Yole：MicroLED 从客厅走向 AI 数据中心
Yole 最新报告指出，MicroLED 已分化为 TFT 大尺寸显示、硅基 CMOS AR 微显示和 AI 数据中心光互连三大方向。AR 是当前最大驱动力，中国厂商正大规模采用像素间距 2.5-4 µm 的硅基 MicroLED，预计 2025-2031 年 LEDoS 显示引擎出货量 CAGR 达 121%，2031 年 AR 市场收入约 $2.5 billion。
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今日 0 条Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2424 Lumentum、Coherent 等主要供应商押注 VCSEL 近封装光学（NPO）
Lumentum、Furukawa Electric、Coherent、Broadcom、Ams Osram 和 HiSilicon 正大力研发基于 VCSEL 的近封装光学（NPO）方案，多款产品预计于 2027 至 2028 年间推出。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 英飞凌推出面向 AI 服务器的 27 kW 三相 SiC 电源参考设计
英飞凌推出基于 SiC 的 27 kW 三相 PSU 参考设计，满足 OCP Open Rack V3 规范和 AI 服务器机架架构要求。该方案采用五级 ANPC PFC 拓扑和三级 LLC 转换器，在 480 VAC、50% 负载下峰值效率超 98%，功率密度达 116 W/in³。集成能量缓冲可在电网短时扰动时提供 20 ms 保持时间，无需单独 CBU。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4747 Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期有条件贷款承诺 强化本土 SiC/GaN 宽禁带半导体产能
Wolfspeed 收到美国国防部战略资本办公室出具的有条件贷款承诺函，拟提供最高 15 亿美元、期限 30 年的长期融资。资金将用于升级 GaN 外延工艺能力，新建或扩产低压/高压 GaN 功率器件本土产线，并推进 GaN-on-SiC 射频外延晶圆技术研发。该交易需完成尽职调查及政府审批等前置工作，无法确保最终落地。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分7373 艾邦半导体网梳理玻璃基板产业进展：京东方等头部厂商进入客户验证与供给建设阶段
艾邦半导体网梳理了玻璃基板产业化进展，指出行业正从技术探索转向客户验证和建线投入。京东方已产出24层、超过100×100毫米样品并送客验证，蓝思科技与Intel开展先进封装合作，沃格光电部分TGV产品已小批交付；海外方面，DNP计划FY2026—FY2028投入300亿日元发展Glass Core，LG Innotek以2028年量产为目标，LPKF已取得LIDE设备订单及追加采购意向书。
推荐理由：原文梳理了国内外主要厂商在玻璃基板客户验证、设备采购和量产时间表上的具体进展，读者可据此判断产业链各环节的导入节奏。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5959 JNTC将2mm厚TGV玻璃基板铜填孔时间从12小时缩短至分钟级
韩国玻璃基板企业JNTC宣布，在510×515mm、2mm厚的TGV玻璃基板上，将原本耗时半天至一天的铜填孔时间缩短至分钟级。其方案采用中间较窄的沙漏形通孔结构并配合自研金属化制程消除空洞与凹陷，已通过美国半导体客户验证，计划2027年起量产供应玻璃核芯基板。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分88 晟光硅研将携水导激光设备亮相APWS 2026
西安晟光硅研半导体科技有限公司将于2026年10月11日-15日在西安举办的APWS 2026上展出最新产品，展位号A11。该公司专注水导激光装备研发制造，设备主要针对碳化硅、金刚石等硬脆材料进行加工。公司成立于2021年，注册资本2665.0214万元，拥有自主知识产权六十余项。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分4040 Wolfspeed 获美国国防部 15 亿美元有条件贷款承诺
Wolfspeed 获得美国国防部战略资本办公室最高 15 亿美元的有条件长期贷款承诺，用于支持 SiC 材料与宽禁带功率器件的本土研发和生产。该笔 30 年期融资将用于升级 GaN 外延能力，并为现有 SiC 及未来 GaN 产品开发抗辐射加固能力。交易需满足尽职调查、最终协议谈判等条件，Wolfspeed 或需向国防部发行最高占完全稀释股本 7.5% 的认股权证。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1616 华为与高通达成长期专利许可协议
10月5日，华为与高通宣布达成长期专利许可协议，涵盖5G、计算、人工智能、网络等领域的专利组合交叉许可。高通将收购华为在多个技术领域的部分非蜂窝通信美国专利，交易待监管批准后完成。高通澄清其为“净支付方”及涉及逻辑折叠芯片技术的说法均不属实。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2727 俄罗斯联合微电子公司计划建造14nm晶圆厂
