从150nm到20nm，微纳创优赋能国产MLCC钛酸钡原料升级
微纳创优（烟台）新材料有限公司已形成20nm、60nm、100nm及150nm系列钛酸钡粉体产品，其中BT-20nm系列颗粒集中在约20—30nm，可助力介质层厚度向1μm甚至更薄突破。
#陶瓷基板
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今日 0 条粉体圈AI 摘要AI 评分4040 艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5252 中国宏光TGV玻璃基板产业化基地落户武汉光谷
中国宏光控股10月15日公告，合资公司宏梦芯材（深圳）半导体科技有限公司武汉分公司已于10月13日完成工商注册，TGV玻璃基板产业化基地正式落户武汉光谷。该基地承担技术研发、中试线建设、量产制造及华中区域供应链对接，产品面向AI先进封装产业链，并聘任华中科技大学胡兵教授任技术总监兼总经理。下一阶段重点包括厂房改造、中试产线方案设计、设备采购与入场、工艺验证及供应商开发。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6262 玻芯成16层玻璃堆叠GCP下线投产
10月15日，玻芯成半导体16层玻璃堆叠GCP投产仪式举行，公司称由此从工程样品研发阶段迈入产品级小批量生产阶段。团队此前已先后完成6层、8层、22层堆叠工艺技术验证，并攻克多层堆叠、TGV填孔、UTG刻蚀等关键工艺，该产品在热适配、动态翘曲、Low CTE等方面具有性能优势。
推荐理由：原文给出玻芯成16层玻璃堆叠GCP从工程样品转入小批量生产的节点，并列出6层、8层、22层堆叠验证与TGV填孔等工艺，可据此观察玻璃基板多层互连的工艺进展。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 面对国产替代冲击，Denka逆势加码电子与创新材料的底气是什么？
Denka在《The Denka Way》2026年秋季刊特辑中明确将中国大陆及台湾地区视为半导体和电子材料等尖端产业的战略市场，选择逆势加码而非收缩。其2025财年电子、创新板块营收1044亿日元，同比上升122亿日元，策略是向Low-α超细球硅、Al/SiC复合材料、低介电高频专用树脂等更高端材料层级迁移。
粉体圈精选AI 摘要AI 评分6262 清华大学用AI辅助设计高介电常数氧化物，芯片电容原型体积缩小约85%
清华大学材料学院林元华院士团队与合作者提出分层机器学习策略，从候选材料筛选到器件制备验证，建立AI辅助设计介电材料的新路径，并锁定钨青铜结构氧化物，通过Bi/Ge协同取代调控局域极化，获得介电常数约185、介质损耗低于0.0005、介电温度系数约-22 ppm/℃的材料。
推荐理由：清华大学团队用分层机器学习筛选钨青铜结构氧化物介电材料，并给出介电常数、损耗与温度系数等关键指标，可供介电材料与芯片电容研发参考。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2222 芯片良率的“守门人”，也离不开这块多孔陶瓷！
多孔陶瓷作为半导体先进制程检测设备的关键功能材料，可用于真空吸盘、精密气体过滤与颗粒捕集、热管理组件。采用优化孔径结构的多孔陶瓷吸盘后，吸附均匀性可提升30%以上，晶圆面内高度差控制在3μm以内；孔径控制在5μm以下、孔隙率35%~45%时，对0.3μm以上颗粒捕集效率达99.7%以上。SEMI预测全球半导体测试设备销售额将从2025年的117亿美元增长至2028年的208亿美元。
粉体圈AI 摘要AI 评分1010 福建贝思科确认参与2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛
粉体圈将于2026年11月3-4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”，聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯电极材料及稀土掺杂粉体的制备技术。厦门钨业控股子公司福建贝思科确认参与，其规划年产3000T钛酸钡及配方粉、5000T碳酸钡产线，总投资2.15亿元。
粉体圈AI 摘要AI 评分3131 MLCC用钛酸钡粉体：烧结晶粒异常生长如何抑制？
抑制BaTiO₃晶粒异常生长需协同调控粉体均匀性、添加剂组成与分布、烧结制度与气氛，单一工艺难以奏效。掺杂与两步烧结（TSS）等方法通常需协同使用，并结合粉体特性与材料配方优化；Mg²⁺受主掺杂可形成富Mg壳层核-壳结构控制晶粒生长，Bi₂O₃–B₂O₃–SiO₂（BBS）玻璃包覆也被用于限制烧结中的晶粒生长。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 从粉体配方看高端 MLCC：氧化钇为何是钛酸钡的刚需掺杂剂？
