Power Integrations 与 Ideal Power 合作开发高效常开固态断路器
Power Integrations 与 Ideal Power 正合作开发面向 AI 数据中心 800VDC 架构的固态断路器（SSCB）方案，将 Power Integrations 的 1700V InnoMux-2 电源转换 IC 与 Ideal Power 的 B-TRAN 双向半导体开关结合，实现自供电、智能、超快保护。
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粉体圈AI 摘要AI 评分4040 从150nm到20nm，微纳创优赋能国产MLCC钛酸钡原料升级
微纳创优（烟台）新材料有限公司已形成20nm、60nm、100nm及150nm系列钛酸钡粉体产品，其中BT-20nm系列颗粒集中在约20—30nm，可助力介质层厚度向1μm甚至更薄突破。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6060 晶洲装备发布国内首个TGV中试开放平台，提供工艺开发到量产导入一站式验证
晶洲装备在2026湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）上发布国内首个TGV中试开放平台，提供从工艺开发、小批量试制到量产导入的一站式验证服务。平台制孔能力为通孔直径15–200μm、均匀性±0.5μm@50μm、真圆度U%≤5%，兼容玻璃厚度0.1mm–1.1mm；金属化采用双面电化学沉积，兼容可溶与不可溶阳极及直流加脉冲电镀，深宽比≤10:1@直径50μm，电镀均匀性＜7%。
推荐理由：晶洲装备公开了TGV中试平台的制孔与金属化能力参数，读者可据此判断玻璃基板级先进封装的工艺验证条件与设备需求。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6262 玻芯成16层玻璃堆叠GCP下线投产
10月15日，玻芯成半导体16层玻璃堆叠GCP投产仪式举行，公司称由此从工程样品研发阶段迈入产品级小批量生产阶段。团队此前已先后完成6层、8层、22层堆叠工艺技术验证，并攻克多层堆叠、TGV填孔、UTG刻蚀等关键工艺，该产品在热适配、动态翘曲、Low CTE等方面具有性能优势。
推荐理由：原文给出玻芯成16层玻璃堆叠GCP从工程样品转入小批量生产的节点，并列出6层、8层、22层堆叠验证与TGV填孔等工艺，可据此观察玻璃基板多层互连的工艺进展。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 BSL（保视丽）亮相SEMICON West 2026，展示超净HDPE桶与PFA管等洁净工艺产品
半导体高端化学品耗材企业BSL（保视丽）于10月13日在美国旧金山Moscone Center开幕的SEMICON West 2026展出超净系列产品，展位号South Hall 1564。其超净HDPE桶各单项金属杂质析出控制在10ppt以内，满足G5等级高纯化学品包装与储运要求；超净PFA管在金属离子析出与颗粒释放两项指标上达到国际一线水平。BSL已进入国际主流Fab与设备厂商供应链。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2222 SK海力士推出用于AI计算的3D FeNAND技术
SK海力士10月14日披露基于铁电三维NAND（3D FeNAND）的模拟内存计算（A-CiM）研究成果，论文已发布于IEEE。该技术利用铁电材料极化状态存储数据并控制电流，可在单个单元内产生多个电流状态，适配AI计算所需的权重数据。模拟显示，基于3D FeNAND的A-CiM实现比传统非易失性存储器高20倍的吞吐量和5000倍的能效。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2626 苏州星翰新材银包镍复合粉体专利公开，低成本高性能粉体技术加速落地
苏州星翰新材料科技有限公司申报的《银包镍复合粉体制备方法、银包镍复合粉体及其应用》发明专利由国家知识产权局公开，已进入实质审查阶段。该专利采用球形镍粉前处理与还原沉积工艺，将反应温度控制在40℃以下，在低银含量下实现银层连续致密包覆和强界面结合。粉体可用于半导体电接触材料、封装导电浆料及电磁屏蔽涂层等领域，为电子浆料降本提供新方案。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2222 芯片良率的“守门人”，也离不开这块多孔陶瓷！
