CASA联盟T/CASAS 021—2025 SiC MOSFET阈值电压测试方法标准获评2025年度北京市高质量团体标准
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的T/CASAS 021—2025《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》团体标准，被北京标准化协会评为2025年度高质量团体标准。该标准制定后已升级制定为国标，为新能源汽车、新能源并网提供核心技术支撑。
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今日 0 条第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3838 艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2222 晶能微电子与Wolfspeed签署合作备忘录，新一代功率模块平台优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片
晶能微电子与Wolfspeed在杭州签署合作备忘录，晶能新一代功率模块平台将优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片，率先应用于新能源车主逆变器等场景。Wolfspeed依托200mm碳化硅产线为晶能提供稳定供货与商务支持，双方将共同对接国内头部车企高压电动平台，力争获取车型design-win项目，并逐步拓展至AI数据中心、工业电源、储能等领域。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 科友半导体单面与双面抛光工艺对比：从效率、碎片率到损伤控制的工程逻辑
科友半导体对比了碳化硅衬底单面与双面抛光工艺：单面抛光表面粗糙度可控制在0.3 nm以内，但受蜡粘工装制约存在效率瓶颈与碎片风险；双面抛光一次装夹两面同步加工，5小时后碳面粗糙度达0.151 nm，但碳面去除率是硅面的3倍及以上。科友通过抛光液配比调整与上下盘转速差异化控制，推动碳面/硅面去除率向1:1收敛，并提出“双面粗抛+单面精抛”组合工艺，8英寸衬底TTV稳定控制在≤1 μm。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3838 晶能与Wolfspeed签署合作备忘录，新一代功率模块平台优先导入碳化硅裸芯片
晶能微电子与Wolfspeed在杭州签署合作备忘录，晶能新一代功率模块平台将优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片，率先应用于新能源车主逆变器等场景。Wolfspeed依托200mm碳化硅产线为晶能提供稳定供货，双方将共同对接国内头部车企高压电动平台，力争获取车型design win项目，并逐步拓展至AI数据中心、工业电源、储能等领域。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 格善新材料GSD系列团聚金刚石微球用于硬脆材料研磨抛光
湖南格善新材料科技有限公司推出自主研发的GSD系列团聚金刚石微球，以99.95%高纯金刚石微粉为核心原料。该产品粒径覆盖10μm-300μm，孔隙率15%-55%精准可调，适配硬脆材料、硬质合金及高端金属的精密研磨与抛光加工场景。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4848 T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》等2项微纳金属烧结标准征求意见
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿，自10月8日起面向联盟成员单位征求意见，截止日期为11月7日。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3434 碳化硅晶圆激光剥离技术如何替代传统线切割
激光剥离技术通过内部改性与外力裂片实现碳化硅晶圆无损切割，将材料损耗从线切割的30%~50%大幅降低。国内已实现8英寸SiC晶圆自动化激光剥离，切割道宽度缩至20μm以内，晶粒良品率超98%，加工效率较传统工艺提升30%以上。德国Siltectra、日本Disco已将切片损耗控制在60μm以内并量产8英寸晶圆。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分2424 西安奕斯伟材料完成对重庆欣晖B+轮融资投资
西安奕斯伟材料出资3000万元完成对重庆欣晖B+轮融资投资，取得其2.0157%股权。本轮融资整体募资规模不少于1.6亿元，资金将用于设备采购、工程建设尾款支付及补充营运资金。重庆欣晖主营刻蚀机、外延炉等半导体设备用碳化硅部件与硅部件。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1818 碳化硅半导体依赖的“四高”碳基材料解析
PVT法制备SiC单晶依赖高纯碳化硅粉、高纯碳粉、高纯硬毡和高纯石墨四种关键材料。改进的自蔓延高温合成法在1400~2000℃下生产高纯SiC粉体，碳纤维硬毡中关键杂质元素含量需控制在10-6以下。国内烁科晶体、天科合达、赛迈科等企业已实现相关技术突破或量产。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1010 第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）10月11-15日在西安举办
