博通据悉计划为OpenAI定制芯片项目融资逾500亿美元
博通正为其与OpenAI合作开发定制AI芯片项目安排超过500亿美元融资，阿波罗全球管理和黑石集团是洽谈参与的贷款机构之一。该融资可能覆盖数吉瓦的OpenAI定制芯片产能，预计最早今年年底前完成。博通今年6月已宣布建立融资平台，计划到2028年为Anthropic和OpenAI等开发商超过20吉瓦算力提供融资。
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今日 0 条SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1818 SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1818 SK海力士旗下Solidigm拟在美国进行IPO，已选定高盛与摩根士丹利为牵头投行
SK海力士旗下美国子公司Solidigm已选定高盛集团与摩根士丹利为其明年美国IPO的牵头投行。本次IPO预计募资规模约100亿美元，最快2027年正式挂牌上市，投后估值最高可达1000亿美元。SK海力士表示正评估多项策略方案以提升Solidigm市场竞争力，尚未确定具体融资架构。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5555 无锡华虹宏力三期半导体有限公司增资至41.7亿美元
无锡华虹宏力三期半导体有限公司近日完成工商变更，注册资本由668万美元增至41.7亿美元，新增华虹宏力半导体、无锡锡虹国芯二期投资、国家大基金三期旗下华芯鼎新及国开新型政策性金融工具为股东，持股比例分别为25%、20%、15%、14%。该公司成立于2025年10月，其所属的华虹宏力无锡三期项目总投资69.5亿美元，将建设一条月产能5.5万片的12英寸特色工艺生产线。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分5656 Renishaw 完成 Miskin 基地一期扩建并因半导体需求提前启用 Hall 4
Renishaw 完成南威尔士 Miskin 基地 £70 million 扩建项目的第一阶段（Hall 3），可用面积增至 617,000 sq ft（57,350 sqm）。
粉体圈AI 摘要AI 评分1818 多家全球头部半导体企业代表团考察中铭瓷旗下芯鸿光，达成初步合作意向
英伟达台湾、鲲喆科技等多家全球头部半导体企业及投资机构代表团考察中铭瓷全资子公司芯鸿光，围绕半导体新材料达成多项初步战略合作意向。中铭瓷聚焦10–50纳米超高纯陶瓷粉体研发与量产，核心产品涵盖氧化钇、氟化钇、氟化锂及复合陶瓷粉体，可匹配半导体、先进封装等领域严苛标准。各方将开展联合研发与产品定制等深度合作。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 华为余承东：Mate 90系列是中国半导体行业的答卷
华为于10月1日发布并同步开售Mate 90系列手机，全系搭载麒麟芯片与HarmonyOS 7操作系统。该系列包含Mate 90、Pro、Pro Max等机型，售价5999元至12999元起。目前鸿蒙单框架终端设备数量已突破9000万台，具备超过45万个应用程序与服务及3.5万款鸿蒙游戏。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 浙江鸿粤半导体器件公司进入破产审查程序
浙江鸿粤半导体器件有限公司近日进入破产审查程序，案号为（2026）浙 0822 破 47 号。常山县人民法院已于 9 月 29 日受理债权人常山工业发展集团有限公司的破产清算申请，债权人需在 2026 年 10 月 30 日前完成债权申报。该公司成立于 2024 年 3 月，曾规划年产 4000 万只 IC 集成电路、8000 万米键合丝线及 8500kk LED 光源项目。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分6868 三星电机近50亿美元扩建韩越双基地FC-BGA基板产能
三星电机宣布在2028年前累计投入6.78万亿韩元（约50亿美元），扩充韩国世宗和越南太原两大基地的FC-BGA高端半导体基板产能。其中韩国世宗工厂投资4.27万亿韩元用于产线搭建与升级，越南子公司投资2.51万亿韩元扩建生产线，整体投资周期覆盖2026年9月至2028年5月。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6868 美国FCC拟投票禁止中国实验室为输美电子产品提供测试认证
美国联邦通信委员会（FCC）计划于10月29日投票表决一项新规，拟禁止中国境内所有实验室与认证机构为进入美国市场的智能手机、相机、电脑等电子产品提供测试与认证服务。
推荐理由：原文给出了美国市场电子产品测试的产地分布比例和禁令预计落地时间，读者可据此评估出口型电子制造企业的合规成本与测试产能转移压力。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 镓仁半导体入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜
镓仁半导体凭借“多智能体协同铸造长晶”案例入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜。该方案将AI技术与自主研发的铸造法长晶工艺融合，实现氧化镓单晶生长过程的监测、分析与调控。公司已建成投产兼容6英寸、8英寸的同质外延量产线。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4242 芯米半导体涂胶显影设备国产化率达90%，已交付30余台
芯米半导体完成涂胶显影机内部90%核心部件自主设计研发，可批量生产2至12英寸全系列产品，是国内首家COWOS工艺前道制程专用涂胶显影设备供应商。截至目前各系列产品已交付30余台并稳定运行1至5年，2026年6月向国内头部封装企业交付12英寸设备。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4444 三星电机计划斥资近50亿美元在韩国和越南扩产半导体基板
三星电机计划到2028年在韩国和越南投资近50亿美元，用于FC-BGA半导体基板生产。其中4.27万亿韩元（32亿美元）投向韩国世宗工厂，2.51万亿韩元（18.7亿美元）投向越南子公司。该产品用于AI服务器、机器人和智能汽车芯片。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2525 宽场显微镜2DESM实现二维半导体量子相干性成像
意大利天主教圣心大学等机构研发出宽场显微镜2DESM，可在相机图像每个像素点并行记录二维电子光谱，无需光栅扫描。该系统时间分辨率为38 fs、空间分辨率为1.05 µm、光谱分辨率为50 meV，工作温度覆盖室温至4 K。团队已在hBN封装的WSe₂薄片上验证该技术，成功区分了本征激子退相干时间与无序引起的展宽。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 碳化硅“卡脖子”原料！高纯碳粉谁在领跑？
国内多家企业已实现6N（99.9999%）级别高纯碳粉技术突破，逐步推进SiC单晶关键原料的国产替代。贵州九渊新材料分两期建设5条超高纯石墨粉生产线，建成后年产300吨；易成瀚博高纯碳粉产能规模达50吨/年，产品纯度提升至99.99992%以上。楚江新材子公司顶立科技研发的6N高纯碳粉目前处于小批量销售阶段。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅晶圆的6种超精密抛光工艺解析
单晶SiC晶圆的超精密抛光主要包括机械研磨、磁流变抛光、CMP、ECMP、光催化化学机械抛光和PAP等6种工艺。机械研磨采用4~8µm金刚石微粉粗磨、0~0.5µm精磨；CMP是目前应用较多的原子级表面加工方法；PAP结合等离子体化学反应与机械磨削，可实现无损伤平坦表面。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3434 CMP市场年年热，国产抛光液走到哪儿了？
中国CMP抛光液国产化率已从2021年的不足15%提升至2025年的约34%，安集科技全球市占率达13%。2025年全球半导体CMP抛光材料市场规模为38亿美元，其中抛光液占比近60%。但高纯度磨粒仍高度依赖进口，安集科技与鼎龙股份已开始布局该领域。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3737 等离子体球化技术如何成为难熔金属粉体制备的核心工艺
等离子体球化技术通过10⁴℃以上超高温场，将钨、钼等难熔金属粉体在毫秒级内熔融重构为球形。该工艺球化率普遍达98%以上，部分高纯钨、钼粉氧含量可控制在150ppm以内，满足6N级以上半导体溅射靶材与3D打印需求。国内已实现中低功率设备自主量产，但大功率射频电源等核心部件仍依赖进口。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 高纯合成石英的制备工艺与半导体、光伏应用分析
人工合成高纯石英通过溶胶-凝胶法、CVD法、水热法及四氯化硅液相水解法实现纯度与粒径定制化调控，正加速替代天然石英。国内5N及以上半导体级超高纯石英产能紧缺，新增产能集中于石英股份、菲利华、长飞石英等企业。合成石英凭借无气泡、无包裹体等优势，已用于刻蚀环、石英穹顶等半导体器件及光伏直拉单晶环节。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3636 高纯石英制品气泡缺陷的形成机理与调控方法
高纯石英制品中的气泡缺陷会降低材料力学与光学性能，并在半导体拉晶场景下干扰单晶硅生长。气泡主要源于原料气液包裹体、杂质及颗粒形貌，以及熔炼冷却工艺不当。依据GB/T5949—2014标准可进行显微定量检测，机器视觉检测率可达97.5%，需通过原料提纯、阶梯控温及物理场辅助等全链条协同抑制气泡。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3333 AI算力驱动磷化铟衬底需求爆发，全球企业集中扩产
AI算力建设推动磷化铟衬底需求激增，当前全球有效产能仅60-75万片/年，缺口已超70%。Coherent、JX金属、AXT及国内浙江先导微电子、鑫耀半导体等企业密集投资扩产，多家跨界公司亦宣布入局。上游6N-7N高纯铟与7N高纯红磷供需趋紧，价格持续走高。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1414 2026湾芯展展商名录及展位图发布