多孔陶瓷作为半导体先进制程检测设备的关键功能材料，可用于真空吸盘、精密气体过滤与颗粒捕集、热管理组件。采用优化孔径结构的多孔陶瓷吸盘后，吸附均匀性可提升30%以上，晶圆面内高度差控制在3μm以内；孔径控制在5μm以下、孔隙率35%~45%时，对0.3μm以上颗粒捕集效率达99.7%以上。SEMI预测全球半导体测试设备销售额将从2025年的117亿美元增长至2028年的208亿美元。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 日亚化学将推出308nm/330nm/340nm UV LED，效率约为上一代两倍
日亚化学计划于2027年1月推出新型UV-B（308nm）和UV-A LED（330nm、340nm），NVSU434A系列在700mA额定电流下电源转换效率分别达8.2%、10.0%和9.4%，约为上一代产品的两倍。该系列在三种波长下典型输出功率分别为280mW、330mW和310mW，有助于紫外LED替代汞灯并拓展固化、农业和医疗应用。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2020 博思得PSG-HRS80碳化硅高压发生器行业首发，80kW大功率与高功率密度结合
博思得基于第三代碳化硅技术开发的PSG-HRS系列新成员PSG-HRS80紧凑型高压发生器行业首发，最大输出功率达80kW。该产品依托SiC功率器件高频、低损耗特性，相比传统MOSFET、IGBT方案整机功率密度大幅提升，并实现更紧凑、轻量的设计。PSG-HRS80面向DR、动态DR、数字胃肠等大功率医疗影像设备，提供超低纹波稳定高压输出。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及四代技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线。
推荐理由：长飞先进一次发布四代SiC MOSFET技术路线，给出各代Rsp、短路耐量与雪崩能量等实测数据，可对比其迭代节奏与中高压规格布局。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6060 长飞先进发布高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线
10月15日，长飞先进在深圳技术发布会上发布自主研发的高性能SiC MOSFET系列芯片及技术路线，覆盖第四代PG4E、第五代PG5E、第六代PG6N及1500V至3300V中高压系列。
推荐理由：长飞先进一次给出四代SiC MOSFET的Rsp、短路耐量与雪崩能量实测数据，可对照其从1200V到3300V的电压规格布局判断国产器件的技术位置。
粉体圈AI 摘要AI 评分3131 MLCC用钛酸钡粉体：烧结晶粒异常生长如何抑制？
抑制BaTiO₃晶粒异常生长需协同调控粉体均匀性、添加剂组成与分布、烧结制度与气氛，单一工艺难以奏效。掺杂与两步烧结（TSS）等方法通常需协同使用，并结合粉体特性与材料配方优化；Mg²⁺受主掺杂可形成富Mg壳层核-壳结构控制晶粒生长，Bi₂O₃–B₂O₃–SiO₂（BBS）玻璃包覆也被用于限制烧结中的晶粒生长。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4242 IBM与西门子合作推进NanoStack纳米堆叠晶体管架构
IBM宣布与西门子开展联合研究，推进其NanoStack晶体管架构，西门子将提供电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。双方将开发纳米堆叠先进虚拟模型，在芯片制造前完成性能建模与设计优化。NanoStack为业界首个已知三维纳米片设计，在7埃（0.7纳米）节点下指甲盖大小空间可容纳近1000亿个晶体管，并支持各堆叠层采用不同材料组合以独立优化性能与能效。
粉体圈AI 摘要AI 评分1212 戚俊磊博士：从低κ到高κ介电材料——材料创新赋能高端电子元器件（报告）
北京清华前沿交叉创新研究院、清华大学陶瓷国重助理研究员戚俊磊博士将在11月3-4日2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛上，作《从低κ到高κ介电材料：材料创新赋能高端电子元器件》主题报告。报告围绕介电材料组分精准调控与跨尺度结构协同优化，论述从低κ至高κ核心介电陶瓷材料体系，实现介电常数、介电损耗与温度稳定性协同提升，满足多工况高端电子器件产业化需求。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4747 有研新材突破80nm以下纳米镍粉技术，MLCC高端材料国产替代再提速
