兴森科技预计前三季度净利同比增长204%-227%,光模块mSAP基板订单饱满并启动珠海扩产
兴森科技公告预计2026年前三季度归母净利润4.00亿元-4.30亿元,同比增长204.20%-227.02%,其中Q3净利润预计2.89亿-3.19亿元,环比增长215%-248%。
推荐理由:兴森科技前三季度净利预增超两倍,光模块mSAP基板订单饱满并启动珠海扩产,可观察AI算力对高阶基板需求的传导。
兴森科技公告预计2026年前三季度归母净利润4.00亿元-4.30亿元,同比增长204.20%-227.02%,其中Q3净利润预计2.89亿-3.19亿元,环比增长215%-248%。
推荐理由:兴森科技前三季度净利预增超两倍,光模块mSAP基板订单饱满并启动珠海扩产,可观察AI算力对高阶基板需求的传导。
盛合晶微在第二十六届中国国际工业博览会集成电路展上发布基于硅桥互连的SmartPoser®-BD高性能运算封装技术平台,并宣布单颗封装尺寸达6倍光罩的2.5D硅桥技术完成阶段性验证,具备承接客户产品导入验证的能力。
推荐理由:盛合晶微公布6倍光罩2.5D硅桥平台的封装尺寸、微焊点数量与芯粒集成规模,可据此了解国产硅桥互连路线的当前验证进度。
中微公司全资子公司中微临港拟以不超过3500万元增资青禾晶元,认购其新增注册资本9042元,占本轮融资后注册资本的0.5000%。本轮中微临港连同其他十七方投资方合计向青禾晶元增资2.5亿元,投前估值确定为675,000.00万元,本轮增资后中微临港合计持股比例为7.0718%。青禾晶元定位先进半导体键合集成技术与方案提供商,产品包括晶圆键合设备、芯片键合设备和表面处理设备。
TGV玻璃基板封装多选盲孔结构而非一体贯通通孔,核心原因是盲孔可实现无空洞Bottom-up自底向上电镀填充,空洞率可做到<0.01%,而高深宽比(5:1~15:1)通孔两端同时沉积必然形成闭合接缝和中心空隙。
粉体圈将于2026年11月3-4日在广东东莞举办“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”,聚焦钛酸钡、镍/铜/银/钯等陶瓷粉体与金属电极材料及稀土掺杂材料的制备技术。大连海外华昇电子科技有限公司作为电子浆料企业将参与,该公司是MLCC内电极浆料标准制定者,2026年获批国家电子浆料标准化技术委员会秘书处单位。
钛酸钡粉体改性按介入时机分为合成过程中改性、合成完成后改性和辅助改性工艺三类,以调控颗粒表面性质、满足 X7R、X8R 等高端 MLCC 规格。合成阶段的原位掺杂可在水热 150-200℃、15-20h 条件下制得 8-40nm 钇掺杂钛酸钡纳米颗粒,共沉淀法可在 14-34nm 范围调控晶粒尺寸。
中微公司Primo UD-RIE®电容耦合等离子体刻蚀设备在2026工博会国芯展上同时获得CIIF大奖与国芯展创新成果奖,该设备为12英寸高端CCP刻蚀机,配备六个单反应台反应腔。
长沙驰芯半导体科技有限公司完成A+轮融资,规模超2亿元,由上海沿浦精工科技领投,湖南金霞盛世股权投资基金、上海移远通信、长沙麓山控股等联合参投,引入湖南省外资金过亿元。驰芯半导体成立于2020年,专注超宽带(UWB)芯片研发,其车规级SoC芯片CX500已通过AEC-Q100 Grade2认证并导入头部汽车客户。
2026年10月13日,江苏海思半导体一台8英寸全自动掩模对准光刻机完成出厂调试与客户验收并发运,将用于硅基Micro LED晶圆的图形化制程。该设备正面对准精度优于±0.5μm,可选配优于±2μm的背面对准模块,采用双SMIF自动天车上下料与两台独立双机械手臂传输,支持批量化无人值守运行。
10月12日,鄂尔多斯市国鑫能源有限公司年产600万克拉金刚石及半导体应用产品项目在鄂尔多斯高新区签约,总投资57亿元。项目计划建设从金刚石合成、切割、磨抛到半导体应用的全产品链条研发、生产和销售体系,主要生产金刚石单晶、尖晶、热沉片、金刚石铜、彩色钻石等产品,达产后预计年销售收入23亿元,创造就业岗位450个。