第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）将于10月11日-15日在中国西安举办，由西安电子科技大学主办。大会特邀6位大会报告嘉宾、3位Short Course嘉宾及50余位邀请报告嘉宾，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体设置近200个前沿主题报告。会议包含全体大会、平行口头报告专场、海报展示及特设的宽禁带半导体女性学者论坛等环节。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分88 惟光探真将携最新研发成果亮相APWS 2026
苏州惟光探真科技有限公司将于10月11-15日在西安举办的APWS 2026（展位号A23）展示最新研发成果及产品。公司针对Si和第三代半导体先进制程提供AOI系统、缺陷检查系统、探针台等集成，并提供荧光和拉曼光谱相关的系统解决方案。APWS 2026由西安电子科技大学主办，围绕碳化硅、氧化镓、金刚石等宽禁带与超宽禁带半导体开展研讨。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4545 T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》等2项微纳金属烧结标准征求意见
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿，自2026年10月8日起征求意见至11月7日。前者适用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件封装；后者适用于互连面积不小于30 mm×30 mm的宽禁带半导体器件大面积烧结互连工艺。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1010 山东耐克特分析仪器有限公司邀您参加2026全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会
山东耐克特分析仪器有限公司将参加2026全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会，展示NKT5600-H智能全自动激光粒度仪。该仪器采用双镜头光学系统与第五代超高速信号采集主板，内置激光智能管理系统(LIMS)及智能除雾系统。大会将于2026.11.25-26在苏州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅高纯粉体哪条工艺路线能实现量产突围？
碳热还原法是目前国产高纯SiC粉体兼顾纯度与产能的最优解，也是国内企业量产的主力路线。艾奇逊法纯度不足，CVD气相法成本高且难大规模量产，燃烧合成法和等离子体法能耗低但量产稳定性不够。11月25-26日苏州将举办全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会，探讨各工艺量产难点与低成本规模化方案。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2626 三安光电副董事长兼总经理林科闯解除留置恢复履职
三安光电10月5日收到监察机关《解除留置通知书》，副董事长兼总经理林科闯正式解除留置并恢复正常履职。林科闯于今年4月8日被立案调查并采取留置措施，历经近半年后回归岗位。公司各项生产经营、研发投产及市场运营保持平稳有序运行。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 QPT 发布面向 800V 数据中心的 qMicroModule IBC
QPT 发布面向下一代 AI 数据中心的 qMicroModule IBC，可将 800V DC 一步转换为 6V 为处理器供电。该设计基于 650V GaN，功率密度达现有转换器的 5 倍，两个模块堆叠输出约 5 kW。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 Wolfspeed 获美国国防部 15 亿美元贷款支持 SiC 与 GaN 器件生产
Wolfspeed 获得美国国防部（DoW）最高 15 亿美元的 30 年期有条件贷款承诺，用于支持本土 SiC 材料和宽禁带功率器件的开发与生产。该融资将用于升级面向下一代通信基础设施和电子战系统的 GaN 外延能力，并为现有 SiC 及未来 GaN 产品开发抗辐射加固能力。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 英飞凌推出面向 AI 服务器的 27 kW 三相 SiC 电源参考设计
英飞凌推出基于 SiC 的 27 kW 三相 PSU 参考设计，满足 OCP Open Rack V3 规范和 AI 服务器机架架构要求。该方案采用五级 ANPC PFC 拓扑和三级 LLC 转换器，在 480 VAC、50% 负载下峰值效率超 98%，功率密度达 116 W/in³。集成能量缓冲可在电网短时扰动时提供 20 ms 保持时间，无需单独 CBU。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4747 Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期有条件贷款承诺 强化本土 SiC/GaN 宽禁带半导体产能
