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10月17日周六
  1. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    源杰科技光电通讯半导体芯片二期项目首批设备将进厂,总投资约12.51亿元

    源杰科技10月16日公告,光电通讯半导体芯片和器件研发生产基地二期项目土建、部分洁净室及配套设施已完工,首批生产设备预计近期进厂调试,计划2026年底至2027年初逐步形成产能。项目总投资约12.51亿元,规划新建光芯片产线、厂房及配套基础设施。公司另将50G光芯片产业化建设项目投资由4.87亿元上调至7.57亿元,达产时间顺延至2026年12月末。

    推荐理由:原文给出二期项目的投资额、洁净室完工状态和设备进厂节点,读者可据此判断光芯片产线设备需求与产能释放节奏。

  2. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    鲁汶仪器临港研发总部和制造基地项目公示,总投资约13.71亿元

    鲁汶仪器临港研发总部和制造基地项目设计方案公示,由全资子公司上海鲁汶半导体科技实施,总投资约13.71亿元,用地约4.33万平方米、总建筑面积约8.19万平方米。

    推荐理由:原文给出鲁汶仪器临港基地的投资额、建筑面积与拟建产线,读者可据此判断其12英寸机台产能扩张节奏。

10月16日周五
  1. 艾邦半导体网AI 摘要52

    中国宏光TGV玻璃基板产业化基地落户武汉光谷

    中国宏光控股10月15日公告,合资公司宏梦芯材(深圳)半导体科技有限公司武汉分公司已于10月13日完成工商注册,TGV玻璃基板产业化基地正式落户武汉光谷。该基地承担技术研发、中试线建设、量产制造及华中区域供应链对接,产品面向AI先进封装产业链,并聘任华中科技大学胡兵教授任技术总监兼总经理。下一阶段重点包括厂房改造、中试产线方案设计、设备采购与入场、工艺验证及供应商开发。

  2. 第三代半导体产业网AI 摘要39

    总投资约5.5亿元,高透明光学AR眼镜片项目落户浙江黄岩

    上海梵创微科技与黄岩经济开发区签约,总投资约5.5亿元的高透明光学AR眼镜片项目落户黄岩经开区,由凡刻科技(台州)有限公司分两期推进。一期投资约1.5亿元,今年内开工,2027年建成科创中心及先导产线;二期投资约4亿元,建设约50亩生产基地,目标2028年实现年产100吨高纯碳化硅光学材料。项目以光学高透明材料结合光栅刻蚀工艺,主攻定制化AR眼镜片,面向AI眼镜、AR等智能终端。

  3. 第三代半导体产业网AI 摘要55

    潍坊芯微电子半导体关键设备项目在寿光开工,总投资5.2亿元

    10月11日,潍坊芯微电子设备有限公司半导体关键设备及配件生产加工项目在寿光正式开工,总投资5.2亿元,占地40余亩。项目将新建标准化生产车间及配套设施,购置数控车床、数控加工中心等加工设备128台(套),全面投产后可规模化生产半导体扩散设备、加热炉体、石英制品及核心备件。项目达产后预计年营业收入4.9亿元、利税1.29亿元。

  4. 第三代半导体产业网AI 摘要52

    苏大维格SVG微纳光制造卓越创新中心一期开工,计划2028年底竣工投用

    10月13日,苏大维格在苏州工业园区举行SVG微纳光制造卓越创新中心一期开工仪式,项目利用剩余34亩空地建设,建筑面积6.5万平方米,计划2028年底竣工投用。该中心建成后将作为江苏省重点实验室、微纳光制造先进技术研究院和成果孵化中试基地,聚焦半导体光刻、光学检测、新型显示等领域。苏大维格近两年重点布局半导体掩模缺陷检测和先进封装光刻设备,自主构建激光直写光刻、纳米压印两大核心装备技术体系。

