高纯红磷短缺背后：6N级报价500万元/吨，国内多家企业推进国产化
中国粉体网梳理高纯红磷供需现状，6N级高纯红磷价格达500万元/吨，自7月日本厂商收紧对华供货后处于有价无市状态。高纯红磷是合成磷化铟多晶、单晶的唯一固体磷源，生产1公斤合格磷化铟衬底约消耗0.7公斤电子级高纯红磷。国内拓材科技年产30吨7N高纯红磷项目已于2026年6月投产，兴发集团6N/7N共线产线年产能850吨，至纯科技参股威顿晶磷现有35吨产能。
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第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 华中科技大学等联合团队实现780 nm免刻蚀薄膜铌酸锂微腔，本征品质因子达6.6×10⁵
华中科技大学徐竞团队联合上海交通大学纪幸辰团队、南开大学文花顺团队，在薄膜铌酸锂表面构筑ARP-6200聚合物波导，无需直接刻蚀铌酸锂即实现780 nm布拉格光栅FP微腔，本征品质因子达6.6×10⁵，谐振峰线宽672 MHz。该方案在通信波段薄膜铌酸锂和氮化硅平台分别获得2.2×10⁶和1.9×10⁶的本征品质因子，成果发表于《Laser & Photonics Reviews》。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2222 SK海力士推出用于AI计算的3D FeNAND技术
SK海力士10月14日披露基于铁电三维NAND（3D FeNAND）的模拟内存计算（A-CiM）研究成果，论文已发布于IEEE。该技术利用铁电材料极化状态存储数据并控制电流，可在单个单元内产生多个电流状态，适配AI计算所需的权重数据。模拟显示，基于3D FeNAND的A-CiM实现比传统非易失性存储器高20倍的吞吐量和5000倍的能效。
粉体圈精选AI 摘要AI 评分6262 清华大学用AI辅助设计高介电常数氧化物，芯片电容原型体积缩小约85%
清华大学材料学院林元华院士团队与合作者提出分层机器学习策略，从候选材料筛选到器件制备验证，建立AI辅助设计介电材料的新路径，并锁定钨青铜结构氧化物，通过Bi/Ge协同取代调控局域极化，获得介电常数约185、介质损耗低于0.0005、介电温度系数约-22 ppm/℃的材料。
推荐理由：清华大学团队用分层机器学习筛选钨青铜结构氧化物介电材料，并给出介电常数、损耗与温度系数等关键指标，可供介电材料与芯片电容研发参考。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2222 芯片良率的“守门人”，也离不开这块多孔陶瓷！
多孔陶瓷作为半导体先进制程检测设备的关键功能材料，可用于真空吸盘、精密气体过滤与颗粒捕集、热管理组件。采用优化孔径结构的多孔陶瓷吸盘后，吸附均匀性可提升30%以上，晶圆面内高度差控制在3μm以内；孔径控制在5μm以下、孔隙率35%~45%时，对0.3μm以上颗粒捕集效率达99.7%以上。SEMI预测全球半导体测试设备销售额将从2025年的117亿美元增长至2028年的208亿美元。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Aixtron 2026年Q3业绩超预期：订单 intake 约2.75亿欧元，EBIT利润率约31%
Aixtron 2026年Q3初步订单 intake 约2.75亿欧元，远超市场预期的2.146亿欧元，也高于2025年同期的1.24亿欧元。当季营收约1.84亿欧元，毛利率约48%，EBIT约5700万欧元，EBIT利润率约31%，主要受益于有利的产品组合。CEO Felix Grawert 表示，订单增长由AI数据中心通信激光应用设备需求驱动，2026财年指引维持不变。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4242 IBM与西门子合作推进NanoStack纳米堆叠晶体管架构
IBM宣布与西门子开展联合研究，推进其NanoStack晶体管架构，西门子将提供电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。双方将开发纳米堆叠先进虚拟模型，在芯片制造前完成性能建模与设计优化。NanoStack为业界首个已知三维纳米片设计，在7埃（0.7纳米）节点下指甲盖大小空间可容纳近1000亿个晶体管，并支持各堆叠层采用不同材料组合以独立优化性能与能效。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4747 有研新材突破80nm以下纳米镍粉技术，MLCC高端材料国产替代再提速
