先进陶瓷在坦克装甲、导弹天线罩等武器装备中的应用
先进陶瓷凭借高温强度、耐磨、低密度和耐腐蚀性能，被广泛应用于防弹衣、坦克装甲、导弹天线罩及隐身材料等武器装备领域。氮化硅陶瓷在1400℃、碳化硅陶瓷在1700℃时强度仍达700MPa，氧化铝、碳化硼、碳化硅是装甲防护的三种主要单相陶瓷。薄介质MLCC和压电陶瓷也已在宇航装备与声纳系统中广泛应用。
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今日 0 条中国粉体网AI 摘要AI 评分66 中国粉体网AI 摘要AI 评分88 包头稀土研究院邀您出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
包头稀土研究院作为参展单位，邀请业界出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 南京孚克讯新材料将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
南京孚克讯新材料有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。该大会将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件和先进光学元件制造中的应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 湖南格善新材料将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
湖南格善新材料科技有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。该大会将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件和先进光学元件制造中的应用。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4848 盛美上海披露在手订单：170.73亿元，同比增88.20%
盛美上海截至2026年9月29日在手合同订单总金额达170.73亿元，同比增长88.20%。该数据包含已交付但尚未完成收入确认及后续计划交付的设备订单，未经审计。公司主营清洗、电镀、PECVD等半导体设备，2026上半年实现营业收入37.18亿元，归母净利润9.89亿元。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4747 晶合集成拟增资安徽晶镁，布局28nm及以上光罩业务
晶合集成拟以全资子公司合肥晶为100%股权作价9.08亿元参与增资安徽晶镁，持股比例将由16.6667%提升至32.1599%。安徽晶镁聚焦28nm及以上工艺节点半导体光罩研发与生产，项目一期规划总投资65亿元，满产后月产能约3200片，预计2027年投产。增资完成后安徽晶镁注册资本将增至约32.47亿元。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分2121 三星电机获近2900亿韩元AI服务器MLCC订单
三星电机与一家全球大型企业签订约2856.11亿韩元AI服务器用MLCC供货合同，交付期为2027年1月1日至2027年12月31日。这是三星电机2026年对外披露的第六份AI服务器MLCC长期供货协议，此前多笔同类型长协订单交付时间均安排在2027年。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 瑞萨电子推出首批100V E-mode GaN FET，扩展低压GaN产品组合
瑞萨电子推出首批100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管，将GaN产品组合扩展至低压应用。新器件包括RTP100E005G1FL等四款型号，RDS(on)范围为5–1.2mΩ，硬开关FOM降低达35%，软开关FOM降低达63%。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2424 Skyworks 完成与 Qorvo 的合并
Skyworks 于 10 月 6 日宣布完成与 Qorvo 的合并，整合双方 RF、电源管理及模拟半导体业务。合并后公司拥有约 8000 名工程师和超过 12,000 项已授权及在审专利，技术组合扩展至 RF GaN、低压电源和有线宽带领域。公司预计交割后 24–36 个月内实现每年 500m 美元或以上的成本协同效应，并继续以 Skyworks 名义运营，股票代码为 SWKS。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分99 Qorvo 推出面向 AESA 雷达的 X 波段射频前端方案
Qorvo 推出面向有源电子扫描阵列（AESA）雷达的 X 波段射频前端方案，核心为四通道 7.9–12GHz 波束赋形 IC QPX0252。该芯片可直接驱动 QPF5012 等 FEM，无需外部驱动放大器，级联输入 P1dB 较市场同类产品提升最高 20dB。QPX0252 样品及评估套件现已提供。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1616 Qorvo推出基于BAW频率捷变与GaN功率的C波段雷达前端
