Aixtron 2026年Q3业绩超预期：订单 intake 约2.75亿欧元，EBIT利润率约31%
Aixtron 2026年Q3初步订单 intake 约2.75亿欧元，远超市场预期的2.146亿欧元，也高于2025年同期的1.24亿欧元。当季营收约1.84亿欧元，毛利率约48%，EBIT约5700万欧元，EBIT利润率约31%，主要受益于有利的产品组合。CEO Felix Grawert 表示，订单增长由AI数据中心通信激光应用设备需求驱动，2026财年指引维持不变。
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第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5858 英飞凌与Wolfspeed扩大并延长碳化硅晶圆供应协议，新增200mm供货
英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延长现有的长期碳化硅晶圆供应协议，在原有150mm供应基础上新增200mm碳化硅晶圆供货，双方供应合作关系已持续20多年。Wolfspeed首席执行官Robert Feurle表示，新增200mm晶圆供货是在既有合作基础上的进一步拓展，公司将继续支持英飞凌对碳化硅的长期需求。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 XMax 将收购 1200V 垂直 GaN 功率半导体开发商 Hexa Creation
美国 XMax Inc 已同意收购专注 1200V 垂直 GaN 功率半导体技术的 Hexa Creation Inc，借此切入面向 AI 数据中心供电的高压功率半导体领域。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5252 小米智造基金拟1亿元入股苏州科阳，切入TGV先进封装赛道
大港股份公告显示，其全资子公司江苏科力半导体以公开挂牌方式转让苏州科阳半导体16%股权，北京小米智造基金与上海半导体材料基金二期组成联合体按挂牌底价2亿元摘牌，双方各出资1亿元、分别受让8%股权，标的对应苏州科阳整体估值约12.4亿元。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 日亚化学将推出308nm/330nm/340nm UV LED，效率约为上一代两倍
日亚化学计划于2027年1月推出新型UV-B（308nm）和UV-A LED（330nm、340nm），NVSU434A系列在700mA额定电流下电源转换效率分别达8.2%、10.0%和9.4%，约为上一代产品的两倍。该系列在三种波长下典型输出功率分别为280mW、330mW和310mW，有助于紫外LED替代汞灯并拓展固化、农业和医疗应用。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2020 博思得PSG-HRS80碳化硅高压发生器行业首发，80kW大功率与高功率密度结合
博思得基于第三代碳化硅技术开发的PSG-HRS系列新成员PSG-HRS80紧凑型高压发生器行业首发，最大输出功率达80kW。该产品依托SiC功率器件高频、低损耗特性，相比传统MOSFET、IGBT方案整机功率密度大幅提升，并实现更紧凑、轻量的设计。PSG-HRS80面向DR、动态DR、数字胃肠等大功率医疗影像设备，提供超低纹波稳定高压输出。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及四代技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线。
推荐理由：长飞先进一次发布四代SiC MOSFET技术路线，给出各代Rsp、短路耐量与雪崩能量等实测数据，可对比其迭代节奏与中高压规格布局。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 电科装备首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机交付并量产应用
中电科电子装备集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机，近期交付国内头部晶圆企业并实现量产应用，形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的国产减薄成套解决方案。设备采用三轴四工位整机结构，集成自动化传输与清洗单元，实现干进干出的全自动加工流程。经量产实测，8英寸碳化硅晶圆最低可稳定磨削至120微米，单位小时产出不低于15片，磨削后晶圆内厚度偏差稳定控制在3微米以内。
推荐理由：国产全自动减薄机在8英寸碳化硅器件晶圆背面减薄环节实现量产应用，文中给出磨削厚度、产出与厚度偏差等实测数据，可供判断国产设备在该工序的成熟度。
粉体圈AI 摘要AI 评分1010 福建贝思科确认参与2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛
粉体圈将于2026年11月3-4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”，聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯电极材料及稀土掺杂粉体的制备技术。厦门钨业控股子公司福建贝思科确认参与，其规划年产3000T钛酸钡及配方粉、5000T碳酸钡产线，总投资2.15亿元。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 Microchip推出耐辐射GaN负载点转换器POL-05-20S-T，输出电流达20A