10月15日周四
  1. 艾邦半导体网AI 摘要62

    芯爱科技启动P2工厂建设并发布P3工厂规划,P2已完成超10亿元融资

    10月13日,芯爱科技在南京举行五年砺行暨战略发布会,启动P2工厂建设并发布P3工厂中长期发展规划。P2工厂已完成超10亿元融资,预计2027年5月正式通线投产;今年9月签约落地的P3工厂将新建年产超70万片的高端基板智能化产线,预计2027年6月启动建设,建成三年内满产,新增年产值60亿元。

    推荐理由:原文给出芯爱科技P2、P3两座工厂的融资额、投产与建设时间及年产值目标,可据此判断其高端封装基板产能释放节奏。

  2. SEMI 中国·半导体AI 摘要62

    消息称特斯拉Terafab将于2027年年中接收首台ASML EUV光刻机

    据知情人士透露,马斯克旗下Terafab半导体项目将于2027年年中接收首台ASML极紫外(EUV)光刻机。特斯拉今年4月在奥斯汀Giga Texas北侧厂区为晶圆厂举行动工仪,研究机构SemiAnalysis此前预计Terafab建筑将在15个月内竣工,并需要六个月时间安装设备和生产设施,随后才能开始处理晶圆,这意味着光刻机台交付后可能会闲置一段时间。

    推荐理由:原文给出Terafab首台EUV光刻机的接收时点与厂房竣工、设备安装的时间差,读者可据此判断该晶圆厂设备进场节奏。

  3. 中国粉体网AI 摘要42

    万华化学蓬莱1200t WGS工业化项目公示,瞄准钨CMP专用硅溶胶

    万华化学集团(蓬莱)特种助剂有限公司年产1200t WGS工业化项目生态环境影响报告书报批前公示,项目位于烟台蓬莱化工产业园,将新建一套年产1200t WGS装置及配套辅助、环保工程。WGS是用于钨CMP工艺的专用硅溶胶,作为抛光液核心磨料支撑晶圆平坦化。目前WGS全球市场体量约6万吨、规模约22亿元,预计2030年达8.8万吨、突破30亿元。

  4. 粉体圈AI 摘要62

    富士胶片投资1800万美元扩大美国CMP浆料产能及产品组合

    富士胶片FUJIMI于10月13日宣布投资1800万美元,扩产亚利桑那州美国公司的铜互联CMP浆料,并建立可实现多产品制造的新生产设施,计划于2027年启动运营。新设施将把CMP浆料应用从BEOL铜互连扩展到FEOL和MOL,以满足先进封装、混合键合等多样化半导体制造工艺需求。富士胶片2026财年第一季度半导体材料业务收入849亿日元,同比增长31.3%,其中铜互连CMP抛光液显著增长。

    推荐理由:原文给出富士胶片1800万美元CMP浆料扩产的投资额、新设施投产节点和产品组合扩展方向,读者可据此判断半导体CMP材料在先进封装环节的供给变化。

  5. SEMI 中国·半导体AI 摘要62

    格罗方德将在纽约州马耳他新建两座300毫米晶圆厂

    格罗方德10月14日宣布,已被选定为纽约州马耳他市两座新晶圆厂的技术提供商和运营商,项目隶属美日共同发起、提供高达210亿美元资金支持的计划。约100亿美元初期投资将加速建设一座300毫米半导体晶圆厂,预计2029年投产,全面投产后年增约90万片300毫米晶圆产能;另外约100亿美元用于建设第二座晶圆厂,产能大致相同。

    推荐理由:原文给出两座晶圆厂各约100亿美元投资、2029年投产节点和90万片年产能,可据此判断美日联合支持下的300毫米产能释放节奏。

10月14日周三
  1. SEMI 中国·半导体AI 摘要62

    芯爱科技启动P2工厂建设,P3工厂规划年产超70万片高端基板产线

    芯爱科技在10月13日战略发布会上正式启动P2工厂建设,该工厂预计2027年5月正式通线投产。今年9月完成签约落地的P3工厂将新建年产超70万片的高端基板智能化产线,预计2027年启动建设、2028年实现量产。公司同时宣布完成超10亿元战略融资,重点投向AI与芯粒架构先进封装基板产能扩建、高阶制程技术迭代及核心客户交付保障,并计划推进P4、P5工厂统筹规划。