Qorvo推出面向脉冲ESA系统的C波段雷达前端方案，包含集成BAW开关滤波器组QPB1055及50W、200W GaN功率放大器。QPB1055实现5.2–5.9GHz连续覆盖；QPA2311提供55% PAE，QPA0018省去外部高功率驱动级。所有器件样品和评估套件现已提供。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2121 Navitas 完成收购 Claros，将 AI 基础设施供电产品组合从电网扩展至 xPU
Navitas Semiconductor 完成对电源管理公司 Claros 的收购，将其集成稳压器（IVR）技术纳入 AI 基础设施供电产品组合。Claros 的 pIVR 和 eIVR 产品支持垂直供电（VPD）与嵌入式供电（EPD）架构，结合 Navitas 的 GaN、SiC 及新 JFET 技术覆盖从电网到 xPU 的完整链路。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3030 Mivium 展示相纯 h-GaN 纳米颗粒的商业化生产能力
Mivium 利用专有技术平台实现了高纯度亚微米 GaN 颗粒的生产。独立第三方表征确认其产出的相纯六方纤锌矿 h-GaN 颗粒粒径分布为 300–500nm，具备多晶结构和高刻面形貌，可扩展至工业级产能。Mivium 于 7 月完成 $4.23m 私募融资，累计融资超 $10.5m，正推进基于该粉末平台的 GaN 薄膜研发。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3636 KnowMade：2026年Q2功率GaN专利发布由工业受让人主导
KnowMade报告显示，2026年Q2功率GaN领域约500个专利族发布、约800件新专利获授权，工业受让人主导了专利申请。Innoscience、Texas Instruments和Samsung在新授权专利数量上处于相近水平，WaveLord在晶圆和外延片环节领先。该季度新增约100家参与者，其中约70%为中国公司，约75%的新进入者集中在电路与应用环节。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3434 KnowMade：2026年Q2中国占新增RF GaN专利族多数
KnowMade发布RF GaN技术专利监测报告，2026年第二季度全球新公开超110个RF GaN专利族，其中中国申请人贡献超70个。当季超80个专利族首次获得授权，中国IP主体占超50个，CETC和西安电子科技大学领先。该季度新进入者超30家，多为中企，Unicompound Semiconductor披露了3项涉及HEMT器件工程的发明。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分99 Photon Design 将 HAROLD QD 量子点激光器仿真工具运行时间缩短一半以上并提升精度
Photon Design 升级了 HAROLD QD 3D 量子点仿真工具，在标准工作站或笔记本上即可将计算运行时间缩短一半以上。该工具采用八带 k·p 能级模型模拟量子点结构、尺寸与分布，可计算 3D 应力应变并生成增益和吸收光谱。其与 PICWave 的集成支持包含光栅和扩展腔的动态 3D 电路仿真。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要AI 评分2727 从工艺学习到生产控制：先进封装趋势及其对量测与测试的影响
一种集成方法可加速先进封装的工艺开发并维持生产控制。2.5D interposer、CoWoS、混合键合和3D堆叠等异构集成的爆发式增长，正重新定义“工艺爬坡”的含义。先进封装的良率敏感性和缺陷机制与前道逻辑或标准封装根本不同，行业亟需专用的量测、表征与分析框架应对规模化挑战。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要AI 评分4242 先进芯片量测与检测如何弥合可见性差距
单一测试、检测或量测技术无法完整呈现先进芯片全貌，提升缺陷覆盖率日益依赖不同检测手段间的数据关联。Nordson Test & Inspection指出X射线和电学测试聚焦芯片互连，但焊料裂纹等缺陷可能通过电学测试却在长期运行中提前失效。ZEISS Microscopy强调高分辨率X射线扫描会产生GB甚至TB级数据，需结合启发式方法定位检测区域。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要AI 评分2222 混合键合与先进封装的过程控制：如何在关键缺陷演变为高成本失效前将其检出
先进封装制造商需在统一工作流中整合高灵敏度2D检测、高速红外亚表面检测和3D量测，以在关键缺陷演变为高成本失效前将其检出。随着键合间距缩小，CMP等工艺步骤对检测灵敏度和过程控制提出更严格要求。有效分类可区分影响良率的缺陷与干扰缺陷，帮助工程师在不降低产能的前提下做出更早的处置决策。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1818 SawStreet 加入 WIN Semiconductors 的 WIN Alliance Partner Program
美国半导体后道服务商 SawStreet 加入 WIN Semiconductors 的 WIN Alliance Partner Program，为客户提供晶圆研磨减薄、切割、贴片及芯片检测服务。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1818 METLEN签署第二份长期商业镓供应协议
