院在2025 IEEE第75届ECTC会议论文中，完成基于玻璃载板的RDL先制与芯片先制两种面板级中介层工艺验证。样件采用37 cm × 47 cm母板，最小线宽/线距达到3 μm/3 μm，通过平衡薄膜将翘曲控制在约0.1 mm，并结合AOI偏移数据与DDC™数字动态连接技术调整通孔和布线图形。