    推荐理由:原文给出芯爱科技P2、P3工厂的投产与量产时间表及超10亿元融资用途,可据此判断先进封装基板产能释放节奏。

  2. 中国粉体网AI 摘要42

    河南有色金源拟建年产600吨电子级球形硅微粉项目

    河南有色金源实业有限公司拟投资2500万元在开封尉氏县建设高纯石英制备先进电子封装用球形硅微粉项目,达产后形成年产600吨球形硅微粉生产线1条。项目采用火焰熔融球化工艺,以天然气+氧气形成1600-1700℃高温火焰,产出5μm-30μm规格成品,球化率与球形度对标GB/T32661-2016。

  3. 第三代半导体产业网AI 摘要58

    苏大维格3.5亿元SVG微纳光制造卓越创新中心在苏州开工

    10月13日,苏大维格SVG微纳光制造卓越创新中心在苏州工业园区新昌路68号开工,面向先进封装、新型显示、AR光学等赛道。该中心为2021年定增募投项目之一,投入募集资金3.5亿元,建设内容包括建筑工程、设备及实验室,预定可使用状态日期为2028年12月31日;截至6月30日累计投入3,269.01万元,投资进度9.34%。

  4. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    四象半导体零部件项目合肥Fab北区封顶,总投资7.5亿元

    四象半导体位于合肥高新区的半导体部件总部生产基地项目Fab车间北区已封顶,南区屋面主体施工中,动力站及废水处理站已封顶。项目占地约40亩,总建筑面积约4.6万平方米,总投资7.5亿元,2025年12月开工,预计2026年底竣工投产,全面达产后年产硅电极、硅环、石英环等关键部件27.6万片。

    推荐理由:项目给出总投资、占地、封顶节点与达产产能,可据此判断半导体刻蚀耗材国产替代产线的建设节奏与释放时点。

  5. 第三代半导体产业网AI 摘要52

    天水秦州与江苏卓远半导体签约12英寸电子级晶棒及MPCVD金刚石材料生产线项目

    10月12日,天水市秦州区人民政府与江苏卓远半导体有限公司签约12英寸电子级晶棒及MPCVD金刚石材料生产线项目。卓远半导体核心技术聚焦MPCVD金刚石技术与12英寸硅基晶圆方向,其自主研发的MPCVD金刚石长晶炉打破国外技术封锁,碳化硅衬底技术位居国内前列。秦州区表示该项目将助力当地打造电子信息产业集群。

  6. SEMI 中国·半导体AI 摘要60

    国鑫能源年产600万克拉金刚石及半导体应用产品项目落户鄂尔多斯高新区

    鄂尔多斯市国鑫能源有限公司年产600万克拉金刚石及半导体应用产品项目于10月12日在鄂尔多斯高新区签约,项目总投资57亿元。项目计划建设从金刚石合成、切割、磨抛到半导体应用的全产品链条研发、生产和销售体系,主要生产金刚石单晶、尖晶、热沉片、金刚石铜、彩色钻石等产品,达产后预计年销售收入23亿元,创造就业岗位450个。

    推荐理由:项目披露了57亿元总投资和600万克拉年产能,并覆盖金刚石合成到半导体应用的全链条,可据此了解金刚石在半导体热沉等环节的产能布局节奏。

  7. 第三代半导体产业网AI 摘要60

    昕感科技合肥制造中心启动运营,车规功率模块产线进入产能爬坡

    10月10日,昕感科技集团合肥制造中心在合肥经济技术开发区启动运营,创始人王哲称从项目落地到首样产品下线用时不足一年。该中心产线已全线贯通并将进入产能爬坡阶段,产品面向新能源汽车、光储充、固态变压器、高压直流输电、AI数据中心、eVTOL等市场。仪式现场,安徽大学与合肥昕感为《功率半导体可靠性与创新技术联合实验室》揭牌;蔚来汽车高级副总裁曾澍湘表示,双方此前已共建车规功率半导体联合实验室。

