AVL 与 VisIC 将合作扩展至大功率 GaN 牵引逆变器技术
AVL 与 VisIC 将 VisIC 的 D3 GaN 功率模块技术集成进 AVL 车辆演示平台，用于在真实电驱动系统中评估大功率 GaN 牵引逆变器，项目还整合了 NXP 半导体技术。
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今日 0 条Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3838 Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 Tower与Semtech扩大SiGe合作，为数据中心扩展高能效模拟互连
Tower Semiconductor与Semtech扩大20年合作，Semtech将投资锁定Tower专属SiGe产能，以支撑其AI数据中心光互连组件的设计订单与需求。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1515 德国团队用光揭示二维半导体量子几何特性，成果发表于 Nature Photonics
德国耶拿大学与雷根斯堡大学的研究人员开发出一种结合光学测量与分析模型的新方法，可定量估算材料的局域 Berry 曲率，相关成果发表于 Nature Photonics。实验采用厚度不足 1nm 的二维化合物半导体 WSe₂，通过两束超短激光脉冲产生倍频光，从其偏振态获取 Berry 曲率信息，测量结果与理论计算一致。该效应在几百飞秒内完成，团队称该方法不限于 WSe₂ 这类材料。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 Tower Semiconductor与Semtech扩大SiGe合作，锁定AI数据中心光互连专用产能
Tower Semiconductor与Semtech宣布扩大多年期协议，Semtech将投资锁定Tower的SiGe专用产能，用于AI数据中心光互连组件，协议建立在双方20年合作基础之上。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 禹创半导体OLED驱动IC ER75138量产交付
禹创半导体（ERISED）Single-chip LTPS OLED驱动芯片ER75138正式量产交付，芯片尺寸7000µm×1500µm，支持COG与COF封装及91 Source通道。该芯片静态与工作功耗低于6mA，已在0.74"/0.91"/0.99"等多尺寸LTPS OLED面板完成点亮测试，覆盖智能电子烟、摄影手柄微显示、穿戴设备等场景，部分项目已进入量产。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6060 粤芯半导体在深交所创业板上市，募资投向12英寸模拟特色工艺三期产线
10月13日，粤芯半导体技术股份有限公司在深圳证券交易所创业板上市，股票代码301660，成为创业板第三套标准设置以来首家以此标准上市的企业，也是首家晶圆制造企业。
推荐理由：粤芯半导体以创业板第三套标准上市，原文给出近三年营收与三期产线投资额，可观察12英寸特色工艺产线的资金投向。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3838 粤芯半导体登陆创业板，创下三个"首次"纪录
粤芯半导体10月13日正式在深交所创业板上市，成为创业板首家晶圆制造上市企业，上市首日大涨223%，并创下首次适用创业板第三套标准上市、首家12英寸晶圆制造企业、首单新股发行约定限售项目三个"首次"纪录。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 SEMI 预测：半导体市场规模 2035 年有望达 2~3 万亿美元
SEMI 总裁兼 CEO Ajit Manocha 在 SEMICON West 2026 演讲中预测，半导体市场规模 2035 年有望达 2~3 万亿美元，并称 2026 年仅用 8 个月就跨越 1 万亿美元关口。他指出新晶圆厂投资和数据中心扩建是两大推动因素：2029 年前计划投产的晶圆厂共 102 家，其中 82 家已进入建设阶段；目前 479 个数据中心正在运行，另有 77 个正在规划中。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 SEMI报告：2026年全球300mm晶圆厂设备支出预计达1490亿美元，2029年增至2270亿美元
SEMI在SEMICON West发布《300mm晶圆厂展望报告》指出，预计2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出达1490亿美元，同比增长31%，并将保持两位数增长至2029年的2270亿美元。
推荐理由：SEMI报告给出2026至2029年300mm设备支出、建厂支出与开工投产数量的逐年预测，可用于判断全球晶圆厂建设节奏与设备需求窗口。
中国仪器仪表行业协会 行业资讯AI 摘要AI 评分1515 中科院生物物理所ELI-TriScope三束共焦精准减薄系统核心技术获美国发明专利US 12,723,984 B2授权
美国专利商标局授予中国科学院生物物理研究所发明专利US 12,723,984 B2，保护其自主研发的ELI-TriScope三束共焦精准减薄系统核心技术，可在cryo-FIB加工样品时以倒置荧光系统实时监测荧光强度，实现电子束、光束、离子束三束共焦。
中国仪器仪表行业协会 行业资讯AI 摘要AI 评分1515 中科院生物物理所ELI-TriScope三束共焦精准减薄系统核心技术获美国发明专利US 12,723,984 B2授权
