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10月17日周六
  1. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    源杰科技光电通讯半导体芯片二期项目首批设备将进厂,总投资约12.51亿元

    源杰科技10月16日公告,光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目土建、部分洁净室及配套设施已完工,首批生产设备预计近期进厂调试,计划2026年底至2027年初逐步形成产能。项目总投资约12.51亿元,规划新建光芯片产线、厂房及配套基础设施。公司另将50G光芯片产业化建设项目投资由4.87亿元上调至7.57亿元,达产时间顺延至2026年12月末。

    推荐理由:原文给出二期项目的投资额、洁净室完工状态和设备进厂节点,读者可据此判断光芯片产线设备需求与产能释放节奏。

  2. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    鲁汶仪器临港研发总部和制造基地项目公示,总投资约13.71亿元

    鲁汶仪器临港研发总部和制造基地项目设计方案公示,由全资子公司上海鲁汶半导体科技实施,总投资约13.71亿元,用地约4.33万平方米、总建筑面积约8.19万平方米。

    推荐理由:原文给出鲁汶仪器临港基地的投资额、建筑面积与拟建产线,读者可据此判断其12英寸机台产能扩张节奏。

  3. 中国粉体网AI 摘要58

    高纯红磷短缺背后:6N级报价500万元/吨,国内多家企业推进国产化

    中国粉体网梳理高纯红磷供需现状,6N级高纯红磷价格达500万元/吨,自7月日本厂商收紧对华供货后处于有价无市状态。高纯红磷是合成磷化铟多晶、单晶的唯一固体磷源,生产1公斤合格磷化铟衬底约消耗0.7公斤电子级高纯红磷。国内拓材科技年产30吨7N高纯红磷项目已于2026年6月投产,兴发集团6N/7N共线产线年产能850吨,至纯科技参股威顿晶磷现有35吨产能。

10月16日周五
  1. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    普雷赛斯完成亿元级A轮融资,用于量产交付与先进封装量检测攻关

    普雷赛斯(苏州)智能科技有限公司完成亿元级A轮融资,由亦庄创投、欣柯创投、赛智伯乐、翠微基金等联合投资,资金用于量产交付、市场拓展与技术攻关。公司专注半导体量检测设备与核心光学精密仪器,产品覆盖三维形貌、薄膜厚度、关键尺寸、套刻精度、2D&3D AOI、方阻与电阻率、应力等检测方案,业务覆盖晶圆制造、先进封装与光通信领域。

    推荐理由:普雷赛斯亿元级A轮融资的用途与产品矩阵,可帮助读者了解国产半导体量检测设备在先进制程与先进封装环节的布局进展。

  2. 艾邦半导体网AI 摘要52

    中国宏光TGV玻璃基板产业化基地落户武汉光谷

    中国宏光控股10月15日公告,合资公司宏梦芯材(深圳)半导体科技有限公司武汉分公司已于10月13日完成工商注册,TGV玻璃基板产业化基地正式落户武汉光谷。该基地承担技术研发、中试线建设、量产制造及华中区域供应链对接,产品面向AI先进封装产业链,并聘任华中科技大学胡兵教授任技术总监兼总经理。下一阶段重点包括厂房改造、中试产线方案设计、设备采购与入场、工艺验证及供应商开发。

  3. 艾邦半导体网AI 摘要62

    拓荆科技拟25亿元收购无锡尚积100%股权,补齐PVD与刻蚀设备

    拓荆科技10月15日晚间发布草案,拟以发行股份及支付现金方式合计25亿元收购无锡尚积100%股权,并募集配套资金不超过18.2亿元。募集资金用于无锡尚积高端半导体设备生产基地项目5.01亿元、高端半导体设备前沿技术研发项目6.09亿元及支付现金对价和中介费用7.11亿元。

    推荐理由:交易对价、配套募资投向与双方产品线互补关系都写得具体,可据此判断拓荆在PVD与三维集成设备上的补齐路径。

  4. 艾邦半导体网AI 摘要60

    晶洲装备发布国内首个TGV中试开放平台,提供工艺开发到量产导入一站式验证

    晶洲装备在2026湾区半导体产业生态博览会(湾芯展)上发布国内首个TGV中试开放平台,提供从工艺开发、小批量试制到量产导入的一站式验证服务。平台制孔能力为通孔直径15–200μm、均匀性±0.5μm@50μm、真圆度U%≤5%,兼容玻璃厚度0.1mm–1.1mm;金属化采用双面电化学沉积,兼容可溶与不可溶阳极及直流加脉冲电镀,深宽比≤10:1@直径50μm,电镀均匀性<7%。