    推荐理由:合肥制造中心从落地到首样下线不足一年,并已与蔚来共建车规功率半导体联合实验室,可据此观察国产车规功率模块的产能爬坡节奏。

  8. SEMI 中国·半导体AI 摘要60

    精智达存储测试设备产业化智造项目在深圳龙华开工

    10月10日,精智达存储测试设备产业化智造项目在深圳市龙华区正式开工,将建设集研发、智造与综合配套于一体的半导体存储测试设备产业化基地。项目总用地面积约1.1万平方米,计容建筑面积约4.2万平方米。项目建成后将完善公司研发制造布局,提升设备规模化生产与交付能力。精智达成立于2011年,专注半导体测试检测设备及系统解决方案,2023年在上海证券交易所科创板上市。

    推荐理由:精智达存储测试设备产业化基地在深圳龙华开工,给出了用地与建筑面积,可据此观察其半导体测试设备的产能与交付布局。

10月13日周二
  1. 第三代半导体产业网AI 摘要58

    国鑫能源57亿元金刚石及半导体应用产品项目签约鄂尔多斯高新区

    10月12日,鄂尔多斯市国鑫能源有限公司年产600万克拉金刚石及半导体应用产品项目在鄂尔多斯高新区签约,总投资57亿元。项目计划建设从金刚石合成、切割、磨抛到半导体应用的全产品链条研发、生产和销售体系,主要生产金刚石单晶、尖晶、热沉片、金刚石铜、彩色钻石等产品,达产后预计年销售收入23亿元,创造就业岗位450个。

  2. 中国粉体网AI 摘要52

    江苏金湖与湖南益阳两地碳化硅零部件项目开工扩产

    江苏金湖县经济开发区引进的高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目正式开工,由泰坦未来半导体(江苏)有限公司投资,盘活闲置地块67亩、改造厂房1.25万平方米、新建厂房5100平方米,全面投产后可年产20万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品,实现销售6亿元。

  3. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    精智达存储测试设备产业化智造项目在深圳龙华开工

    10月10日,精智达存储测试设备产业化智造项目开工仪式在深圳龙华举行,该项目为公司定增募投重点工程,建成后将成为集研发、智造与综合配套于一体的半导体存储测试设备产业化智造基地。精智达董事长张滨表示,2025年公司营业收入超过11亿元,半导体设备业务占比接近60%,2026年上半年半导体业务同比增长近150%。公司今年公布近30亿元战略投资计划,龙华基地是其中关键一环。

    推荐理由:精智达龙华存储测试设备智造基地开工,原文给出定增募投背景与半导体业务增长数据,可观察国产测试设备产能扩张节奏。

10月12日周一
  1. 艾邦半导体网AI 摘要78

    国内首条3D先进封装量产线在光谷通线

    9月30日,湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目正式通线,被称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元,二期从2025年10月开工到通线用时11个月,全面建成后可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产,以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。

    推荐理由:原文给出二期通线节点、投资规模与可承载的芯片中试和国产设备验证数量,读者可据此判断先进封装产能与设备验证需求的释放节奏。

  2. SEMI 中国·半导体AI 摘要62

    立川半导体设备研发生产基地项目开工,总投资10.5亿元

    立川半导体设备研发生产基地项目于10月10日上午在张家港高新区(塘桥镇)开工,总投资10.5亿元,拟建设高标准生产车间、研发中心及配套设施。一期建成投产后预计年产8英寸及12英寸全自动探针台500台、晶圆研磨设备100台套、质量检测设备20台套,全部达产后预计年产值超7亿元。