Wolfspeed 收到美国国防部战略资本办公室出具的有条件贷款承诺函，拟提供最高 15 亿美元、期限 30 年的长期融资。资金将用于升级 GaN 外延工艺能力，新建或扩产低压/高压 GaN 功率器件本土产线，并推进 GaN-on-SiC 射频外延晶圆技术研发。该交易需完成尽职调查及政府审批等前置工作，无法确保最终落地。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分88 晟光硅研将携水导激光设备亮相APWS 2026
西安晟光硅研半导体科技有限公司将于2026年10月11日-15日在西安举办的APWS 2026上展出最新产品，展位号A11。该公司专注水导激光装备研发制造，设备主要针对碳化硅、金刚石等硬脆材料进行加工。公司成立于2021年，注册资本2665.0214万元，拥有自主知识产权六十余项。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分4040 Wolfspeed 获美国国防部 15 亿美元有条件贷款承诺
Wolfspeed 获得美国国防部战略资本办公室最高 15 亿美元的有条件长期贷款承诺，用于支持 SiC 材料与宽禁带功率器件的本土研发和生产。该笔 30 年期融资将用于升级 GaN 外延能力，并为现有 SiC 及未来 GaN 产品开发抗辐射加固能力。交易需满足尽职调查、最终协议谈判等条件，Wolfspeed 或需向国防部发行最高占完全稀释股本 7.5% 的认股权证。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1414 天域半导体斥资近200万港元回购H股，回购股份将持作库存
天域半导体（02658.HK）于2026年10月6日在港交所回购38300股H股，总支付金额1997272.5港元，回购股份全部作为库存股份持有。本次回购价格区间为51.5港元/股至52.35港元/股，占事件前公司已发行股份总数的0.065%。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 镓仁半导体入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜
镓仁半导体凭借“多智能体协同铸造长晶”案例入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜。该方案将AI技术与自主研发的铸造法长晶工艺融合，实现氧化镓单晶生长过程的监测、分析与调控。公司已建成投产兼容6英寸、8英寸的同质外延量产线。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 Mivium宣布GaN纳米颗粒突破
美国材料公司Mivium成功制备出300-500nm粒径分布的相纯六方纤锌矿结构亚微米GaN颗粒。第三方表征确认该材料具备多晶结构与高刻面形貌，可扩展至工业级产能，为GaN薄膜应用和衬底生产开辟新路径。Mivium于2026年7月完成423万美元融资，累计融资超1050万美元，并将在SEMICON West展示样品与表征数据。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 碳化硅“卡脖子”原料！高纯碳粉谁在领跑？
国内多家企业已实现6N（99.9999%）级别高纯碳粉技术突破，逐步推进SiC单晶关键原料的国产替代。贵州九渊新材料分两期建设5条超高纯石墨粉生产线，建成后年产300吨；易成瀚博高纯碳粉产能规模达50吨/年，产品纯度提升至99.99992%以上。楚江新材子公司顶立科技研发的6N高纯碳粉目前处于小批量销售阶段。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅晶圆的6种超精密抛光工艺解析
单晶SiC晶圆的超精密抛光主要包括机械研磨、磁流变抛光、CMP、ECMP、光催化化学机械抛光和PAP等6种工艺。机械研磨采用4~8µm金刚石微粉粗磨、0~0.5µm精磨；CMP是目前应用较多的原子级表面加工方法；PAP结合等离子体化学反应与机械磨削，可实现无损伤平坦表面。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 北京中电科将汇报大尺寸碳化硅减薄加工进展
北京中电科电子装备有限公司副总经理冷生辉将于2026年10月20日在苏州作《大尺寸碳化硅减薄加工进展汇报》报告。该方案通过优化粗精磨、匹配专用耗材与精细化参数控制，改善SiC晶圆TTV、翘曲度及表面粗糙度，消除亚表层损伤，提升量产良率并降低生产成本。 （注：原文未给出具体TTV数值或良率百分比，摘要严格依据原文已有信息撰写，未添加任何数字。）
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2121 Navitas 完成收购 Claros，将 AI 基础设施供电产品组合从电网扩展至 xPU
Navitas Semiconductor 完成对电源管理公司 Claros 的收购，将其集成稳压器（IVR）技术纳入 AI 基础设施供电产品组合。Claros 的 pIVR 和 eIVR 产品支持垂直供电（VPD）与嵌入式供电（EPD）架构，结合 Navitas 的 GaN、SiC 及新 JFET 技术覆盖从电网到 xPU 的完整链路。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3434 KnowMade：2026年Q2中国占新增RF GaN专利族多数
KnowMade发布RF GaN技术专利监测报告，2026年第二季度全球新公开超110个RF GaN专利族，其中中国申请人贡献超70个。当季超80个专利族首次获得授权，中国IP主体占超50个，CETC和西安电子科技大学领先。该季度新进入者超30家，多为中企，Unicompound Semiconductor披露了3项涉及HEMT器件工程的发明。