瑞芯智造(深圳)科技有限公司材料技术总监麻小挺博士将在11月3-4日举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”上,作题为《纳米库尔特粒度仪及其在MLCC粉体表征中的应用》的报告,介绍该仪器的测量原理、结构组成、技术优势及关键参数。
安徽科技大学科研团队提出粉体颗粒级配策略,在微米级Al2O3基体中引入纳米级Al2O3颗粒,制备出高性能Al2O3–TiC导电复合陶瓷,成果于10月8日在线发表于Journal of Advanced Ceramics。
复旦大学孵化企业光擎源在Micro LED光互连领域取得新进展,其4×4绿光Micro LED阵列实现16通道37 Gbps数据传输,五通道波分复用方案数据率密度约201 Gbps/mm²。公司正推进数百通道规模通信能力开发,并计划验证1.6 Tbps量级光互连系统样机,围绕CPO、芯片间光I/O等短距互连场景推动工程化应用。
歌尔股份10月12日晚公告,董事会审议通过终止分拆控股子公司歌尔微电子至香港联交所主板上市,原因为外部环境变化及公司自身发展规划综合考量。歌尔微电子定位智能传感交互解决方案提供商,产品覆盖MEMS传感器、SiP系统级封装及传感交互模组,自研UniSense平台融合声学、压力、惯性等多维感知能力。
微导纳米10月13日发布2026年度向特定对象发行A股股票预案,拟募集资金总额不超过494375.26万元,投向四大项目。
推荐理由:微导纳米49.44亿元定增的四个募投项目金额与方向均已披露,可据此观察其薄膜沉积设备在3D NAND与先进封装上的产能和研发布局。
ASML预计10月14日公布第3季财报,市场预估营收达117.3亿欧元、年增55%,EPS达10.76欧元,较2025年同期的5.49欧元接近翻倍。公司自身预估第3季营收110亿至120亿欧元、毛利率55%至57%,全年营收展望上调至430亿至450亿欧元。ASML规划2027年将现有EUV系统产能提升约30%,三星计划2028年将High-NA EUV引入先进DRAM量产。
江苏金湖县经济开发区引进的高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目正式开工,由泰坦未来半导体(江苏)有限公司投资,盘活闲置地块67亩、改造厂房1.25万平方米、新建厂房5100平方米,全面投产后可年产20万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品,实现销售6亿元。
粤芯半导体在创业板上市,发行价12.01元/股,拟募集资金约75亿元,华工科技作为战略配售方出资1.99亿元。双方签署长期战略协议,将围绕硅光芯片、光电配套芯片的晶圆代工、封装光学及光电共封装开展技术协同与产业合作。粤芯半导体硅光工艺平台累计投片量已超7000片,产品覆盖400G、800G及1.6T高速硅光光模块应用。
当地时间10月12日,应用材料公司在美国加州桑尼维尔揭幕设备与工艺创新及商业化中心(EPIC中心),计划随客户项目启动逐步投入约50亿美元。该中心建筑面积60万平方英尺,配套近4英亩先进洁净室,台积电、英特尔、三星电子、美光、SK海力士为创始合作伙伴,研发方向覆盖先进逻辑芯片、HBM存储、DRAM、NAND闪存、混合键合、异质集成等。应用材料称这是其有史以来规模最大的单笔资本投入。
推荐理由:应用材料以约50亿美元搭建联合研发平台,把材料、设备与工艺验证集中到同一洁净室,读者可据此观察半导体前沿研发组织方式的变化。
阿斯麦(ASML)将对销往韩国的EUV与DUV光刻系统替换零部件全面调涨10%,2027年1月起交付的零部件适用新价格,荷兰总部已于2026年9月初通过韩国子公司向三星等厂商传达方案。调价涵盖消耗性零部件及透镜、反射镜、光源、精密运动控制系统等核心组件,将推升晶圆厂日常维护成本。ASML去年服务与零部件业务营收81.93亿欧元,占总营收326.67亿欧元的25%。
格芯在德国德勒斯登发布新一代FDX Fusion FD-SOI平台,主打接近7纳米级的数字效能,整合运算、感测、控制与连线能力,面向车用、工业、机器人与边缘AI等低功耗应用。