2026湾芯展（WESEMiBAY 2026）已发布展商名录及展位平面图，观众完成预登记即可下载。展会将于10月14-16日在深圳会展中心（福田）举办，展览面积超70,000m²，汇聚全球1000余家半导体企业，覆盖晶圆制造、化合物半导体、先进封装、IC设计／AI基础设施四大环节，并新设AIE AI基础设施产业生态展。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 包头稀土研究院邀您出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
包头稀土研究院作为参展单位，邀请业界出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 南京孚克讯新材料将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
南京孚克讯新材料有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。该大会将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件和先进光学元件制造中的应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 湖南格善新材料将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
湖南格善新材料科技有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。该大会将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件和先进光学元件制造中的应用。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4848 盛美上海披露在手订单：170.73亿元，同比增88.20%
盛美上海截至2026年9月29日在手合同订单总金额达170.73亿元，同比增长88.20%。该数据包含已交付但尚未完成收入确认及后续计划交付的设备订单，未经审计。公司主营清洗、电镀、PECVD等半导体设备，2026上半年实现营业收入37.18亿元，归母净利润9.89亿元。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4747 晶合集成拟增资安徽晶镁，布局28nm及以上光罩业务
晶合集成拟以全资子公司合肥晶为100%股权作价9.08亿元参与增资安徽晶镁，持股比例将由16.6667%提升至32.1599%。安徽晶镁聚焦28nm及以上工艺节点半导体光罩研发与生产，项目一期规划总投资65亿元，满产后月产能约3200片，预计2027年投产。增资完成后安徽晶镁注册资本将增至约32.47亿元。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2424 Skyworks 完成与 Qorvo 的合并
Skyworks 于 10 月 6 日宣布完成与 Qorvo 的合并，整合双方 RF、电源管理及模拟半导体业务。合并后公司拥有约 8000 名工程师和超过 12,000 项已授权及在审专利，技术组合扩展至 RF GaN、低压电源和有线宽带领域。公司预计交割后 24–36 个月内实现每年 500m 美元或以上的成本协同效应，并继续以 Skyworks 名义运营，股票代码为 SWKS。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分99 Qorvo 推出面向 AESA 雷达的 X 波段射频前端方案
Qorvo 推出面向有源电子扫描阵列（AESA）雷达的 X 波段射频前端方案，核心为四通道 7.9–12GHz 波束赋形 IC QPX0252。该芯片可直接驱动 QPF5012 等 FEM，无需外部驱动放大器，级联输入 P1dB 较市场同类产品提升最高 20dB。QPX0252 样品及评估套件现已提供。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3030 Mivium 展示相纯 h-GaN 纳米颗粒的商业化生产能力
Mivium 利用专有技术平台实现了高纯度亚微米 GaN 颗粒的生产。独立第三方表征确认其产出的相纯六方纤锌矿 h-GaN 颗粒粒径分布为 300–500nm，具备多晶结构和高刻面形貌，可扩展至工业级产能。Mivium 于 7 月完成 $4.23m 私募融资，累计融资超 $10.5m，正推进基于该粉末平台的 GaN 薄膜研发。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3636 KnowMade：2026年Q2功率GaN专利发布由工业受让人主导
KnowMade报告显示，2026年Q2功率GaN领域约500个专利族发布、约800件新专利获授权，工业受让人主导了专利申请。Innoscience、Texas Instruments和Samsung在新授权专利数量上处于相近水平，WaveLord在晶圆和外延片环节领先。该季度新增约100家参与者，其中约70%为中国公司，约75%的新进入者集中在电路与应用环节。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3434 KnowMade：2026年Q2中国占新增RF GaN专利族多数