希腊METLEN与一家日本大型化工企业签署长期商业镓供应协议，供应量最高占其希腊在建工厂年产量的16%。该工厂规划年产能50MT，计划2027年第三季度开始商业化生产。这是METLEN宣布的第二份镓供应战略商业安排，预计全部产能在投产前数月即售罄。
Charged EVsAI 摘要AI 评分5353 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型碳化硅衬底
Wolfspeed宣布其Premium 200 mm n型碳化硅（SiC）衬底正式商用并开始接受订单。该衬底经X射线形貌术验证，微管密度低于0.01个/cm²，即每片晶圆少于3个，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性来改善器件良率。Wolfspeed表示已在现有SiC制造工厂内预留专用产能，并具备扩产能力。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2020 瑞萨电子扩展低压 GaN 产品线，推出首款 100V E-mode GaN FET
瑞萨电子推出首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，包含 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC 四款型号。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分3838 费勉科技启动A股IPO辅导备案
费勉科技近日在上海证监局完成上市辅导备案登记，正式启动A股IPO相关工作，华泰联合证券担任辅导机构。该公司主营半导体量测与薄膜制备设备，产品覆盖超高真空薄膜沉积设备、X射线光电子能谱量测设备等。其股东包含哈勃投资、深创投、复旦科创等产业资本。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3636 名古屋大学团队实现超低接触电阻的 p-GaN 欧姆接触工艺
名古屋大学联合多所高校，通过在 p-GaN 表面沉积亚 10nm 镁膜并经 600°C、5 分钟软退火及 HCl 清洗，实现了 1-3 x 10⁻⁴ Ω cm² 的超低比接触电阻。该低热预算工艺可避免干法刻蚀损伤，适用于 HBT、UV LED 和激光器等需要超薄 p-GaN 层的器件。 （注：摘要中“10⁻⁴”对应原文“10 -4”，因纯文本格式限制采用标准上标写法。）
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 KnowMade：2026年Q2功率GaN专利动态
KnowMade发布的2026年Q2横向功率GaN专利监测报告显示，该季度约500个专利家族公开，约800件新专利获得授权，发明集中于增强型晶体管及热管理。Innoscience在新公开和新授权专利方面表现突出，Texas Instruments和Samsung的新授权专利数量与之相当。该季度新增约100个参与者，其中约70%为中国公司，约75%通过电路与应用环节进入。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2323 UCSB利用V型缺陷提升绿光LED效率
加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）研究人员通过V型缺陷与优化AlGaN盖层，将绿光III-N LED外量子效率峰值提升至44%，电光转换效率达37%。该器件在图形化蓝宝石衬底上经MOCVD生长，结合分布式布拉格反射镜（DBR）提高光提取率。团队计划进一步研究AlGaN盖层对横向载流子注入的影响，以提升长波长LED效率。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1515 Navitas与Microchip合作推出面向AI数据中心的800V参考设计
Navitas与Microchip合作推出面向AI数据中心机架电源的800V DC至6V DC参考设计。该方案采用16颗NV6034 650V GaNFast FET、dsPIC33AK数字信号控制器及TA100 CryptoAuthentication器件，在1MHz开关频率下实现96%峰值效率和2100W/in³功率密度，符合OCP 800V DC标准。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1414 FBH 等机构利用远紫外 LED 实现 1.5Gbps 数据传输创纪录速度
德国 FBH、英国斯特拉斯克莱德大学与剑桥大学研究人员利用新型远紫外 LED，在 30cm 距离内实现了最高 1.5Gbps 的数据传输速率。该器件发光波长低于 235nm，FBH 通过将发光面分割为多个小区域降低结电容并提高电流密度，从而获得更高调制带宽。此成果创下 235nm 以下波段无线光通信的速率纪录，未来有望用于自动驾驶和无人机等非视距户外通信。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3636 苏科斯完成 4000 万元 A 轮融资，加码半导体湿制程设备国产替代