俄罗斯联合微电子公司（ОМК）计划建造一座生产300mm晶圆、工艺制程最高达14nm的半导体制造厂，预计2036年前完成建设。该工厂前期设计工作将于2027年开始。ОМК整体规划预计投入1.101万亿卢布，首阶段计划于2027年投入1700亿卢布。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分3838 TOWA计划在京都建设芯片制造设备工厂
日本半导体设备制造商TOWA计划在京都府建设芯片制造设备工厂，投资额约50亿日元，将在2029年投产。新厂位于京都东事业所厂区内，涉及芯片后段制程设备布局。TOWA主要供应半导体树脂封装设备、切割分离设备及超精密模具。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1818 博通据悉计划为OpenAI定制芯片项目融资逾500亿美元
博通正为其与OpenAI合作开发定制AI芯片项目安排超过500亿美元融资，阿波罗全球管理和黑石集团是洽谈参与的贷款机构之一。该融资可能覆盖数吉瓦的OpenAI定制芯片产能，预计最早今年年底前完成。博通今年6月已宣布建立融资平台，计划到2028年为Anthropic和OpenAI等开发商超过20吉瓦算力提供融资。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1818 SK海力士旗下Solidigm拟在美国进行IPO，已选定高盛与摩根士丹利为牵头投行
SK海力士旗下美国子公司Solidigm已选定高盛集团与摩根士丹利为其明年美国IPO的牵头投行。本次IPO预计募资规模约100亿美元，最快2027年正式挂牌上市，投后估值最高可达1000亿美元。SK海力士表示正评估多项策略方案以提升Solidigm市场竞争力，尚未确定具体融资架构。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5555 无锡华虹宏力三期半导体有限公司增资至41.7亿美元
无锡华虹宏力三期半导体有限公司近日完成工商变更，注册资本由668万美元增至41.7亿美元，新增华虹宏力半导体、无锡锡虹国芯二期投资、国家大基金三期旗下华芯鼎新及国开新型政策性金融工具为股东，持股比例分别为25%、20%、15%、14%。该公司成立于2025年10月，其所属的华虹宏力无锡三期项目总投资69.5亿美元，将建设一条月产能5.5万片的12英寸特色工艺生产线。
粉体圈AI 摘要AI 评分2828 MLCC制造中的三类关键助剂介绍
MLCC制造过程需使用介质材料掺杂与烧结助剂、流延浆料有机助剂、内电极浆料有机助剂和共料三类关键助剂。目前高容小型化MLCC使用的钛酸钡原料粒径在150 nm左右，部分高端应用已下探至120 nm甚至100 nm。随着粉体粒径细化，浆料的分散稳定性、杂质控制及各组分工艺匹配要求进一步提高。
粉体圈AI 摘要AI 评分4545 MLCC用钛酸钡粉体：不同制备方法中杂相抑制的关键策略
MLCC用BaTiO3粉体的物相纯度直接影响介电性能与器件可靠性，固相法和水热法需分别采取针对性措施抑制杂相。固相法煅烧温度需控制在约900–1100℃以稳定获得四方相，Ba/Ti比精确控制在0.995-1.005；水热法反应温度一般设定在180-250℃，Ba/Ti比通常为1~4。结合XRD及Rietveld全谱拟合可对多相组成进行定量分析。
粉体圈AI 摘要AI 评分5252 MLCC超薄流延成型的关键技术挑战与应对要点
粉体圈梳理了MLCC超薄流延成型在浆料分散、干燥应力控制和厚度精度三方面的核心挑战及应对思路。当介质层减至1μm以下时，钛酸钡粉体粒径需细化至80~150nm，刮刀间隙控制要求厚度误差小于0.03μm。目前全球高端超薄流延机由日本平野、平田机工垄断，可实现0.3~5μm膜厚且波动<±0.01μm，国产设备主要用于≥0.8μm膜片且波动±0.05μm。
粉体圈AI 摘要AI 评分3434 村田制作所实现全球最小0603M尺寸三端子低ESL MLCC量产
村田制作所于9月30日宣布两款0603M（0.6mm×0.3mm）尺寸三端子低ESL MLCC量产，安装面积较此前1005M产品减少约64%，达到全球当前最小水平。该产品通过侧面增加接地端子缩短电流路径以降低ESL，明确应用于高频电源去耦。此次量产得益于电极结构优化和制造工艺高精化。
粉体圈AI 摘要AI 评分1818 多家全球头部半导体企业代表团考察中铭瓷旗下芯鸿光，达成初步合作意向
英伟达台湾、鲲喆科技等多家全球头部半导体企业及投资机构代表团考察中铭瓷全资子公司芯鸿光，围绕半导体新材料达成多项初步战略合作意向。中铭瓷聚焦10–50纳米超高纯陶瓷粉体研发与量产，核心产品涵盖氧化钇、氟化钇、氟化锂及复合陶瓷粉体，可匹配半导体、先进封装等领域严苛标准。各方将开展联合研发与产品定制等深度合作。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 华为余承东：Mate 90系列是中国半导体行业的答卷