中微公司公告称,全资子公司中微临港拟以不超过3500万元向青禾晶元增资,认购其新增注册资本9042元,占本轮融资后注册资本0.5%,本轮增资后中微临港合计持有青禾晶元7.0718%股权。
九峰山实验室针对InP基激光器构建了覆盖衬底、外延、器件测试、可靠性验证与失效分析的全链条检测能力,涉及近20种检测方法,将隐患拦截在封装之前。该体系通过HR-XRD、SIMS、ECV、SCM等手段管控衬底与外延质量,并在裸片阶段完成KGD筛选,对标Telcordia GR-468、JEDEC等国际规范,光功率测试重复性标准差控制在0.1dB以内。
10月13日,12英寸晶圆代工企业粤芯半导体在深交所创业板上市,开盘暴涨,市值突破千亿。本次发行价12.01元/股,公开发行5.13亿股,计划将募资75亿元用于12英寸集成电路模拟特色工艺生产线项目(三期项目)、特色工艺技术平台研发项目和补充流动资金,其中产能扩建拟投入35亿元。公司无控股股东、无实际控制人,2025年营收25.82亿元、净利润-24.90亿元,预计最早2029年合并口径扭亏为盈。
微导纳米10月12日公告,拟向特定对象发行A股股票,募集资金总额不超过49.44亿元,用于无锡先进半导体设备产业化升级迭代项目、华中先进半导体设备产业化项目、尖端薄膜沉积技术研发中心项目及补充流动资金。
推荐理由:微导纳米49.44亿元定增的资金分配与三大研发方向,可帮助读者判断国产薄膜沉积设备在ALD、CVD之外向PVD、ALE拓展的节奏。
上海昌润极锐超硬材料有限公司将以参展单位身份出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会,该会议于2026年10月20日在苏州举办。大会聚焦超精密加工技术,其被视为决定高性能半导体器件与先进光学元件性能极限和产业化水平的关键使能技术。
电子科技大学张健、李沫团队研究了InGaAs纳米空气沟道光电二极管的伽马与中子辐照效应,成果发表于Applied Physics Letters。在100 krad(Si)总剂量γ射线辐照后,器件暗电流仅增加约40%,光电流下降小于10%,放置2周后光电流因室温自退火恢复至辐照前水平;在1 MeV、5×10¹¹ n/cm²中子辐照后光暗电流均无显著变化。
大连理工大学与清华大学合作团队利用自研光电协同瞬态测试系统结合电容瞬态谱,揭示了InGaN/GaN多量子阱中载流子的非对称动力学与空间电荷补偿机制,提取出104–119 meV的热激活能。研究首次建立了有效电荷浓度与实际参与热激活的量子阱数量间的定量对应关系,证实该响应源于量子阱本征态而非传统点缺陷,为Micro-LED等器件的极化势垒设计提供了技术路线。
10月10日,精智达存储测试设备产业化智造项目开工仪式在深圳龙华举行,该项目为公司定增募投重点工程,建成后将成为集研发、智造与综合配套于一体的半导体存储测试设备产业化智造基地。精智达董事长张滨表示,2025年公司营业收入超过11亿元,半导体设备业务占比接近60%,2026年上半年半导体业务同比增长近150%。公司今年公布近30亿元战略投资计划,龙华基地是其中关键一环。
推荐理由:精智达龙华存储测试设备智造基地开工,原文给出定增募投背景与半导体业务增长数据,可观察国产测试设备产能扩张节奏。
英伟达在OCP全球峰会上宣布开放Vera Rubin机柜和计算托盘关键设计,MGX 1.2规格新增机架级盲插液冷、液冷5000安培母排,支持最高250千瓦机柜部署。英伟达与思科合作开发USFP可插拔光模块,单通道速率从200G提升至400G、通道数翻倍,实现4倍带宽密度和约1.3倍能效。Meta宣布采用英伟达Spectrum-6 102.4Tb/s以太网交换机建设Vera Rubin AI工厂。
晶能微电子与Wolfspeed在杭州签署合作备忘录,晶能新一代功率模块平台将优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片,率先应用于新能源车主逆变器等场景。Wolfspeed将依托200mm碳化硅产线为晶能提供裸芯片稳定供货,双方共同对接国内头部车企高压电动平台,力争获取车型design-win项目。