    推荐理由:原文给出立川半导体设备基地的投资额、开工时间与探针台、晶圆研磨、检测设备的年产能规划,可据此判断其设备供给节奏。

  3. 第三代半导体产业网AI 摘要62

    立川半导体设备研发生产基地在张家港开工,总投资10.5亿元

    10月10日,张家港高新区(塘桥镇)立川半导体设备研发生产基地项目开工,总投资10.5亿元,拟建设高标准生产车间、研发中心及配套设施。一期建成投产后预计年产8英寸及12英寸全自动探针台500台、晶圆研磨设备100台套、质量检测设备20台套,全部达产后预计年产值超7亿元。同日,测迅智能网联汽车测试设备生产与检测服务中心项目签约,计划总投资3亿元,两个项目总投资13.5亿元。

    推荐理由:原文给出立川半导体设备基地的投资额、探针台与晶圆研磨设备年产能及产值目标,可据此判断其半导体设备供给节奏。

  4. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要47

    村田子公司冈山村田计划90亿日元投建陶瓷原料产线,配套MLCC生产

    村田制作所旗下冈山村田制作所计划投入约90亿日元,在现有厂区建设陶瓷原料新产线,2026年10月动工、2028年4月投产,新增产能规模未披露。该产线生产的高纯度超微粒陶瓷粉体是MLCC核心上游原材料,主要供给村田集团内部元器件生产。村田2026财年已安排2500亿日元资本支出,其中追加800亿日元用于AI服务器相关MLCC产能扩充。

  5. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要55

    住友电木投约100亿日元在苏州、新加坡扩产先进半导体树脂封装材料

    住友电木10月9日宣布投入约100亿日元,在苏州、新加坡两处现有基地新增产线,增产面向AI数据中心等场景的先进半导体树脂封装材料,目标争取2030年度投产,未披露具体产能数值。新增产线生产模塑底部填充材料与压缩成型颗粒封装材料,适配先进封装工艺。这是其年内第二次推进苏州工厂封装材料扩产,2026年6月曾公告苏州工厂产能提升约30%,预计2028年12月投产。

  6. 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要62

    立川半导体设备研发生产基地在张家港高新区开工,总投资10.5亿元

    10月10日,立川半导体设备研发生产基地在张家港高新区(塘桥镇)开工,项目总投资10.5亿元,实施主体为立川技研(苏州)科技有限公司,用地约44亩。一期建成投产后预计年产8英寸及12英寸全自动探针台500台、晶圆研磨设备100台套、质量检测设备20台套,全部达产后年产值超7亿元。同日该区还有测迅智能网联汽车测试设备生产与检测服务中心项目签约,两个项目合计总投资13.5亿元。

    推荐理由:项目给出了一期探针台、晶圆研磨与检测设备的年产台套数和达产产值,可据此判断国产半导体测试装备的产能释放节奏。

  7. 全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要62

    富乐德长江合肥12英寸晶圆再生项目主体封顶

    富乐德长江(合肥)12英寸晶圆再生项目于10月11日完成主体结构封顶,建设周期172天,落地合肥新站高新区少荃湖片区。项目总投资约20亿元,一期投资约10亿元,达产后可形成每月30万片12英寸再生晶圆产能、预计年营收4亿元;全部建成后合计产能每月70万片、年营收突破8亿元。

    推荐理由:原文给出富乐德长江合肥12英寸晶圆再生项目的投资额、分期产能与设备清单,读者可据此判断再生晶圆配套的产能释放节奏与设备需求。

  8. SEMI 中国·半导体AI 摘要75

    奕斯伟武汉硅材料基地预计本月内搬入首批设备

    由西安奕材投资建设的奕斯伟武汉硅材料基地预计本月内搬入首批设备,项目主体结构封顶和外墙封闭已于9月25日完成。该项目总投资约125亿元,占地约310亩,计划今年12月厂房基础建设全面完工、明年二季度投产,全面达产后月产50万片12英寸硅片,产品涵盖抛光片和外延片,聚焦高性能存储芯片、高端图像传感器及先进逻辑芯片等领域,预计年产值超35亿元。