美国专利商标局授予中国科学院生物物理研究所发明专利US 12,723,984 B2，保护其自主研发的ELI-TriScope三束共焦精准减薄系统核心技术，可在cryo-FIB加工样品时以倒置荧光系统实时监测荧光强度，实现电子束、光束、离子束三束共焦。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5252 成都多家科技企业集中发布进展：中特微光刻机订单破亿、华西数医大模型登顶MedBench
成都一批科技企业近期集中发布进展。中特微（成都）电子科技今年整体订单金额突破1亿元，首批国产微米级接近式光刻机将于11月初从双流集中发往全国，预计明年产能达到300台，其在光显示细分市场占有率约80%。
SEMI 中国·热点新闻精选AI 摘要AI 评分6060 SEMI报告：全球300mm晶圆厂设备支出2029年将达2270亿美元
SEMI在SEMICON West发布《300mm晶圆厂展望报告》，预计2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出达1490亿美元，同比增长31%，并保持两位数增长至2029年的2270亿美元。
推荐理由：SEMI 报告给出 2026 至 2029 年 300mm 设备支出与建厂数量的逐年预测，可用于判断前道设备与厂务建设的需求节奏。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 芯爱科技启动P2工厂建设，P3工厂规划年产超70万片高端基板产线
芯爱科技在10月13日战略发布会上正式启动P2工厂建设，该工厂预计2027年5月正式通线投产。今年9月完成签约落地的P3工厂将新建年产超70万片的高端基板智能化产线，预计2027年启动建设、2028年实现量产。公司同时宣布完成超10亿元战略融资，重点投向AI与芯粒架构先进封装基板产能扩建、高阶制程技术迭代及核心客户交付保障，并计划推进P4、P5工厂统筹规划。
推荐理由：原文给出芯爱科技P2、P3工厂的投产与量产时间表及超10亿元融资用途，可据此判断先进封装基板产能释放节奏。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4848 SEMI报告：全球300mm晶圆厂设备支出2029年将达2270亿美元
SEMI《300mm晶圆厂展望报告》预测，2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出将达1490亿美元、同比增长31%，并保持两位数增长至2029年的2270亿美元。2026年和2027年全球将分别有20座和18座新的300mm晶圆厂或产线动工，其中美国分别为3座和4座；美洲设备投资将从2026年的181亿美元增至2029年的406亿美元。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2222 西安电子科技大学180万元公开招标电子束蒸发镀膜沉积系统
西安电子科技大学就电子束蒸发镀膜沉积系统公开招标，预算金额180万元，投标截止时间为2026年11月03日09点30分。所采购设备需支持在半导体硅片及玻璃、陶瓷基片上真空镀膜，配备镀膜厚度实时监控系统，衬底尺寸8英寸向下兼容，镀膜膜厚非均匀性≤5%，合同签订后30个日历日内交付。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4040 安徽长飞先进半导体启动IPO筹备，系长飞光纤投资的碳化硅功率半导体企业
安徽长飞先进半导体股份有限公司近日召开IPO项目启动会，正式进入资本市场筹备阶段。该公司专注碳化硅（SiC）功率半导体研发制造，具备外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测全产业链能力，可提供工业级到车规级SiC SBD、MOSFET全系列产品。公司2023年获超38亿元A轮融资，今年2月完成超10亿元A+轮融资，目前在芜湖、武汉布局碳化硅生产基地，仍处于产能爬坡阶段。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 河南有色金源拟建年产600吨电子级球形硅微粉项目
河南有色金源实业有限公司拟投资2500万元在开封尉氏县建设高纯石英制备先进电子封装用球形硅微粉项目，达产后形成年产600吨球形硅微粉生产线1条。项目采用火焰熔融球化工艺，以天然气+氧气形成1600-1700℃高温火焰，产出5μm-30μm规格成品，球化率与球形度对标GB/T32661-2016。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2828 极端电热耦合应力场景下氮化镓功率晶体管可靠性研究进展
电子科技大学张波、周靖贵等系统梳理了GaN功率HEMT在浪涌电压、短路、浪涌电流及高温等极端电热耦合应力下的可靠性研究进展，涵盖动态导通电阻与阈值电压原位在线监测平台、逆压电效应与碰撞电离等退化失效机制，以及电场调控、电荷补偿等加固技术。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5858 苏大维格3.5亿元SVG微纳光制造卓越创新中心在苏州开工
10月13日，苏大维格SVG微纳光制造卓越创新中心在苏州工业园区新昌路68号开工，面向先进封装、新型显示、AR光学等赛道。该中心为2021年定增募投项目之一，投入募集资金3.5亿元，建设内容包括建筑工程、设备及实验室，预定可使用状态日期为2028年12月31日；截至6月30日累计投入3,269.01万元，投资进度9.34%。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 四象半导体零部件项目合肥Fab北区封顶，总投资7.5亿元