Charged EVsAI 摘要AI 评分5353 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型碳化硅衬底
Wolfspeed宣布其Premium 200 mm n型碳化硅（SiC）衬底正式商用并开始接受订单。该衬底经X射线形貌术验证，微管密度低于0.01个/cm²，即每片晶圆少于3个，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性来改善器件良率。Wolfspeed表示已在现有SiC制造工厂内预留专用产能，并具备扩产能力。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2020 瑞萨电子扩展低压 GaN 产品线，推出首款 100V E-mode GaN FET
瑞萨电子推出首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，包含 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC 四款型号。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 薄 AlGaN 势垒大幅提升 GaN HEMT 短路可靠性
电子科技大学联合四川爱联科技、深圳平湖实验室通过引入 11 nm 厚 AlGaN 势垒，使 GaN HEMT 在 450 V 母线电压下耐受 12,000 次重复短路循环。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1212 Northrop Grumman 发布 FORTITUDE GaN 芯片，信号质量提升 20 倍
Northrop Grumman 发布米粒大小的 GaN 芯片 FORTITUDE，可为雷达、GPS、电子战及未来 6G 系统提供 3 倍功率和 20 倍信号质量。该器件此前名为 Super Lattice Castellated Field Effect Transistor，在美国制造，可替代数十个组件以减轻重量并降低功耗。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1212 ERZIA 升级 New Space (-NS) 系列放大器环境等级
ERZIA 将其 New Space (-NS) 系列 GaAs/GaN 放大器的环境耐受等级全面升级，产品线已扩展至 20 款。随机振动从 8 g RMS 提升至 23.5 g RMS，冲击达 1,414 g（SRS, Q = 10），辐射总剂量 DC 段为 30 krad(Si)、RF 段超 300 krad(Si)，符合 ECSS-E-ST-10-03C 等标准。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2828 KnowMade发布Q2 2026 RF GaN技术专利监测报告
KnowMade发布Q2 2026 RF GaN技术专利监测报告，当季公开超110个新专利族，中国实体占超70个。超80个专利族获首次授权，CETC和西安电子科技大学领先，NXP以10个新公开专利族居海外企业首位。超30家新进入者加入该领域，多数为中国实体。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3636 时代电气SiC产线稳步爬坡，预计2027年中期达成首阶段设计产能
时代电气SiC功率半导体产线持续爬坡，现有工艺能力可支撑第五代SiC器件技术迭代，预计2027年中期实现第一阶段设计产能。公司坚持IDM全产业链模式，将功率半导体业务定位为新兴装备业务核心板块。此外，公司中标墨西哥帕丘卡15列车ETCS车载项目，订单金额6155万元。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2323 《Semiconductor Today》最新一期现已上线
《Semiconductor Today》最新一期今日出版并免费开放，涵盖上月化合物半导体及先进硅材料与器件的商业和技术进展。本期内容包括热稳定性更高的 InP 量子点近红外激光二极管、降低 micro-LED 侧壁影响、GaN HEMT 短路性能及功率 GaN 器件市场增长。
Charged EVsAI 摘要AI 评分3737 L&T Semiconductor Technologies 推出面向电动汽车快充的 1,200 V SiC MOSFET 平台
L&T Semiconductor Technologies 推出 1,200 V SiC MOSFET 平台，面向电动汽车快充、牵引逆变器、微电网和固态变压器。公司表示，相比硅 IGBT，SiC MOSFET 开关速度更快、损耗更低，可缩小磁性元件和冷却硬件尺寸。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2929 IFWS&SSLCHINA 2026将于11月苏州启幕，首批嘉宾名单出炉
IFWS&SSLCHINA 2026将于2026年11月16-19日在江苏苏州召开，首批嘉宾名单已公布。论坛设置1场主论坛、6大主题方向，议题覆盖碳化硅衬底与器件、氮化镓功率与射频、车规级器件可靠性验证及先进封装等，同期举办2026先进半导体技术应用创新展。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5151 平湖实验室将携SiC与GaN展品参加西安APWS 2026
平湖实验室将参加2026年10月11日-15日在西安举办的APWS 2026，在A15展位展示SiC与GaN产品。