华为于10月1日发布并同步开售Mate 90系列手机，全系搭载麒麟芯片与HarmonyOS 7操作系统。该系列包含Mate 90、Pro、Pro Max等机型，售价5999元至12999元起。目前鸿蒙单框架终端设备数量已突破9000万台，具备超过45万个应用程序与服务及3.5万款鸿蒙游戏。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 浙江鸿粤半导体器件公司进入破产审查程序
浙江鸿粤半导体器件有限公司近日进入破产审查程序，案号为（2026）浙 0822 破 47 号。常山县人民法院已于 9 月 29 日受理债权人常山工业发展集团有限公司的破产清算申请，债权人需在 2026 年 10 月 30 日前完成债权申报。该公司成立于 2024 年 3 月，曾规划年产 4000 万只 IC 集成电路、8000 万米键合丝线及 8500kk LED 光源项目。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1414 天域半导体斥资近200万港元回购H股，回购股份将持作库存
天域半导体（02658.HK）于2026年10月6日在港交所回购38300股H股，总支付金额1997272.5港元，回购股份全部作为库存股份持有。本次回购价格区间为51.5港元/股至52.35港元/股，占事件前公司已发行股份总数的0.065%。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分6868 三星电机近50亿美元扩建韩越双基地FC-BGA基板产能
三星电机宣布在2028年前累计投入6.78万亿韩元（约50亿美元），扩充韩国世宗和越南太原两大基地的FC-BGA高端半导体基板产能。其中韩国世宗工厂投资4.27万亿韩元用于产线搭建与升级，越南子公司投资2.51万亿韩元扩建生产线，整体投资周期覆盖2026年9月至2028年5月。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4444 汉高推出LOCTITE ABLESTIK CDF 900导电芯片粘接膜拓展先进封装热管理
汉高电子推出新一代LOCTITE® ABLESTIK CDF 900导电芯片粘接膜（cDAF），热导率约8 W/mK，提供15μm和30μm两种标准胶层厚度。该材料支持8英寸和12英寸晶圆规格，适用于3×3 mm²至7×7 mm²芯片尺寸及QFN、TQFP等封装，具备MSL 1、MSL 2等级能力。 ```
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 镓仁半导体入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜
镓仁半导体凭借“多智能体协同铸造长晶”案例入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜。该方案将AI技术与自主研发的铸造法长晶工艺融合，实现氧化镓单晶生长过程的监测、分析与调控。公司已建成投产兼容6英寸、8英寸的同质外延量产线。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4242 芯米半导体涂胶显影设备国产化率达90%，已交付30余台
芯米半导体完成涂胶显影机内部90%核心部件自主设计研发，可批量生产2至12英寸全系列产品，是国内首家COWOS工艺前道制程专用涂胶显影设备供应商。截至目前各系列产品已交付30余台并稳定运行1至5年，2026年6月向国内头部封装企业交付12英寸设备。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3333 湖北通格微与华工科技签约合作布局CPO及高速光通信
9月29日，沃格光电旗下湖北通格微与华工科技签署战略合作协议，围绕玻璃基载板、激光加工及高速光通信开展合作。双方将重点面向3.2T及更高速率光模块，推进产品定义、架构设计及关键工艺开发，并围绕CPO、NPO、光引擎等方向建设工艺验证和样品试制平台。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4444 三星电机计划斥资近50亿美元在韩国和越南扩产半导体基板
三星电机计划到2028年在韩国和越南投资近50亿美元，用于FC-BGA半导体基板生产。其中4.27万亿韩元（32亿美元）投向韩国世宗工厂，2.51万亿韩元（18.7亿美元）投向越南子公司。该产品用于AI服务器、机器人和智能汽车芯片。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2525 宽场显微镜2DESM实现二维半导体量子相干性成像
意大利天主教圣心大学等机构研发出宽场显微镜2DESM，可在相机图像每个像素点并行记录二维电子光谱，无需光栅扫描。该系统时间分辨率为38 fs、空间分辨率为1.05 µm、光谱分辨率为50 meV，工作温度覆盖室温至4 K。团队已在hBN封装的WSe₂薄片上验证该技术，成功区分了本征激子退相干时间与无序引起的展宽。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 Mivium宣布GaN纳米颗粒突破