四象半导体位于合肥高新区的半导体部件总部生产基地项目Fab车间北区已封顶，南区屋面主体施工中，动力站及废水处理站已封顶。项目占地约40亩，总建筑面积约4.6万平方米，总投资7.5亿元，2025年12月开工，预计2026年底竣工投产，全面达产后年产硅电极、硅环、石英环等关键部件27.6万片。
推荐理由：项目给出总投资、占地、封顶节点与达产产能，可据此判断半导体刻蚀耗材国产替代产线的建设节奏与释放时点。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5252 天水秦州与江苏卓远半导体签约12英寸电子级晶棒及MPCVD金刚石材料生产线项目
10月12日，天水市秦州区人民政府与江苏卓远半导体有限公司签约12英寸电子级晶棒及MPCVD金刚石材料生产线项目。卓远半导体核心技术聚焦MPCVD金刚石技术与12英寸硅基晶圆方向，其自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破国外技术封锁，碳化硅衬底技术位居国内前列。秦州区表示该项目将助力当地打造电子信息产业集群。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1111 “芯”程启航｜2026 首都工程师集成电路专题研修营
2026 首都工程师集成电路专题研修营以“芯”程启航为主题举办。同期行业动态包括：天水秦州与江苏卓远半导体项目签约，四象半导体零部件项目在合肥Fab北区封顶，总投资7.5亿元；苏大维格SVG微纳光项目开工，投资3.5亿元。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分3838 UpNano 推出 3DAR 技术，实现 2PP 3D 打印体素三维动态控制
奥地利维也纳 UpNano GmbH 推出 3D Adaptive Resolution（3DAR）技术，可在 2PP 3D 打印过程中对打印体素在三个空间维度上动态控制，使体素随目标几何形状调整，在保持高打印速度的同时获得光滑复杂 3D 表面。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4040 纳芯微发布四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列，赋能汽车与工业自动化
纳芯微推出四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列并已全面量产，支持SPI串口与并口双输入、四通道独立诊断与保护，内置60V高压钳位，ESD性能达±4kV，最高200kHz PWM开关频率。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 南航在JSSC发表高性能电压基准芯片成果，首次以第一单位发表JSSC论文
南京航空航天大学集成电路学院研制出一款全集成单级高压电压基准芯片，基于180nm BCD工艺设计支持12V与100V电源电压的两款芯片，可在高达100V电源电压下稳定工作，温度系数28.71 ppm/°C，线性灵敏度0.000006%/V，静态电流约185 nA，启动时间35 μs。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 应用材料在硅谷揭幕投资达50亿美元的EPIC中心
应用材料公司当地时间10月12日在美国加州硅谷揭幕设备与工艺创新及商业化中心（EPIC中心），计划投资达50亿美元，主要开展下一代半导体材料、设备及制造工艺研发。台积电、英特尔、三星电子、美光和SK海力士等为创始合作伙伴。该中心位于桑尼维尔园区，占地60万平方英尺，设有近4英亩先进洁净室，旨在将材料研究、设备与工艺开发及试产环节汇聚于同一设施协同推进。
推荐理由：应用材料在硅谷揭幕50亿美元EPIC中心，台积电、英特尔、三星、美光、SK海力士为创始合作伙伴，读者可了解半导体设备与材料协同研发的新模式。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2020 华为麒麟9050系列芯片已成功量产，逻辑折叠技术首次产品化落地
华为麒麟9050系列芯片已成功量产，该系列随三折叠手机Mate XT 2及直板旗舰Mate90 Pro Max面世。华为半导体业务无线终端芯片产品管理部部长徐松余在2026华为终端创新技术沟通会上介绍，麒麟9050系列在“韬定律”指导下通过逻辑折叠等创新技术压缩信号传播时延、提升晶体管密度，逻辑折叠技术首次实现产品化落地。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5252 昕感科技合肥制造中心启动，覆盖功率半导体多领域应用
10月10日，昕感科技集团合肥制造中心启动仪式在合肥经济技术开发区举行，该中心位于大众安徽核心零部件产业园，产品覆盖新能源汽车、光储充、高压直流输电、AI数据中心等领域。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6060 国鑫能源年产600万克拉金刚石及半导体应用产品项目落户鄂尔多斯高新区
鄂尔多斯市国鑫能源有限公司年产600万克拉金刚石及半导体应用产品项目于10月12日在鄂尔多斯高新区签约，项目总投资57亿元。项目计划建设从金刚石合成、切割、磨抛到半导体应用的全产品链条研发、生产和销售体系，主要生产金刚石单晶、尖晶、热沉片、金刚石铜、彩色钻石等产品，达产后预计年销售收入23亿元，创造就业岗位450个。