    推荐理由:晶洲装备公开了TGV中试平台的制孔与金属化能力参数,读者可据此判断玻璃基板级先进封装的工艺验证条件与设备需求。

  5. 艾邦半导体网AI 摘要62

    玻芯成16层玻璃堆叠GCP下线投产

    10月15日,玻芯成半导体16层玻璃堆叠GCP投产仪式举行,公司称由此从工程样品研发阶段迈入产品级小批量生产阶段。团队此前已先后完成6层、8层、22层堆叠工艺技术验证,并攻克多层堆叠、TGV填孔、UTG刻蚀等关键工艺,该产品在热适配、动态翘曲、Low CTE等方面具有性能优势。

    推荐理由:原文给出玻芯成16层玻璃堆叠GCP从工程样品转入小批量生产的节点,并列出6层、8层、22层堆叠验证与TGV填孔等工艺,可据此观察玻璃基板多层互连的工艺进展。

  6. 第三代半导体产业网AI 摘要39

    总投资约5.5亿元,高透明光学AR眼镜片项目落户浙江黄岩

    上海梵创微科技与黄岩经济开发区签约,总投资约5.5亿元的高透明光学AR眼镜片项目落户黄岩经开区,由凡刻科技(台州)有限公司分两期推进。一期投资约1.5亿元,今年内开工,2027年建成科创中心及先导产线;二期投资约4亿元,建设约50亩生产基地,目标2028年实现年产100吨高纯碳化硅光学材料。项目以光学高透明材料结合光栅刻蚀工艺,主攻定制化AR眼镜片,面向AI眼镜、AR等智能终端。

  7. 第三代半导体产业网AI 摘要22

    BSL(保视丽)亮相SEMICON West 2026,展示超净HDPE桶与PFA管等洁净工艺产品

    半导体高端化学品耗材企业BSL(保视丽)于10月13日在美国旧金山Moscone Center开幕的SEMICON West 2026展出超净系列产品,展位号South Hall 1564。其超净HDPE桶各单项金属杂质析出控制在10ppt以内,满足G5等级高纯化学品包装与储运要求;超净PFA管在金属离子析出与颗粒释放两项指标上达到国际一线水平。BSL已进入国际主流Fab与设备厂商供应链。

  8. 粉体圈AI 摘要22

    面对国产替代冲击,Denka逆势加码电子与创新材料的底气是什么?

    Denka在《The Denka Way》2026年秋季刊特辑中明确将中国大陆及台湾地区视为半导体和电子材料等尖端产业的战略市场,选择逆势加码而非收缩。其2025财年电子、创新板块营收1044亿日元,同比上升122亿日元,策略是向Low-α超细球硅、Al/SiC复合材料、低介电高频专用树脂等更高端材料层级迁移。

  9. Semiconductor TodayAI 摘要62

    英飞凌与 Wolfspeed 将长期 SiC 晶圆供应协议扩展至 200mm

    英飞凌与 Wolfspeed 签署新的多年期协议,将现有的 SiC 衬底长期供应从 150mm 直径晶圆过渡到 200mm 直径晶圆,直接支持英飞凌向 200mm SiC 制造转换。

    推荐理由:英飞凌与 Wolfspeed 将 SiC 衬底供应从 150mm 扩至 200mm,读者可据此了解功率半导体大厂向大尺寸衬底切换的供应链动作。

  10. Semiconductor TodayAI 摘要62

    GlobalFoundries 的 CHIPS 补贴修订,支持纽约和佛蒙特 50 亿美元投资

    美国商务部 CHIPS 计划办公室与 GlobalFoundries 达成协议,修订其现有补贴,重新分配最多 9.55 亿美元激励资金,用于纽约州 Malta 和佛蒙特州 Burlington 工厂的现代化与扩建。