三星电子明年约80%的存储芯片产能已通过长期供应协议提前锁定,包括HBM,英伟达、谷歌、微软等全球科技巨头已与其签署覆盖逾五年的芯片供应协议,未签约企业正争夺剩余约20%产能。SK海力士已与主要客户完成长约签署,美光科技策略客户协议数量从第二季的16份增至第三季的26份。
苏州东山精密制造股份有限公司通过港交所聆讯,由瑞银集团、海通国际、广发证券、中信证券联席保荐。本次IPO募集资金净额预期用于建设新设施及升级现有生产设施及产线、潜在战略投资或收购,以及偿还部分现有债务等。东山精密专注PCB、精密组件、触控面板及液晶显示模组以及光模块,产品应用于消费电子、汽车、数据中心、通信设备及工业控制设备。
Wolfspeed 获得美国国防部(DoW)最高 15 亿美元、30 年期融资的有条件承诺,用于支持其在美国本土开发和生产碳化硅(SiC)材料及宽禁带功率器件。
推荐理由:Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期贷款的有条件承诺,读者可了解其 SiC 与 GaN 产能本土化及股权认股权证安排。
宁波赛弥烯科技有限公司完成种子轮融资,由中科创星出资,公司聚焦原创扫描电磁感应(SEMI)石墨烯功能化薄膜的研发与产业化落地。其SEMI技术可在大气环境下数秒完成石墨烯制备,生长速度较传统工艺提升百倍以上,综合制造成本降低10倍以上,薄膜附着力高出4个数量级。公司已形成石墨烯玻璃、石墨烯纤维布、石墨烯玻璃钢复材三大产品系列,并布局G-TGV半导体玻璃基板。
先进封装基板正从通用件走向应用专用化,更大封装尺寸、更多层数、更精细布线和嵌入式功能使基板性能越来越具针对性。Prismark首席顾问王宇波指出,基板价值增速已超过出货量增速,服务器大尺寸倒装芯片BGA封装增长最强。基板供应商即使有闲置产能,也须复制特定层叠结构、材料体系和良率才能成为可互换供应商,合格供应商群体可能远小于标称群体。
液相还原法通过液相原位成核生长绕开超细分级难题,可制备80nm球形纳米镍粉,在粒径均匀性和原生分散性上具备优势,但杂质残留、批次放大一致性和结晶度缺陷仍是量产门槛。广州盛立新材料已制备出最小平均直径15nm的纳米镍粉,Span值降至0.15以下,并投资3.18亿元在清远英德建设年产600吨纳米镍粉生产基地。
宁夏北伏科技承担的“大尺寸薄壁碳化硅管材制备关键技术研究与应用”项目突破长尺寸薄壁管成型、烧结变形与批量一致性等技术瓶颈,实现规模化稳定生产。公司已建成4条生产线、配套6台真空烧结炉,年产碳化硅管达30万米,可稳定生产长度大于3米的薄壁碳化硅管,产品供应国内高端换热装备和新能源窑炉市场并出口日本、韩国。
安徽长飞先进半导体股份有限公司IPO项目于10月10日启动,中信建投证券、锦天城律师事务所、天健会计师事务所分别担任保荐机构、法律顾问及审计机构。公司已形成芜湖、武汉两大生产基地,合计年产能达42万片碳化硅晶圆,可提供工业级到车规级SiC SBD、MOSFET全系列产品。武汉基地总投资200亿元,一期达产后可实现年产36万片晶圆及6100万个功率模块,首片6英寸碳化硅晶圆良率达97%。
9月30日,湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目正式通线,被称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元,二期从2025年10月开工到通线用时11个月,全面建成后可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产,以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由:原文给出二期通线节点、投资规模与可承载的芯片中试和国产设备验证数量,读者可据此判断先进封装产能与设备验证需求的释放节奏。