有研新材10月12日在投资者互动平台确认，实验室级别已开发出更小尺寸纳米镍粉，突破现有80nm粒径技术下限，MLCC用纳米镍粉正推进器件验证，纳米铜粉处于样品验证阶段。同日公司披露2026年三季报，前三季度营收84.62亿元、同比增长24.98%，归母净利润2.63亿元、同比增长7.31%。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Power Integrations 与 Ideal Power 合作开发 800 VDC AI 数据中心固态断路器
Power Integrations 与 Ideal Power 将合作推出面向 800 VDC AI 数据中心的固态断路器（SSCB）方案，结合 Power Integrations 的 1700 V InnoMux-2 电源转换 IC 与 Ideal Power 的 B-TRAN 双向功率开关。
Charged EVsAI 摘要AI 评分4040 Skyworks Si829x 隔离栅极驱动器开始送样，面向电动汽车牵引逆变器
Skyworks 的 Si829x 隔离安全栅极驱动器已从开发阶段转入预生产，并开始向客户送样用于评估和高级原型验证，该器件已通过 AEC-Q100 车规认证。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分2222 中微公司亮相2026湾芯展，平台化战略迈入规模化发展新阶段
中微公司在2026湾芯展上宣布平台化战略迈入规模化发展新阶段，已累计开发54种高端半导体设备，截至2026年6月底超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。公司重点推介Primo XD-RIE™极高深宽比刻蚀设备与Prefima Unicore™ AM 12英寸ALD钼设备两款新品，并计划未来五年覆盖60%以上高端半导体设备市场及70%以上先进封装设备市场。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 从粉体配方看高端 MLCC：氧化钇为何是钛酸钡的刚需掺杂剂？
氧化钇（Y₂O₃）凭借双位取代的两性掺杂能力，成为AI服务器、车规高容MLCC钛酸钡粉体配方中的刚需稀土助剂，掺杂量通常控制在0.3~3.0 mol%。Y³⁺进入B位形成受主掺杂可钉扎晶界、抑制晶粒长大，占据A位则形成缺陷缔合体束缚氧空位，提升绝缘电阻与可靠性。氧化镝主攻温度系数、氧化钬侧重拓宽温区，均无法替代氧化钇的晶界稳定与寿命基底作用。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 卢威研究员将在2026年MLCC关键粉体论坛分享《超细纳米钛酸钡粉体的分散与浆料研究》报告
苏州国家实验室研究员卢威博士将在2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛上分享报告《超细纳米钛酸钡粉体的分散与浆料研究》。报告结合润湿颗粒表面特性分析仪与激光粒度等手段，研究分散剂种类与用量对钛酸钡浆料分散效果的影响、相同粒径不同结构钛酸钡的分散稳定性、表面修饰对分散性的改善，以及20nm级超细钛酸钡粉体的分散与评价技术。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 禹创半导体OLED驱动IC ER75138量产交付
禹创半导体（ERISED）Single-chip LTPS OLED驱动芯片ER75138正式量产交付，芯片尺寸7000µm×1500µm，支持COG与COF封装及91 Source通道。该芯片静态与工作功耗低于6mA，已在0.74"/0.91"/0.99"等多尺寸LTPS OLED面板完成点亮测试，覆盖智能电子烟、摄影手柄微显示、穿戴设备等场景，部分项目已进入量产。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 河南有色金源拟建年产600吨电子级球形硅微粉项目