氧化钇（Y₂O₃）凭借双位取代的两性掺杂能力，成为AI服务器、车规高容MLCC钛酸钡粉体配方中的刚需稀土助剂，掺杂量通常控制在0.3~3.0 mol%。Y³⁺进入B位形成受主掺杂可钉扎晶界、抑制晶粒长大，占据A位则形成缺陷缔合体束缚氧空位，提升绝缘电阻与可靠性。氧化镝主攻温度系数、氧化钬侧重拓宽温区，均无法替代氧化钇的晶界稳定与寿命基底作用。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 卢威研究员将在2026年MLCC关键粉体论坛分享《超细纳米钛酸钡粉体的分散与浆料研究》报告
苏州国家实验室研究员卢威博士将在2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛上分享报告《超细纳米钛酸钡粉体的分散与浆料研究》。报告结合润湿颗粒表面特性分析仪与激光粒度等手段，研究分散剂种类与用量对钛酸钡浆料分散效果的影响、相同粒径不同结构钛酸钡的分散稳定性、表面修饰对分散性的改善，以及20nm级超细钛酸钡粉体的分散与评价技术。
粉体圈AI 摘要AI 评分88 大连海外华昇将参与2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛
粉体圈将于2026年11月3-4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”，聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯等陶瓷粉体与金属电极材料及稀土掺杂材料的制备技术。大连海外华昇电子科技有限公司作为电子浆料企业将参与，该公司是MLCC内电极浆料标准制定者，2026年获批国家电子浆料标准化技术委员会秘书处单位。
粉体圈AI 摘要AI 评分2828 高端 MLCC 的粉体关键：钛酸钡主要改性方法盘点
钛酸钡粉体改性按介入时机分为合成过程中改性、合成完成后改性和辅助改性工艺三类，以调控颗粒表面性质、满足 X7R、X8R 等高端 MLCC 规格。合成阶段的原位掺杂可在水热 150-200℃、15-20h 条件下制得 8-40nm 钇掺杂钛酸钡纳米颗粒，共沉淀法可在 14-34nm 范围调控晶粒尺寸。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 安徽科技大学团队提出粉体颗粒级配策略，制备高性能Al2O3–TiC导电复合陶瓷
安徽科技大学科研团队提出粉体颗粒级配策略，在微米级Al2O3基体中引入纳米级Al2O3颗粒，制备出高性能Al2O3–TiC导电复合陶瓷，成果于10月8日在线发表于Journal of Advanced Ceramics。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5050 先进封装基板不再通用：尺寸、层数与良率推动基板专业化
先进封装基板正从通用件走向应用专用化，更大封装尺寸、更多层数、更精细布线和嵌入式功能使基板性能越来越具针对性。Prismark首席顾问王宇波指出，基板价值增速已超过出货量增速，服务器大尺寸倒装芯片BGA封装增长最强。基板供应商即使有闲置产能，也须复制特定层叠结构、材料体系和良率才能成为可互换供应商，合格供应商群体可能远小于标称群体。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4747 村田子公司冈山村田计划90亿日元投建陶瓷原料产线，配套MLCC生产
村田制作所旗下冈山村田制作所计划投入约90亿日元，在现有厂区建设陶瓷原料新产线，2026年10月动工、2028年4月投产，新增产能规模未披露。该产线生产的高纯度超微粒陶瓷粉体是MLCC核心上游原材料，主要供给村田集团内部元器件生产。村田2026财年已安排2500亿日元资本支出，其中追加800亿日元用于AI服务器相关MLCC产能扩充。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 上海大学任鑫：氧化锌压敏陶瓷电阻的制备工艺与应用研究进展
上海大学任鑫副教授将在第九届新型陶瓷技术与产业高峰论坛作报告，介绍氧化锌压敏陶瓷电阻的制备工艺及掺杂改性技术。报告涵盖固相法与液相法制备粉体、微波烧结和放电等离子烧结等新型烧结工艺，以及Bi₂O₃、Sb₂O₃和稀土氧化物掺杂改性，并概述其高低压多领域应用场景。论坛将于2026年12月17-18日在河南郑州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3636 成本直降30%~50%，燃烧合成氮化铝为何仍未量产？
日本东洋炭素公司研究人员通过燃烧合成法制备出松散无团聚的氮化铝粉体，将铝粉与预制氮化铝粉体混合后在低于1MPa氮气中反应，从装料到取出产品不超过两小时，成本较传统工艺降低约30–50%，并已与上海东洋炭素有限公司启动联合创业项目推进生产。该技术历经数十年研究，已从超高压跨越至低/近常压合成，但至今尚未实现大规模工业化普及。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4141 AI服务器散热需求带动TEC陶瓷基板国产化，多家企业加速布局