Microchip推出耐辐射负载点转换器POL-05-20S-T，采用GaN功率器件，输出电流达20A，封装为25g表面贴装、尺寸1.51"×1.51"×0.45"。该器件输入范围4.75−13.2V、输出可调0.7−5V，总电离剂量50krad，SEE耐受LET达43MeV·cm²/mg，工作温度−55°C至+100°C，面向FPGA、ASIC等核心电压轨，现已量产供货。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6060 洪镭光学再获多家客户玻璃基板TGV直写光刻机订单
洪镭光学近日再度斩获多家国内客户的多台玻璃基板（TGV）直写光刻机采购订单，公司称这标志着其在玻璃基板直写光刻领域从率先进入走向批量获单。原文提到，玻璃基板凭借超低信号传输损耗、与芯片更匹配的热膨胀系数、化学稳定性及更高可布线密度，正加速替代传统有机基板，应用于AI算力芯片封装、CPO光模块、Micro LED等场景。
推荐理由：洪镭光学披露玻璃基板TGV直写光刻机批量获单，读者可据此了解国产直写光刻设备在先进封装量产端的落地进展。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6262 芯爱科技启动P2工厂建设并发布P3工厂规划，P2已完成超10亿元融资
10月13日，芯爱科技在南京举行五年砺行暨战略发布会，启动P2工厂建设并发布P3工厂中长期发展规划。P2工厂已完成超10亿元融资，预计2027年5月正式通线投产；今年9月签约落地的P3工厂将新建年产超70万片的高端基板智能化产线，预计2027年6月启动建设，建成三年内满产，新增年产值60亿元。
推荐理由：原文给出芯爱科技P2、P3两座工厂的融资额、投产与建设时间及年产值目标，可据此判断其高端封装基板产能释放节奏。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6060 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线，覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。
推荐理由：长飞先进一次给出四代SiC MOSFET的Rsp、短路耐量与雪崩能量实测数据，可对照其从1200V到3300V的电压规格布局判断国产器件的技术位置。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 消息称特斯拉Terafab将于2027年年中接收首台ASML EUV光刻机
据知情人士透露，马斯克旗下Terafab半导体项目将于2027年年中接收首台ASML极紫外（EUV）光刻机。特斯拉今年4月在奥斯汀Giga Texas北侧厂区为晶圆厂举行动工仪，研究机构SemiAnalysis此前预计Terafab建筑将在15个月内竣工，并需要六个月时间安装设备和生产设施，随后才能开始处理晶圆，这意味着光刻机台交付后可能会闲置一段时间。
推荐理由：原文给出Terafab首台EUV光刻机的接收时点与厂房竣工、设备安装的时间差，读者可据此判断该晶圆厂设备进场节奏。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 台积电公布三季度财报与全球产能扩张规划
台积电公布截至2026年9月30日的第三季度财报，合并营收1.49424万亿新台币，同比增长50.9%，净利润7630.6亿新台币，同比增长68.7%。2纳米制程出货占当季晶圆销售金额的8%，3纳米占33%，5纳米占28%，7纳米占10%，先进制程合计占79%。
推荐理由：台积电三季度财报与产能规划同时给出制程营收结构和多地建厂时间表，可据此观察先进制程与封装产能的释放节奏。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分88 关于参与《功率半导体与具身智能应用场景白皮书》编撰的邀请函
《功率半导体与具身智能应用场景白皮书》现面向相关单位发出编撰参与邀请。该白皮书聚焦功率半导体与具身智能应用场景的结合，具体编撰方向、参与方式及时间安排需参见邀请函正文。
粉体圈AI 摘要AI 评分3131 MLCC用钛酸钡粉体：烧结晶粒异常生长如何抑制？
抑制BaTiO₃晶粒异常生长需协同调控粉体均匀性、添加剂组成与分布、烧结制度与气氛，单一工艺难以奏效。掺杂与两步烧结（TSS）等方法通常需协同使用，并结合粉体特性与材料配方优化；Mg²⁺受主掺杂可形成富Mg壳层核-壳结构控制晶粒生长，Bi₂O₃–B₂O₃–SiO₂（BBS）玻璃包覆也被用于限制烧结中的晶粒生长。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4242 IBM与西门子合作推进NanoStack纳米堆叠晶体管架构
IBM宣布与西门子开展联合研究，推进其NanoStack晶体管架构，西门子将提供电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。双方将开发纳米堆叠先进虚拟模型，在芯片制造前完成性能建模与设计优化。NanoStack为业界首个已知三维纳米片设计，在7埃（0.7纳米）节点下指甲盖大小空间可容纳近1000亿个晶体管，并支持各堆叠层采用不同材料组合以独立优化性能与能效。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 万华化学蓬莱1200t WGS工业化项目公示，瞄准钨CMP专用硅溶胶
万华化学集团（蓬莱）特种助剂有限公司年产1200t WGS工业化项目生态环境影响报告书报批前公示，项目位于烟台蓬莱化工产业园，将新建一套年产1200t WGS装置及配套辅助、环保工程。WGS是用于钨CMP工艺的专用硅溶胶，作为抛光液核心磨料支撑晶圆平坦化。目前WGS全球市场体量约6万吨、规模约22亿元，预计2030年达8.8万吨、突破30亿元。
粉体圈精选AI 摘要AI 评分6262 富士胶片投资1800万美元扩大美国CMP浆料产能及产品组合