河南有色金源实业有限公司拟投资2500万元在开封尉氏县建设高纯石英制备先进电子封装用球形硅微粉项目，达产后形成年产600吨球形硅微粉生产线1条。项目采用火焰熔融球化工艺，以天然气+氧气形成1600-1700℃高温火焰，产出5μm-30μm规格成品，球化率与球形度对标GB/T32661-2016。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分3838 UpNano 推出 3DAR 技术，实现 2PP 3D 打印体素三维动态控制
奥地利维也纳 UpNano GmbH 推出 3D Adaptive Resolution（3DAR）技术，可在 2PP 3D 打印过程中对打印体素在三个空间维度上动态控制，使体素随目标几何形状调整，在保持高打印速度的同时获得光滑复杂 3D 表面。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4040 纳芯微发布四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列，赋能汽车与工业自动化
纳芯微推出四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列并已全面量产，支持SPI串口与并口双输入、四通道独立诊断与保护，内置60V高压钳位，ESD性能达±4kV，最高200kHz PWM开关频率。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2020 华为麒麟9050系列芯片已成功量产，逻辑折叠技术首次产品化落地
华为麒麟9050系列芯片已成功量产，该系列随三折叠手机Mate XT 2及直板旗舰Mate90 Pro Max面世。华为半导体业务无线终端芯片产品管理部部长徐松余在2026华为终端创新技术沟通会上介绍，麒麟9050系列在“韬定律”指导下通过逻辑折叠等创新技术压缩信号传播时延、提升晶体管密度，逻辑折叠技术首次实现产品化落地。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 Lumentum、Astera Labs与Corning在OCP全球峰会联合演示基于1060nm VCSEL的PCIe光互连
Lumentum、Astera Labs与Corning在OCP全球峰会联合演示面向AI机架级架构的PCIe-over-optics连接，方案由Astera Labs Scorpio Smart Fabric Switch、Lumentum 1060nm VCSEL光互连平台与Corning多模光纤组成。
Charged EVsAI 摘要AI 评分88 现代开关器件栅极驱动的实用设计考量
针对Si-MOSFET、SiC-MOSFET与Si-IGBT的栅极驱动设计，文章指出Si-MOSFET完全开通/关断栅压为+10V/0V，SiC-MOSFET与Si-IGBT则需+15V开通并配合-3V至-8V负压可靠关断。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 Marktech 与 Optrans 扩展四通道 InGaAs PIN 光电二极管产品线
Marktech Optoelectronics 与 Optrans 扩展了四通道 InGaAs PIN 光电二极管产品组合，同时覆盖 1.7 µm 截止波长与扩展 2.6 µm 截止波长两种 InGaAs 技术。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Navitas 与 NVIDIA 合作开发 800V 转 12V 的 24kW PDB
Navitas 宣布推出与 NVIDIA 合作开发的 24kW、800V 转 12V DC-DC 电源输送板（PDB），基于 GaNFast 技术，面向 NVIDIA MGX 生态和 AI 数据中心 800 VDC 供电架构。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6262 盛合晶微发布SmartPoser®-BD平台，6倍光罩2.5D硅桥完成阶段性验证
盛合晶微在第二十六届中国国际工业博览会集成电路展上发布基于硅桥互连的SmartPoser®-BD高性能运算封装技术平台，并宣布单颗封装尺寸达6倍光罩的2.5D硅桥技术完成阶段性验证，具备承接客户产品导入验证的能力。
推荐理由：盛合晶微公布6倍光罩2.5D硅桥平台的封装尺寸、微焊点数量与芯粒集成规模，可据此了解国产硅桥互连路线的当前验证进度。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2222 为什么TGV玻璃基板开孔优先做盲孔，不直接用通孔？