    推荐理由:原文给出武汉硅材料基地的投资额、设备搬入节点、投产时间和达产后月产能,读者可据此判断12英寸硅片的产能释放节奏。

10月10日周六
  1. 第三代半导体产业网AI 摘要74

    惠科投资100亿元M-LED芯片基地预计年底试投产

    惠科总投资约100亿元的南充全色系M-LED新型显示芯片基地整体工程量已完成约八成,预计11月下旬首批光刻、外延、封装设备进场,12月启动联动调试,年底具备试投产条件。项目总占地242亩,规划月产能100万片,分三期建设,一期月产能15万片,覆盖RGB外延生长、芯片制造、封装测试环节,主攻单芯片全彩显示技术,面向AR/VR近眼显示和高端直显场景。

    推荐理由:原文给出了南充基地从设备进场到年底试投产的具体节点和一期月产能,读者可据此判断其光刻与外延设备的采购窗口。

  2. 第三代半导体产业网AI 摘要75

    奕斯伟武汉硅材料基地首批设备预计本月进场,明年二季度投产

    西安奕材投资建设的奕斯伟武汉硅材料基地已完成主体结构封顶,首批设备预计本月内搬入,计划明年二季度实现投产。该项目总投资约125亿元,全面达产后月产50万片12英寸硅片,产品涵盖抛光片和外延片。届时公司总产能将突破180万片/月。

    推荐理由:原文给出了武汉基地的设备搬入、厂房完工和投产节点,以及达产后月产50万片12英寸硅片的规划,读者可据此判断该项目的产能释放节奏。

  3. 中国粉体网AI 摘要24

    三星电机签订2.10亿美元AI服务器MLCC合同,村田制作所子公司投资90亿日元扩产陶瓷原料

    三星电机与一家全球大型企业签订约2.10亿美元的AI服务器用MLCC供货合同,交货期为2027年。这是其今年第6笔长期合同,累计金额约3.9万亿韩元,AI服务器MLCC市场份额超40%。村田制作所子公司冈山村田制作所将投资约90亿日元增设MLCC用陶瓷原料产线,计划2026年10月动工、2028年4月投产。

  4. 第三代半导体产业网AI 摘要53

    光谷高端微电子器件产业园一期建成即将投用,二期开工预计2027年建成

    光谷高端微电子器件产业园一期已建成,总建筑面积18万平方米,重点承接泛半导体领域企业研发验证、中试试验及小规模生产,蔚能电池等多家企业已签约入驻。其中蔚能电池租下约4000平方米厂房,将落地电池正极材料修复中试线,年产能约2000吨。二期总建筑面积约7.2万平方米,可提供约5.2万平方米高洁净度生产车间,配置特气站、大宗气站等公用配套设施,预计2027年6月完成主体结构施工,同年12月正式投用。

  5. 中国粉体网AI 摘要53

    上海新阳年产30500吨集成电路关键工艺材料项目开工,总投资10.5亿元

    上海新阳全资子公司上海芯刻微在上海化学工业区开工年产30500吨集成电路关键工艺材料项目,总投资由原计划5.8亿元上调至10.5亿元,计划2028年底投产。项目规划了I线/KrF/ArF光刻胶500吨/年、光刻胶稀释剂5000吨/年、氮化钛刻蚀液5000吨/年、干法蚀刻清洗液15000吨/年及新增芯片铜互联电镀液5000吨/年,产能重心向电镀液与蚀刻清洗液倾斜。

10月9日周五
  1. 艾邦半导体网AI 摘要51

    佛智芯5亿元玻璃基板生产线扩建项目完成备案复核

    广东佛智芯微电子有限公司总投资5亿元的玻璃基板生产线扩建项目于近日完成备案复核,计划建设周期为2026年9月至2028年12月。项目无新增主体厂房,重点购置差分蚀刻线、超粗化线、FAB电镀线、研磨机、激光切割机等核心设备,建成后设计月产能约5000片。佛智芯现有产线板面尺寸为510×515mm,已实现最小孔径3μm的TGV加工,并计划于2027年实现玻璃基板量产。