富士胶片FUJIMI于10月13日宣布投资1800万美元，扩产亚利桑那州美国公司的铜互联CMP浆料，并建立可实现多产品制造的新生产设施，计划于2027年启动运营。新设施将把CMP浆料应用从BEOL铜互连扩展到FEOL和MOL，以满足先进封装、混合键合等多样化半导体制造工艺需求。富士胶片2026财年第一季度半导体材料业务收入849亿日元，同比增长31.3%，其中铜互连CMP抛光液显著增长。
推荐理由：原文给出富士胶片1800万美元CMP浆料扩产的投资额、新设施投产节点和产品组合扩展方向，读者可据此判断半导体CMP材料在先进封装环节的供给变化。
粉体圈AI 摘要AI 评分1212 戚俊磊博士：从低κ到高κ介电材料——材料创新赋能高端电子元器件（报告）
北京清华前沿交叉创新研究院、清华大学陶瓷国重助理研究员戚俊磊博士将在11月3-4日2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛上，作《从低κ到高κ介电材料：材料创新赋能高端电子元器件》主题报告。报告围绕介电材料组分精准调控与跨尺度结构协同优化，论述从低κ至高κ核心介电陶瓷材料体系，实现介电常数、介电损耗与温度稳定性协同提升，满足多工况高端电子器件产业化需求。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1515 第十二届亚太宽禁带半导体国际会议APWS 2026在西安闭幕
10月11日-15日，第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）在西安举办，由西安电子科技大学主办，时隔17年再次回到中国大陆落地。会议设置31场平行分会、6个全体大会报告、3个Short Course及169个特邀及口头报告，覆盖材料外延、器件工艺、封装测试、可靠性验证等全链条议题，并评选出5篇最佳poster和10个最佳报告人。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 青岛盛安精瓷参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
青岛盛安精瓷新材料有限公司将以参展单位身份出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会，该会议于2026年10月20日在苏州举办。大会聚焦超精密加工技术，其被视为决定高性能半导体器件与先进光学元件性能极限和产业化水平的关键工艺。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 华虹集团与北方华创、中微公司、盛美上海、华海清科签署战略合作协议
华虹集团在第26届中国国际工业博览会上与北方华创、中微公司、盛美上海、华海清科4家企业签署战略合作协议，覆盖沉积、刻蚀、单片清洗、CMP等集成电路前道核心装备赛道。SEMI预计2026年全球半导体设备销售额将达1659亿美元，同比增长23.2%。国家大基金三期3440亿元约70%投向设备与核心材料。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 河南盛世新材料参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
河南盛世新材料有限公司将以参展单位身份出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会，该会议于2026年10月20日在苏州举办。大会聚焦超精密加工技术，该技术被视为决定高性能半导体器件与先进光学元件性能极限和产业化水平的关键工艺。
Metrology News精选AI 摘要AI 评分6262 蔡司推出NLX与DUNE检测量测系统，面向下一代半导体先进封装
蔡司半导体制造技术（ZEISS SMT）推出ZEISS NLX和ZEISS DUNE两套系统，应对先进封装中多芯片与chiplet集成带来的检测需求。NLX可在不破坏封装的前提下观察内部结构，用于检测堆叠裸片之间的连接并及早发现潜在缺陷，面向300mm晶圆，兼顾新工艺开发与大批量生产；DUNE则针对晶圆翘曲，测量晶圆形貌并进行单独校正，以支持后续键合等复杂工序。
推荐理由：蔡司集中披露面向先进封装的NLX与DUNE检测量测系统，以及AIMS EUV 3.0光掩模检测能力，可据此了解下一代芯片制造对内部结构与晶圆形貌检测的新需求。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 格罗方德将在纽约州马耳他新建两座300毫米晶圆厂
格罗方德10月14日宣布，已被选定为纽约州马耳他市两座新晶圆厂的技术提供商和运营商，项目隶属美日共同发起、提供高达210亿美元资金支持的计划。约100亿美元初期投资将加速建设一座300毫米半导体晶圆厂，预计2029年投产，全面投产后年增约90万片300毫米晶圆产能；另外约100亿美元用于建设第二座晶圆厂，产能大致相同。
推荐理由：原文给出两座晶圆厂各约100亿美元投资、2029年投产节点和90万片年产能，可据此判断美日联合支持下的300毫米产能释放节奏。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4747 有研新材突破80nm以下纳米镍粉技术，MLCC高端材料国产替代再提速
有研新材10月12日在投资者互动平台确认，实验室级别已开发出更小尺寸纳米镍粉，突破现有80nm粒径技术下限，MLCC用纳米镍粉正推进器件验证，纳米铜粉处于样品验证阶段。同日公司披露2026年三季报，前三季度营收84.62亿元、同比增长24.98%，归母净利润2.63亿元、同比增长7.31%。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1111 59页PPT了解半导体碳化硅陶瓷零部件