推荐理由：项目披露了57亿元总投资和600万克拉年产能，并覆盖金刚石合成到半导体应用的全链条，可据此了解金刚石在半导体热沉等环节的产能布局节奏。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4040 云南锗业磷化铟晶片订单充足，AI算力驱动需求持续升温
云南锗业10月14日在互动平台表示，控股子公司云南鑫耀半导体的磷化铟晶片（衬底）已批量生产多年并稳定供货，当前在手订单充足，规格覆盖2至6英寸，客户涵盖国内外知名厂商。AI算力基础设施拉动高速光模块需求，磷化铟是800G、1.6T光模块中激光器、探测器芯片的核心衬底材料，公司已实现6英寸高端衬底量产。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分5555 英伟达与京元电签预付款协议，锁定美国新厂测试产能
10月13日京元电子公告称，董事会已批准美国全资子公司AeternZ Semiconductor Testing Corporation与英伟达国际公司签署客户预付款协议，英伟达提前付款，京元电以此在美国建设测试产能并为英伟达预留产能、提供芯片测试服务，预付款在后续服务中逐步抵扣。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6060 昕感科技合肥制造中心启动运营，车规功率模块产线进入产能爬坡
10月10日，昕感科技集团合肥制造中心在合肥经济技术开发区启动运营，创始人王哲称从项目落地到首样产品下线用时不足一年。该中心产线已全线贯通并将进入产能爬坡阶段，产品面向新能源汽车、光储充、固态变压器、高压直流输电、AI数据中心、eVTOL等市场。仪式现场，安徽大学与合肥昕感为《功率半导体可靠性与创新技术联合实验室》揭牌；蔚来汽车高级副总裁曾澍湘表示，双方此前已共建车规功率半导体联合实验室。
推荐理由：合肥制造中心从落地到首样下线不足一年，并已与蔚来共建车规功率半导体联合实验室，可据此观察国产车规功率模块的产能爬坡节奏。
全球半导体观察 · 材料/设备精选AI 摘要AI 评分6060 中微公司追加投资青禾晶元，加码晶圆键合设备布局
中微公司10月13日晚间公告，全资子公司中微临港拟出资不超过3500万元参与青禾晶元新一轮增资，本轮其他17方投资方合计拟增资2.5亿元，投前估值67.50亿元。
推荐理由：中微公司追加投资青禾晶元，读者可借此了解晶圆键合设备在先进封装与异质集成中的产品布局和资本动向。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6060 精智达存储测试设备产业化智造项目在深圳龙华开工
10月10日，精智达存储测试设备产业化智造项目在深圳市龙华区正式开工，将建设集研发、智造与综合配套于一体的半导体存储测试设备产业化基地。项目总用地面积约1.1万平方米，计容建筑面积约4.2万平方米。项目建成后将完善公司研发制造布局，提升设备规模化生产与交付能力。精智达成立于2011年，专注半导体测试检测设备及系统解决方案，2023年在上海证券交易所科创板上市。
推荐理由：精智达存储测试设备产业化基地在深圳龙华开工，给出了用地与建筑面积，可据此观察其半导体测试设备的产能与交付布局。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 Lumentum、Astera Labs与Corning在OCP全球峰会联合演示基于1060nm VCSEL的PCIe光互连
Lumentum、Astera Labs与Corning在OCP全球峰会联合演示面向AI机架级架构的PCIe-over-optics连接，方案由Astera Labs Scorpio Smart Fabric Switch、Lumentum 1060nm VCSEL光互连平台与Corning多模光纤组成。
Charged EVsAI 摘要AI 评分88 现代开关器件栅极驱动的实用设计考量
针对Si-MOSFET、SiC-MOSFET与Si-IGBT的栅极驱动设计，文章指出Si-MOSFET完全开通/关断栅压为+10V/0V，SiC-MOSFET与Si-IGBT则需+15V开通并配合-3V至-8V负压可靠关断。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 Marktech 与 Optrans 扩展四通道 InGaAs PIN 光电二极管产品线
Marktech Optoelectronics 与 Optrans 扩展了四通道 InGaAs PIN 光电二极管产品组合，同时覆盖 1.7 µm 截止波长与扩展 2.6 µm 截止波长两种 InGaAs 技术。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分4040 AVL 与 VisIC 推出基于 GaN 的电动汽车牵引逆变器
AVL 与 VisIC 将 VisIC 的 D³GaN 功率模块技术集成至 AVL 车辆演示样车，形成 GaN 牵引逆变器，项目还整合了 NXP 半导体技术。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Navitas 与 NVIDIA 合作开发 800V 转 12V 的 24kW PDB
Navitas 宣布推出与 NVIDIA 合作开发的 24kW、800V 转 12V DC-DC 电源输送板（PDB），基于 GaNFast 技术，面向 NVIDIA MGX 生态和 AI 数据中心 800 VDC 供电架构。