有研新材10月12日在投资者互动平台确认，实验室级别已开发出更小尺寸纳米镍粉，突破现有80nm粒径技术下限，MLCC用纳米镍粉正推进器件验证，纳米铜粉处于样品验证阶段。同日公司披露2026年三季报，前三季度营收84.62亿元、同比增长24.98%，归母净利润2.63亿元、同比增长7.31%。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1111 59页PPT了解半导体碳化硅陶瓷零部件
中国粉体网发布一份59页PPT资料，主题为半导体碳化硅陶瓷零部件。该资料以PPT形式呈现，内容围绕半导体领域碳化硅陶瓷零部件展开。
电池网AI 摘要AI 评分3030 马斯克Terafab芯片工厂落地得州 我国年内芯片相关企业注册量达6.40万家
马斯克宣布启动由特斯拉和SpaceX共同运营的Terafab大型芯片工厂项目，已选址得克萨斯州格兰姆斯县，初期投资额168亿美元，最终投资额可能高达1190亿美元。企查查数据显示，截至10月13日，国内现存芯片相关企业43.90万家，2026年注册量已达6.40万家。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1515 德国团队用光揭示二维半导体量子几何特性，成果发表于 Nature Photonics
德国耶拿大学与雷根斯堡大学的研究人员开发出一种结合光学测量与分析模型的新方法，可定量估算材料的局域 Berry 曲率，相关成果发表于 Nature Photonics。实验采用厚度不足 1nm 的二维化合物半导体 WSe₂，通过两束超短激光脉冲产生倍频光，从其偏振态获取 Berry 曲率信息，测量结果与理论计算一致。该效应在几百飞秒内完成，团队称该方法不限于 WSe₂ 这类材料。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 太阳诱电社长佐瀬克也解读2030中期经营计划：MLCC与电感并重，加码AI服务器与车载领域
太阳诱电正式启动2030中期经营计划（2026～2030财年），目标2030财年实现销售额4800亿日元、营业利润率15%。公司将从MLCC制造商转型为综合电子元器件解决方案提供商，重点开拓AI服务器与汽车电子市场，其中电感业务被设定为新中计中销售增长率最高的板块。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 SEMI 预测：半导体市场规模 2035 年有望达 2~3 万亿美元
SEMI 总裁兼 CEO Ajit Manocha 在 SEMICON West 2026 演讲中预测，半导体市场规模 2035 年有望达 2~3 万亿美元，并称 2026 年仅用 8 个月就跨越 1 万亿美元关口。他指出新晶圆厂投资和数据中心扩建是两大推动因素：2029 年前计划投产的晶圆厂共 102 家，其中 82 家已进入建设阶段；目前 479 个数据中心正在运行，另有 77 个正在规划中。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 SEMI报告：2026年全球300mm晶圆厂设备支出预计达1490亿美元，2029年增至2270亿美元
SEMI在SEMICON West发布《300mm晶圆厂展望报告》指出，预计2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出达1490亿美元，同比增长31%，并将保持两位数增长至2029年的2270亿美元。
推荐理由：SEMI报告给出2026至2029年300mm设备支出、建厂支出与开工投产数量的逐年预测，可用于判断全球晶圆厂建设节奏与设备需求窗口。
SEMI 中国·热点新闻精选AI 摘要AI 评分6060 SEMI报告：全球300mm晶圆厂设备支出2029年将达2270亿美元
SEMI在SEMICON West发布《300mm晶圆厂展望报告》，预计2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出达1490亿美元，同比增长31%，并保持两位数增长至2029年的2270亿美元。
推荐理由：SEMI 报告给出 2026 至 2029 年 300mm 设备支出与建厂数量的逐年预测，可用于判断前道设备与厂务建设的需求节奏。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4848 SEMI报告：全球300mm晶圆厂设备支出2029年将达2270亿美元