美国材料公司Mivium成功制备出300-500nm粒径分布的相纯六方纤锌矿结构亚微米GaN颗粒。第三方表征确认该材料具备多晶结构与高刻面形貌，可扩展至工业级产能，为GaN薄膜应用和衬底生产开辟新路径。Mivium于2026年7月完成423万美元融资，累计融资超1050万美元，并将在SEMICON West展示样品与表征数据。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1414 Photon Design 将 HAROLD QD 量子点激光器仿真器运行时间缩短一半以上
Photon Design 优化了其 HAROLD 3D 量子点激光器仿真器，最新 HAROLD QD 版本在标准工作站或笔记本上即可将计算运行时间缩短一半以上，无需云端处理。该工具采用八带 k·p 能级模型，可仿真量子点结构、尺寸与分布，并计算 3D 应力应变及增益吸收光谱。其与 PICWave 的集成支持包含光栅和扩展腔的动态 3D 电路仿真。 ```
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 碳化硅“卡脖子”原料！高纯碳粉谁在领跑？
国内多家企业已实现6N（99.9999%）级别高纯碳粉技术突破，逐步推进SiC单晶关键原料的国产替代。贵州九渊新材料分两期建设5条超高纯石墨粉生产线，建成后年产300吨；易成瀚博高纯碳粉产能规模达50吨/年，产品纯度提升至99.99992%以上。楚江新材子公司顶立科技研发的6N高纯碳粉目前处于小批量销售阶段。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅晶圆的6种超精密抛光工艺解析
单晶SiC晶圆的超精密抛光主要包括机械研磨、磁流变抛光、CMP、ECMP、光催化化学机械抛光和PAP等6种工艺。机械研磨采用4~8µm金刚石微粉粗磨、0~0.5µm精磨；CMP是目前应用较多的原子级表面加工方法；PAP结合等离子体化学反应与机械磨削，可实现无损伤平坦表面。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 北京中电科将汇报大尺寸碳化硅减薄加工进展
北京中电科电子装备有限公司副总经理冷生辉将于2026年10月20日在苏州作《大尺寸碳化硅减薄加工进展汇报》报告。该方案通过优化粗精磨、匹配专用耗材与精细化参数控制，改善SiC晶圆TTV、翘曲度及表面粗糙度，消除亚表层损伤，提升量产良率并降低生产成本。 （注：原文未给出具体TTV数值或良率百分比，摘要严格依据原文已有信息撰写，未添加任何数字。）
中国粉体网AI 摘要AI 评分3434 CMP市场年年热，国产抛光液走到哪儿了？
中国CMP抛光液国产化率已从2021年的不足15%提升至2025年的约34%，安集科技全球市占率达13%。2025年全球半导体CMP抛光材料市场规模为38亿美元，其中抛光液占比近60%。但高纯度磨粒仍高度依赖进口，安集科技与鼎龙股份已开始布局该领域。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3737 等离子体球化技术如何成为难熔金属粉体制备的核心工艺
等离子体球化技术通过10⁴℃以上超高温场，将钨、钼等难熔金属粉体在毫秒级内熔融重构为球形。该工艺球化率普遍达98%以上，部分高纯钨、钼粉氧含量可控制在150ppm以内，满足6N级以上半导体溅射靶材与3D打印需求。国内已实现中低功率设备自主量产，但大功率射频电源等核心部件仍依赖进口。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 高纯合成石英的制备工艺与半导体、光伏应用分析
人工合成高纯石英通过溶胶-凝胶法、CVD法、水热法及四氯化硅液相水解法实现纯度与粒径定制化调控，正加速替代天然石英。国内5N及以上半导体级超高纯石英产能紧缺，新增产能集中于石英股份、菲利华、长飞石英等企业。合成石英凭借无气泡、无包裹体等优势，已用于刻蚀环、石英穹顶等半导体器件及光伏直拉单晶环节。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3636 高纯石英制品气泡缺陷的形成机理与调控方法
高纯石英制品中的气泡缺陷会降低材料力学与光学性能，并在半导体拉晶场景下干扰单晶硅生长。气泡主要源于原料气液包裹体、杂质及颗粒形貌，以及熔炼冷却工艺不当。依据GB/T5949—2014标准可进行显微定量检测，机器视觉检测率可达97.5%，需通过原料提纯、阶梯控温及物理场辅助等全链条协同抑制气泡。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3333 AI算力驱动磷化铟衬底需求爆发，全球企业集中扩产
AI算力建设推动磷化铟衬底需求激增，当前全球有效产能仅60-75万片/年，缺口已超70%。Coherent、JX金属、AXT及国内浙江先导微电子、鑫耀半导体等企业密集投资扩产，多家跨界公司亦宣布入局。上游6N-7N高纯铟与7N高纯红磷供需趋紧，价格持续走高。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1414 2026湾芯展展商名录及展位图发布
2026湾芯展（WESEMiBAY 2026）已发布展商名录及展位平面图，观众完成预登记即可下载。展会将于10月14-16日在深圳会展中心（福田）举办，展览面积超70,000m²，汇聚全球1000余家半导体企业，覆盖晶圆制造、化合物半导体、先进封装、IC设计／AI基础设施四大环节，并新设AIE AI基础设施产业生态展。