    推荐理由:美国商务部调整对 GlobalFoundries 的 CHIPS 补贴分配,读者可据此了解其纽约和佛蒙特工厂在硅光、硅锗与硅中介层上的扩产方向。

  11. 中国粉体网AI 摘要42

    鼎龙股份2026年前三季度营收29.15亿元,CMP抛光垫收入11.36亿元同比增长43%

    鼎龙股份2026年前三季度实现营业收入约29.15亿元,同比增长8%,归母净利润预计8.4亿元至8.6亿元,同比增长62%-66%,剔除股权转让出表的打印耗材终端业务后净利润同比增幅约73%。CMP抛光垫前三季度销售收入约11.36亿元,同比增长43%,9月出货量创单月历史新高;CMP抛光液及清洗液收入约3.33亿元,同比增长64%,自产研磨粒子搭载率已超80%。

  12. SEMI 中国·半导体AI 摘要62

    英飞凌与Wolfspeed签署200 mm碳化硅晶圆多年期供货协议

    英飞凌与Wolfspeed新签署一项200 mm碳化硅晶圆多年期供货协议,双方原有供货关系从150 mm衬底技术转向200 mm衬底技术。该协议将直接支持英飞凌向200 mm碳化硅制造转型,并增强供应链韧性。

    推荐理由:协议把英飞凌与Wolfspeed的供货关系从150 mm切换到200 mm衬底,读者可据此观察碳化硅衬底尺寸迁移对单位成本和供应链布局的影响。

  13. SEMI 中国·半导体AI 摘要62

    北方华创4.05亿元全资收购混合键合设备商诺合键维

    北方华创微电子拟以现金约4.05亿元收购装备二期基金持有的诺合键维100%股权,双方于10月15日签署股权转让协议。诺合键维成立于2025年,主攻混合键合设备,在光学对准、补偿算法、机械运动控制、精密震动控制、键合头设计等环节取得突破,产品实现纳米级对准精度,可对标海外龙头企业并满足国内客户量产需求。

    推荐理由:收购标的成立仅一年即实现纳米级对准精度的混合键合设备,读者可据此观察国产先进封装装备的整合路径。

  14. 第三代半导体产业网AI 摘要55

    潍坊芯微电子半导体关键设备项目在寿光开工,总投资5.2亿元

    10月11日,潍坊芯微电子设备有限公司半导体关键设备及配件生产加工项目在寿光正式开工,总投资5.2亿元,占地40余亩。项目将新建标准化生产车间及配套设施,购置数控车床、数控加工中心等加工设备128台(套),全面投产后可规模化生产半导体扩散设备、加热炉体、石英制品及核心备件。项目达产后预计年营业收入4.9亿元、利税1.29亿元。

  15. 第三代半导体产业网AI 摘要52

    苏大维格SVG微纳光制造卓越创新中心一期开工,计划2028年底竣工投用

    10月13日,苏大维格在苏州工业园区举行SVG微纳光制造卓越创新中心一期开工仪式,项目利用剩余34亩空地建设,建筑面积6.5万平方米,计划2028年底竣工投用。该中心建成后将作为江苏省重点实验室、微纳光制造先进技术研究院和成果孵化中试基地,聚焦半导体光刻、光学检测、新型显示等领域。苏大维格近两年重点布局半导体掩模缺陷检测和先进封装光刻设备,自主构建激光直写光刻、纳米压印两大核心装备技术体系。

  16. 第三代半导体产业网AI 摘要22

    华中科技大学等联合团队实现780 nm免刻蚀薄膜铌酸锂微腔,本征品质因子达6.6×10⁵

    华中科技大学徐竞团队联合上海交通大学纪幸辰团队、南开大学文花顺团队,在薄膜铌酸锂表面构筑ARP-6200聚合物波导,无需直接刻蚀铌酸锂即实现780 nm布拉格光栅FP微腔,本征品质因子达6.6×10⁵,谐振峰线宽672 MHz。该方案在通信波段薄膜铌酸锂和氮化硅平台分别获得2.2×10⁶和1.9×10⁶的本征品质因子,成果发表于《Laser & Photonics Reviews》。

  17. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    北方华创全资收购诺合键维,布局混合键合设备

    北方华创全资收购北京诺合键维设备有限公司,后者是国内技术领先的混合键合设备公司,产品实现纳米级对准精度,可对标海外龙头企业并满足国内客户量产需求。收购完成后,诺合键维的混合键合技术将与北方华创在刻蚀、薄膜沉积、湿法、热处理等先进封装装备及等离子活化、湿法清洗等环节的技术储备形成互补,增强其在混合键合装备及三维集成全流程装备平台的能力。