KnowMade发布RF GaN技术专利监测报告，2026年第二季度全球新公开超110个RF GaN专利族，其中中国申请人贡献超70个。当季超80个专利族首次获得授权，中国IP主体占超50个，CETC和西安电子科技大学领先。该季度新进入者超30家，多为中企，Unicompound Semiconductor披露了3项涉及HEMT器件工程的发明。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分99 Photon Design 将 HAROLD QD 量子点激光器仿真工具运行时间缩短一半以上并提升精度
Photon Design 升级了 HAROLD QD 3D 量子点仿真工具，在标准工作站或笔记本上即可将计算运行时间缩短一半以上。该工具采用八带 k·p 能级模型模拟量子点结构、尺寸与分布，可计算 3D 应力应变并生成增益和吸收光谱。其与 PICWave 的集成支持包含光栅和扩展腔的动态 3D 电路仿真。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1818 SawStreet 加入 WIN Semiconductors 的 WIN Alliance Partner Program
美国半导体后道服务商 SawStreet 加入 WIN Semiconductors 的 WIN Alliance Partner Program，为客户提供晶圆研磨减薄、切割、贴片及芯片检测服务。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分3838 费勉科技启动A股IPO辅导备案
费勉科技近日在上海证监局完成上市辅导备案登记，正式启动A股IPO相关工作，华泰联合证券担任辅导机构。该公司主营半导体量测与薄膜制备设备，产品覆盖超高真空薄膜沉积设备、X射线光电子能谱量测设备等。其股东包含哈勃投资、深创投、复旦科创等产业资本。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3636 名古屋大学团队实现超低接触电阻的 p-GaN 欧姆接触工艺
名古屋大学联合多所高校，通过在 p-GaN 表面沉积亚 10nm 镁膜并经 600°C、5 分钟软退火及 HCl 清洗，实现了 1-3 x 10⁻⁴ Ω cm² 的超低比接触电阻。该低热预算工艺可避免干法刻蚀损伤，适用于 HBT、UV LED 和激光器等需要超薄 p-GaN 层的器件。 （注：摘要中“10⁻⁴”对应原文“10 -4”，因纯文本格式限制采用标准上标写法。）
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 KnowMade：2026年Q2功率GaN专利动态
KnowMade发布的2026年Q2横向功率GaN专利监测报告显示，该季度约500个专利家族公开，约800件新专利获得授权，发明集中于增强型晶体管及热管理。Innoscience在新公开和新授权专利方面表现突出，Texas Instruments和Samsung的新授权专利数量与之相当。该季度新增约100个参与者，其中约70%为中国公司，约75%通过电路与应用环节进入。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2323 UCSB利用V型缺陷提升绿光LED效率
加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）研究人员通过V型缺陷与优化AlGaN盖层，将绿光III-N LED外量子效率峰值提升至44%，电光转换效率达37%。该器件在图形化蓝宝石衬底上经MOCVD生长，结合分布式布拉格反射镜（DBR）提高光提取率。团队计划进一步研究AlGaN盖层对横向载流子注入的影响，以提升长波长LED效率。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1515 Navitas与Microchip合作推出面向AI数据中心的800V参考设计
Navitas与Microchip合作推出面向AI数据中心机架电源的800V DC至6V DC参考设计。该方案采用16颗NV6034 650V GaNFast FET、dsPIC33AK数字信号控制器及TA100 CryptoAuthentication器件，在1MHz开关频率下实现96%峰值效率和2100W/in³功率密度，符合OCP 800V DC标准。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分4545 JEDEC 发布首个硅光可靠性行业标准 JESD264
JEDEC 固态技术协会发布首个硅光行业可靠性标准 JESD264，为硅光器件建立统一的认证与可靠性测试框架。该标准涵盖 SiPh 裸片及集成芯片组的可靠性协议、调制器与光电二极管等组件级认证指南，以及激光集成和组装工艺要求。JESD264 明确了晶圆代工厂、OSAT 和系统开发商的可靠性责任，支持硅光技术在高速数据中心、电信和 AI 网络中的规模化部署。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2626 Cardiff Capital Region 1.6亿英镑十年期投资区计划进入实施阶段
Cardiff Capital Region（CCR）宣布其由英国政府资助的1.6亿英镑十年期投资区计划正式进入实施阶段，将依托当地化合物半导体集群发展先进制造与数字技术。该计划预计未来十年吸引超5亿英镑私营部门投资，创造多达4000个高技能岗位。一项400万英镑的技能培训项目现已面向交付合作伙伴开放。