半导体湿制程设备供应商苏科斯近日完成 4000 万元 A 轮融资，由昆山高新创投、浦东科投、南京河西国资联合投资。公司核心产品包括晶圆电镀设备和 TGV 电镀设备，覆盖 RDL、TSV、TGV 电镀及清洗、蚀刻等湿法装备。本轮资金将用于产品迭代、产能扩充与市场拓展。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 薄 AlGaN 势垒大幅提升 GaN HEMT 短路可靠性
电子科技大学联合四川爱联科技、深圳平湖实验室通过引入 11 nm 厚 AlGaN 势垒，使 GaN HEMT 在 450 V 母线电压下耐受 12,000 次重复短路循环。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1414 Navitas Semiconductor 与 Microchip 推出面向 AI 数据中心的 800V 参考设计
Navitas Semiconductor 与 Microchip 联合推出面向 AI 数据中心机架电源的 800V DC-to-6V DC 参考设计。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1212 Northrop Grumman 发布 FORTITUDE GaN 芯片，信号质量提升 20 倍
Northrop Grumman 发布米粒大小的 GaN 芯片 FORTITUDE，可为雷达、GPS、电子战及未来 6G 系统提供 3 倍功率和 20 倍信号质量。该器件此前名为 Super Lattice Castellated Field Effect Transistor，在美国制造，可替代数十个组件以减轻重量并降低功耗。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1212 ERZIA 升级 New Space (-NS) 系列放大器环境等级
ERZIA 将其 New Space (-NS) 系列 GaAs/GaN 放大器的环境耐受等级全面升级，产品线已扩展至 20 款。随机振动从 8 g RMS 提升至 23.5 g RMS，冲击达 1,414 g（SRS, Q = 10），辐射总剂量 DC 段为 30 krad(Si)、RF 段超 300 krad(Si)，符合 ECSS-E-ST-10-03C 等标准。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2828 KnowMade发布Q2 2026 RF GaN技术专利监测报告
KnowMade发布Q2 2026 RF GaN技术专利监测报告，当季公开超110个新专利族，中国实体占超70个。超80个专利族获首次授权，CETC和西安电子科技大学领先，NXP以10个新公开专利族居海外企业首位。超30家新进入者加入该领域，多数为中国实体。
Charged EVsAI 摘要AI 评分1414 Microchip 推出 LAN8679 和 LAN8680 收发器，将 10BASE-T1S 扩展至区域架构边缘节点
Microchip 推出 LAN8679、LAN8680 两款 PMD 收发器及 LAN8660X/1X/2X 端点系列，将 10BASE-T1S 单对以太网扩展至区域架构边缘节点。器件符合 AEC-Q100 和 ISO 26262 标准，工作温度 -40°C 至 125°C。在多点拓扑中多个节点共享单条总线，可减少线束重量并省去网关，目前处于限量送样阶段。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4242 浙大团队《PRL》揭示空穴掺杂调控硅压力诱导相变新机制
浙江大学团队在《PRL》发表研究，首次实验证实高浓度空穴掺杂是硅压力诱导相变路径的关键调控因素。微米压痕结合微拉曼光谱测试显示，重硼掺杂硅非晶化概率约60%，轻硼掺杂仅约20%；B/P共掺补偿空穴后降至约33%和30%。该成果为晶圆切片、研磨、抛光等高压接触加载工业过程的加工损伤调控提供了新思路。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4747 费勉科技启动 IPO 辅导，国产 MBE 设备企业冲刺资本市场
费勉科技近日正式启动 IPO 辅导，辅导机构为华泰联合证券。公司自研晶圆级 MBE 系统已批量交付国内头部半导体企业，应用于 5G 通讯、红外探测等领域，累计专利超 200 项。2026 年 5 月公司完成数亿元 C 轮融资，投资方包含华为哈勃、深创投等。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 华为发布 Mate90 系列及基于韬定律的新一代麒麟芯片
华为于10月1日发布Mate90系列四款机型，全系搭载基于韬定律打造的新一代麒麟芯片。旗舰款麒麟9050 Pro晶体管密度达2.38亿每平方毫米，较上代提升28%，整机性能提升31%，是首款完整落地逻辑折叠核心技术的芯片。华为依托韬定律已完成381款芯片设计与量产。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3636 时代电气SiC产线稳步爬坡，预计2027年中期达成首阶段设计产能
时代电气SiC功率半导体产线持续爬坡，现有工艺能力可支撑第五代SiC器件技术迭代，预计2027年中期实现第一阶段设计产能。公司坚持IDM全产业链模式，将功率半导体业务定位为新兴装备业务核心板块。此外，公司中标墨西哥帕丘卡15列车ETCS车载项目，订单金额6155万元。