    推荐理由:北方华创以全资收购补齐混合键合设备环节,读者可据此了解其在先进封装三维集成装备上的布局思路。

  18. Metrology NewsAI 摘要60

    ETEL 推出 METIS HP 高精度气浮平台,面向半导体扫描应用

    HEIDENHAIN 旗下 ETEL 推出全气浮平面平台 METIS HP,面向直写光刻与高分辨率光学检测等步进扫描半导体应用。该平台采用多自由度 HEIDENHAIN 编码器,无需热漂移补偿即可实现投射工具点测量,控制器可模拟 TTL 位置信号作为触发事件,替代传统干涉仪触发方案,无需在滑架上加装反射镜,也避免空气透镜效应,成本更低。

    推荐理由:ETEL 新平台给出 ±150 nm 精度、1 m/s 扫描速度与 20 m/s² 加速度等指标,可据此判断无掩模光刻与先进封装检测对运动平台的要求。

  19. SEMI 中国·半导体AI 摘要22

    SK海力士推出用于AI计算的3D FeNAND技术

    SK海力士10月14日披露基于铁电三维NAND(3D FeNAND)的模拟内存计算(A-CiM)研究成果,论文已发布于IEEE。该技术利用铁电材料极化状态存储数据并控制电流,可在单个单元内产生多个电流状态,适配AI计算所需的权重数据。模拟显示,基于3D FeNAND的A-CiM实现比传统非易失性存储器高20倍的吞吐量和5000倍的能效。

  20. 中国粉体网AI 摘要26

    苏州星翰新材银包镍复合粉体专利公开,低成本高性能粉体技术加速落地

    苏州星翰新材料科技有限公司申报的《银包镍复合粉体制备方法、银包镍复合粉体及其应用》发明专利由国家知识产权局公开,已进入实质审查阶段。该专利采用球形镍粉前处理与还原沉积工艺,将反应温度控制在40℃以下,在低银含量下实现银层连续致密包覆和强界面结合。粉体可用于半导体电接触材料、封装导电浆料及电磁屏蔽涂层等领域,为电子浆料降本提供新方案。

  21. 粉体圈AI 摘要62

    清华大学用AI辅助设计高介电常数氧化物,芯片电容原型体积缩小约85%

    清华大学材料学院林元华院士团队与合作者提出分层机器学习策略,从候选材料筛选到器件制备验证,建立AI辅助设计介电材料的新路径,并锁定钨青铜结构氧化物,通过Bi/Ge协同取代调控局域极化,获得介电常数约185、介质损耗低于0.0005、介电温度系数约-22 ppm/℃的材料。

    推荐理由:清华大学团队用分层机器学习筛选钨青铜结构氧化物介电材料,并给出介电常数、损耗与温度系数等关键指标,可供介电材料与芯片电容研发参考。

  22. SEMI 中国·半导体AI 摘要62

    拓荆科技拟25亿元收购无锡尚积82.97%股份

    拓荆科技拟通过发行股份及支付现金方式,以合计25亿元收购无锡尚积82.97%股份、上海泰纳微100%股权和无锡宽行100%股权,其中现金对价约6.72亿元、股份对价约18.28亿元,发行价格383.22元/股、发行股份约476.89万股。

    推荐理由:交易对价、股份与现金比例、配套募资投向都已披露,读者可据此判断拓荆在薄膜沉积与刻蚀设备上的产品线补齐路径。

  23. 中国粉体网AI 摘要69

    北京中电科碳化硅器件晶圆全自动减薄机量产交付

    中国电科电子装备集团旗下北京中电科研发的国内首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机交付国内头部晶圆企业,实现量产落地。该设备采用三轴四工位整机架构,集成自动传输与清洗单元,实现干进干出全自动化加工,对8英寸碳化硅晶圆可稳定磨削至最低120微米,每小时产出不少于15片,磨削后晶圆内部厚度偏差控制在3微米以内。

    推荐理由:国产碳化硅器件晶圆全自动减薄机首次量产交付,文中给出8英寸晶圆磨削至120微米、每小时不少于15片等量产指标,可供判断国产减薄装备的工艺水平。

  24. 第三代半导体产业网AI 摘要58

    拓荆科技拟发行股份及支付现金收购无锡尚积半导体82.97%股份等标的

    拓荆科技10月15日发布董事会说明,拟通过发行股份及支付现金的方式购买无锡尚积半导体科技股份有限公司82.97%股份、上海泰纳微企业管理有限公司100%股权和无锡宽行企业管理有限公司100%股权,并募集配套资金。公司称已就本次交易采取严格保密措施及保密制度,包括控制知悉范围、签订保密条款、登记内幕信息知情人等。

  25. 中国粉体网AI 摘要22

    芯片良率的“守门人”,也离不开这块多孔陶瓷!