国瓷赛创、中瓷电子、富乐德等多家国内企业正加速量产TEC半导体制冷片用陶瓷基板，以适配800G/1.6T高速光模块及AI服务器散热需求。国瓷赛创采用0.15mm超薄氮化铝基板，铜厚均匀性±5μm，良率达85%；科翔股份低介电常数氮化硅材料已完成小批量试制，计划2026年导入AI服务器。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1818 氮化硅陶瓷粉体工艺与三大高端制品应用分析
氮化硅陶瓷凭借耐高温1400℃、热导率90～120W/(m·k)等性能，正加速应用于陶瓷基板、陶瓷球和结构件三大高端领域。目前高端产品仍由日本京瓷、东芝材料等企业主导，国内中材高新、国瓷金盛等企业已实现中低端国产化。随着功率半导体、新能源汽车及半导体设备需求增长，其高端产业化与国产替代空间广阔。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5959 JNTC将2mm厚TGV玻璃基板铜填孔时间从12小时缩短至分钟级
韩国玻璃基板企业JNTC宣布，在510×515mm、2mm厚的TGV玻璃基板上，将原本耗时半天至一天的铜填孔时间缩短至分钟级。其方案采用中间较窄的沙漏形通孔结构并配合自研金属化制程消除空洞与凹陷，已通过美国半导体客户验证，计划2027年起量产供应玻璃核芯基板。
中国粉体网AI 摘要AI 评分66 先进陶瓷在坦克装甲、导弹天线罩等武器装备中的应用
先进陶瓷凭借高温强度、耐磨、低密度和耐腐蚀性能，被广泛应用于防弹衣、坦克装甲、导弹天线罩及隐身材料等武器装备领域。氮化硅陶瓷在1400℃、碳化硅陶瓷在1700℃时强度仍达700MPa，氧化铝、碳化硼、碳化硅是装甲防护的三种主要单相陶瓷。薄介质MLCC和压电陶瓷也已在宇航装备与声纳系统中广泛应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2929 万亿半导体产业背后：碳化硅陶瓷应用持续增长
碳化硅陶瓷在半导体设备核心部件中的应用渗透率持续提升，零部件需求增速显著高于行业平均水平。其耐高温、耐腐蚀等特性支持刻蚀、沉积、外延等工序应用，炉管可在1200℃以上长期稳定工作。QY Research数据显示，2024年全球半导体用碳化硅零部件市场规模约11.71亿美元，预计2030年增至15.78亿美元。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2222 800V高压平台加速落地，SiC驱动车载AMB基板需求增长
800V高压平台加速落地与SiC功率器件应用扩大，推动车载AMB陶瓷基板需求增长。AMB基板以高温可靠性、高电流承载能力及良好的热循环性能，满足高压、高功率应用要求。富乐华提供AMB、DBC、DPC及氮化硅陶瓷基板方案，并依托东台、内江及马来西亚制造基地提升生产与交付能力。
粉体圈AI 摘要AI 评分7070 总投资10.1亿元，德汇电子年产1200万片高性能陶瓷覆铜板项目开工
9月16日，浙江德汇电子陶瓷有限公司年产1200万片功率半导体用高性能陶瓷覆铜板项目在嘉兴南湖高新区开工。项目总投资10.1亿元，占地48亩，规划建设集研发中心、智能制造产线、检测试验设施于一体的数字化半导体材料生产基地，建成后预计年产值超12亿元。公司负责人表示，新工厂将在绿色化、数字化、智能化方面升级，目标是较原有基地生产效率提升30%至50%。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2929 【邀请函】第五届陶瓷封装（HTCC/LTCC/DPC）产业论坛（12月24日·嘉兴）
艾邦智造携手佳利电子将于2026年12月24日在浙江嘉兴举办第五届陶瓷封装（HTCC/LTCC/DPC）产业论坛。论坛聚焦陶瓷封装新材料、新技术与新应用，拟定议题涵盖光模块用陶瓷封装外壳与基板、HTCC半导体封装应用及LTCC封装技术等。
粉体圈AI 摘要AI 评分4343 “半导体陶瓷新材料”与“高温合金陶瓷”两大先进陶瓷项目签约落户德化
德化县先进陶瓷产业园招商专场签约“半导体陶瓷新材料”和“高温合金陶瓷”两大项目。领德集团（亚洲）有限公司签约项目主要研发生产集成电路陶瓷基板、芯片封装陶瓷材料、MLCC陶瓷电容、陶瓷电路板基材，并提供配套检测服务。福建泰启汇能科技有限公司签约的高温合金陶瓷项目主攻1650 ℃高温陶瓷产品。
粉体圈AI 摘要AI 评分2626 福建臻璟与您相约第四届无锡研磨抛光材料及加工技术论坛
福建臻璟将以支持单位身份参与粉体圈于2026年7月15–16日在江苏·无锡举办的第四届精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛。论坛围绕磨料制备、工艺创新、抛光装备与产业应用展开研讨。福建臻璟主营氮化硅陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板及高纯氮化铝粉等产品。
SEMI 中国·热点新闻AI 摘要AI 评分5858 SEMI与TechSearch International联合发布2026版《全球封装测试厂数据库》
SEMI与TechSearch International于美国加州时间2026年7月7日发布2026版《全球封装测试厂数据库》，覆盖超过820座工厂。数据库追踪IDM和OSAT企业的半导体后端制造，覆盖量较2025版的750座增加，并新增材料、终端市场、基板与中介层平台等字段。