TGV玻璃基板封装多选盲孔结构而非一体贯通通孔，核心原因是盲孔可实现无空洞Bottom-up自底向上电镀填充，空洞率可做到＜0.01%，而高深宽比（5:1~15:1）通孔两端同时沉积必然形成闭合接缝和中心空隙。
粉体圈AI 摘要AI 评分2828 高端 MLCC 的粉体关键：钛酸钡主要改性方法盘点
钛酸钡粉体改性按介入时机分为合成过程中改性、合成完成后改性和辅助改性工艺三类，以调控颗粒表面性质、满足 X7R、X8R 等高端 MLCC 规格。合成阶段的原位掺杂可在水热 150-200℃、15-20h 条件下制得 8-40nm 钇掺杂钛酸钡纳米颗粒，共沉淀法可在 14-34nm 范围调控晶粒尺寸。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 中微公司亮相2026工博会国芯展 Primo UD-RIE®刻蚀设备斩获CIIF大奖
中微公司Primo UD-RIE®电容耦合等离子体刻蚀设备在2026工博会国芯展上同时获得CIIF大奖与国芯展创新成果奖，该设备为12英寸高端CCP刻蚀机，配备六个单反应台反应腔。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 安徽科技大学团队提出粉体颗粒级配策略，制备高性能Al2O3–TiC导电复合陶瓷
安徽科技大学科研团队提出粉体颗粒级配策略，在微米级Al2O3基体中引入纳米级Al2O3颗粒，制备出高性能Al2O3–TiC导电复合陶瓷，成果于10月8日在线发表于Journal of Advanced Ceramics。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3939 复旦大学孵化企业光擎源Micro LED光互连新进展：16通道37 Gbps、五通道波分复用201 Gbps/mm²
复旦大学孵化企业光擎源在Micro LED光互连领域取得新进展，其4×4绿光Micro LED阵列实现16通道37 Gbps数据传输，五通道波分复用方案数据率密度约201 Gbps/mm²。公司正推进数百通道规模通信能力开发，并计划验证1.6 Tbps量级光互连系统样机，围绕CPO、芯片间光I/O等短距互连场景推动工程化应用。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分5959 格芯发布FDX Fusion FD-SOI平台，2028年德勒斯登量产
格芯在德国德勒斯登发布新一代FDX Fusion FD-SOI平台，主打接近7纳米级的数字效能，整合运算、感测、控制与连线能力，面向车用、工业、机器人与边缘AI等低功耗应用。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5050 九峰山实验室构建InP激光器全链条检测能力，覆盖衬底到失效分析近20种方法
九峰山实验室针对InP基激光器构建了覆盖衬底、外延、器件测试、可靠性验证与失效分析的全链条检测能力，涉及近20种检测方法，将隐患拦截在封装之前。该体系通过HR-XRD、SIMS、ECV、SCM等手段管控衬底与外延质量，并在裸片阶段完成KGD筛选，对标Telcordia GR-468、JEDEC等国际规范，光功率测试重复性标准差控制在0.1dB以内。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2222 英伟达开放Vera Rubin机柜设计，联合思科开发USFP可插拔光模块
英伟达在OCP全球峰会上宣布开放Vera Rubin机柜和计算托盘关键设计，MGX 1.2规格新增机架级盲插液冷、液冷5000安培母排，支持最高250千瓦机柜部署。英伟达与思科合作开发USFP可插拔光模块，单通道速率从200G提升至400G、通道数翻倍，实现4倍带宽密度和约1.3倍能效。Meta宣布采用英伟达Spectrum-6 102.4Tb/s以太网交换机建设Vera Rubin AI工厂。
粉体圈AI 摘要AI 评分4040 MLCC微型化背后的粉体技术（二）：液相还原法制备超窄分布纳米镍粉
液相还原法通过液相原位成核生长绕开超细分级难题，可制备80nm球形纳米镍粉，在粒径均匀性和原生分散性上具备优势，但杂质残留、批次放大一致性和结晶度缺陷仍是量产门槛。广州盛立新材料已制备出最小平均直径15nm的纳米镍粉，Span值降至0.15以下，并投资3.18亿元在清远英德建设年产600吨纳米镍粉生产基地。