    多孔陶瓷作为半导体先进制程检测设备的关键功能材料,可用于真空吸盘、精密气体过滤与颗粒捕集、热管理组件。采用优化孔径结构的多孔陶瓷吸盘后,吸附均匀性可提升30%以上,晶圆面内高度差控制在3μm以内;孔径控制在5μm以下、孔隙率35%~45%时,对0.3μm以上颗粒捕集效率达99.7%以上。SEMI预测全球半导体测试设备销售额将从2025年的117亿美元增长至2028年的208亿美元。

  26. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要71

    电科装备首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机量产交付

    中电科电子装备集团下属北京中电科公司自主研制的首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄机近期交付国内头部晶圆企业并实现量产应用,该公司由此形成覆盖碳化硅晶锭、晶片、器件晶圆全流程的成套解决方案。设备采用三轴四工位整机结构,集成自动化传输与清洗单元,经量产实测8英寸碳化硅晶圆最低可稳定磨削至120微米,单位小时产出不低于15片,磨削后晶圆内厚度偏差稳定控制在3微米以内。

    推荐理由:国产8英寸碳化硅晶圆全自动减薄机交付头部晶圆厂量产,给出了磨削厚度、产出与厚度偏差等实测数据,可据此判断国产减薄设备的工艺水平。

  27. 全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要26

    台积电2026年第三季度营收1.49万亿新台币创历史新高,AI芯片需求拉动利润超预期

    台积电10月15日发布2026年第三季度财报,合并营收1.49万亿新台币(约463.6亿美元),同比增长50.9%,净利润7631亿新台币,同比增长68.7%,均创历史新高并超市场预期。3纳米晶圆占晶圆收入33%,7纳米及以下先进制程合计占79%,高性能计算业务营收占比68%。公司预计第四季度营收523亿至543亿美元,维持全年资本支出600亿至640亿美元不变。

  28. 全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要62

    季丰电子创业板IPO通过上市委审议,拟募资9.24亿元

    10月15日,深交所上市审核委员会2026年第58次会议审议通过上海季丰电子创业板首发申请,公司拟募集资金9.24亿元,投向浦东技术中心、车规级高可靠量产测试服务建设、芯片中试平台工程技术研发等项目。

    推荐理由:季丰电子创业板IPO过会,招股书披露的三年营收利润与募资投向,可用于观察第三方半导体检测服务的需求结构。

  29. SEMI 中国·半导体AI 摘要55

    雅克科技与投资人共同对江苏雅睿增资17.89亿元

    雅克科技公告拟与招银金投、中信证投、宜兴国金及其他投资人共同对全资子公司江苏雅睿增资扩股,增资金额不超过17.89亿元,其中雅克科技拟增资不超过4.39亿元。增资前江苏雅睿注册资本为1.11亿元,增资完成后将提升至不超过19亿元,雅克科技仍为第一大股东并保持控制权。江苏雅睿以面向先进制程及先进封装的金属前驱体材料、半导体光刻胶为核心业务。

  30. SEMI 中国·半导体AI 摘要12

    字节跳动据称洽购联发科AI芯片

    字节跳动拟为旗下数据中心洽购联发科定制芯片,双方即将就采购达成协议。联发科将提供不定额数量的ASIC或按客户平台需求定制的芯片,若交易达成,字节跳动有望成为联发科继谷歌之后第二家大型ASIC客户。

  31. Compound SemiconductorAI 摘要62

    英飞凌与 Wolfspeed 签署 200mm SiC 晶圆多年供应协议

    英飞凌与 Wolfspeed 签署新的 200mm SiC 晶圆多年供应协议,将双方原有供应关系从 150mm 衬底技术转为 200mm。英飞凌 COO Alexander Gorski 表示,该协议拓宽了其 200mm 大规模制造的供应基础,并建立在两家公司 20 年供应关系之上。

    推荐理由:英飞凌与 Wolfspeed 的 200mm SiC 衬底长约,把双方 20 年供应关系从 150mm 升级到 200mm,可据此观察大尺寸 SiC 衬底的供应格局。