中国粉体网发布一份59页PPT资料，主题为半导体碳化硅陶瓷零部件。该资料以PPT形式呈现，内容围绕半导体领域碳化硅陶瓷零部件展开。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 英飞凌Peter Friedrichs将出席IFWS&SSLCHINA 2026并做碳化硅与氮化镓大会报告
英飞凌Fellow、碳化硅创新及产业化负责人Peter Friedrichs将于11月16-19日在江苏苏州召开的IFWS&SSLCHINA 2026上做开幕大会主题报告，题目为《碳化硅和氮化镓功率器件对电网转型、AI及物理AI应用供电与保护的影响》。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2222 三星考虑将OLED Galaxy DDI代工由联电独家调整为联电与格芯共同生产
三星电子考虑将OLED Galaxy智能手机显示驱动IC（DDI）的代工生产从联电独家调整为与格芯共同合作，最快可能于明年年底开始。格芯代工的DDI有望率先搭载于中低价Galaxy A系列部分OLED机型，制程考虑22nm或28nm，相关工厂位于新加坡和德国等地。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5555 屹唐股份北京工厂第1000台集成电路制造设备发车
屹唐股份北京工厂第1000台集成电路制造设备在北京经济技术开发区正式出厂发车。今年上半年公司研发投入3.75亿元，同比增长2.35%，占营业收入17.61%，累计申请专利781项。其干法去胶、快速热处理设备在全球市场保持稳定份额，新一代先进干法刻蚀设备进入海外市场，等离子体表面处理设备已获多家全球重点客户量产验证与重复订单，公司还在规划新的研发生产基地布局。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Power Integrations 与 Ideal Power 合作开发 800 VDC AI 数据中心固态断路器
Power Integrations 与 Ideal Power 将合作推出面向 800 VDC AI 数据中心的固态断路器（SSCB）方案，结合 Power Integrations 的 1700 V InnoMux-2 电源转换 IC 与 Ideal Power 的 B-TRAN 双向功率开关。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 XMax 收购 GaN 企业 Hexa Creation，切入 1200V 垂直 GaN 功率半导体
XMax 已签署股份购买协议，收购美国早期功率半导体公司 Hexa Creation 全部股份，借此进入面向 AI 数据中心基础设施的高压 GaN 功率技术领域。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分5555 是德科技联合格拉斯哥大学、NPL 与 MPI 推出 InP HEMT 单次扫描在片表征方法
是德科技与格拉斯哥大学、英国国家物理实验室（NPL）及 MPI 合作，开发出针对下一代亚太赫兹半导体器件的宽带表征方法，可在单次扫描中完成 InP HEMT 从近 DC 到 250 GHz 的连续在片表征。
Charged EVsAI 摘要AI 评分4040 Skyworks Si829x 隔离栅极驱动器开始送样，面向电动汽车牵引逆变器
Skyworks 的 Si829x 隔离安全栅极驱动器已从开发阶段转入预生产，并开始向客户送样用于评估和高级原型验证，该器件已通过 AEC-Q100 车规认证。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分2222 中微公司亮相2026湾芯展，平台化战略迈入规模化发展新阶段
中微公司在2026湾芯展上宣布平台化战略迈入规模化发展新阶段，已累计开发54种高端半导体设备，截至2026年6月底超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。公司重点推介Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀设备与Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备两款新品，并计划未来五年覆盖60%以上高端半导体设备市场及70%以上先进封装设备市场。
电池网AI 摘要AI 评分3030 马斯克Terafab芯片工厂落地得州 我国年内芯片相关企业注册量达6.40万家
马斯克宣布启动由特斯拉和SpaceX共同运营的Terafab大型芯片工厂项目，已选址得克萨斯州格兰姆斯县，初期投资额168亿美元，最终投资额可能高达1190亿美元。企查查数据显示，截至10月13日，国内现存芯片相关企业43.90万家，2026年注册量已达6.40万家。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 Tower与Semtech扩大SiGe合作，为数据中心扩展高能效模拟互连
Tower Semiconductor与Semtech扩大20年合作，Semtech将投资锁定Tower专属SiGe产能，以支撑其AI数据中心光互连组件的设计订单与需求。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1515 德国团队用光揭示二维半导体量子几何特性，成果发表于 Nature Photonics
德国耶拿大学与雷根斯堡大学的研究人员开发出一种结合光学测量与分析模型的新方法，可定量估算材料的局域 Berry 曲率，相关成果发表于 Nature Photonics。实验采用厚度不足 1nm 的二维化合物半导体 WSe₂，通过两束超短激光脉冲产生倍频光，从其偏振态获取 Berry 曲率信息，测量结果与理论计算一致。该效应在几百飞秒内完成，团队称该方法不限于 WSe₂ 这类材料。