SEMI《300mm晶圆厂展望报告》预测，2026年全球300mm前道晶圆厂设备支出将达1490亿美元、同比增长31%，并保持两位数增长至2029年的2270亿美元。2026年和2027年全球将分别有20座和18座新的300mm晶圆厂或产线动工，其中美国分别为3座和4座；美洲设备投资将从2026年的181亿美元增至2029年的406亿美元。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2828 极端电热耦合应力场景下氮化镓功率晶体管可靠性研究进展
电子科技大学张波、周靖贵等系统梳理了GaN功率HEMT在浪涌电压、短路、浪涌电流及高温等极端电热耦合应力下的可靠性研究进展，涵盖动态导通电阻与阈值电压原位在线监测平台、逆压电效应与碰撞电离等退化失效机制，以及电场调控、电荷补偿等加固技术。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 南航在JSSC发表高性能电压基准芯片成果，首次以第一单位发表JSSC论文
南京航空航天大学集成电路学院研制出一款全集成单级高压电压基准芯片，基于180nm BCD工艺设计支持12V与100V电源电压的两款芯片，可在高达100V电源电压下稳定工作，温度系数28.71 ppm/°C，线性灵敏度0.000006%/V，静态电流约185 nA，启动时间35 μs。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2222 Ams Osram 加入 OCP 短距微发射器光学工作组 SRMO
Ams Osram 加入由 Credo 牵头的 Open Compute Project（OCP）短距微发射器光学（SRMO）工作组，参与制定面向 AI 数据中心高速互连的通用规范，目标 2027 年获 OCP 批准。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 麻小挺博士：纳米库尔特粒度仪及其在MLCC粉体表征中的应用（报告）
瑞芯智造（深圳）科技有限公司材料技术总监麻小挺博士将在11月3-4日举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”上，作题为《纳米库尔特粒度仪及其在MLCC粉体表征中的应用》的报告，介绍该仪器的测量原理、结构组成、技术优势及关键参数。
粉体圈AI 摘要AI 评分2222 安徽科技大学团队提出粉体颗粒级配策略，制备高性能Al2O3–TiC导电复合陶瓷
安徽科技大学科研团队提出粉体颗粒级配策略，在微米级Al2O3基体中引入纳米级Al2O3颗粒，制备出高性能Al2O3–TiC导电复合陶瓷，成果于10月8日在线发表于Journal of Advanced Ceramics。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3939 复旦大学孵化企业光擎源Micro LED光互连新进展：16通道37 Gbps、五通道波分复用201 Gbps/mm²
复旦大学孵化企业光擎源在Micro LED光互连领域取得新进展，其4×4绿光Micro LED阵列实现16通道37 Gbps数据传输，五通道波分复用方案数据率密度约201 Gbps/mm²。公司正推进数百通道规模通信能力开发，并计划验证1.6 Tbps量级光互连系统样机，围绕CPO、芯片间光I/O等短距互连场景推动工程化应用。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5050 九峰山实验室构建InP激光器全链条检测能力，覆盖衬底到失效分析近20种方法
九峰山实验室针对InP基激光器构建了覆盖衬底、外延、器件测试、可靠性验证与失效分析的全链条检测能力，涉及近20种检测方法，将隐患拦截在封装之前。该体系通过HR-XRD、SIMS、ECV、SCM等手段管控衬底与外延质量，并在裸片阶段完成KGD筛选，对标Telcordia GR-468、JEDEC等国际规范，光功率测试重复性标准差控制在0.1dB以内。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 电子科技大学张健、李沫团队在InGaAs纳米空气沟道光电二极管辐照效应研究中取得进展
电子科技大学张健、李沫团队研究了InGaAs纳米空气沟道光电二极管的伽马与中子辐照效应，成果发表于Applied Physics Letters。在100 krad(Si)总剂量γ射线辐照后，器件暗电流仅增加约40%，光电流下降小于10%，放置2周后光电流因室温自退火恢复至辐照前水平；在1 MeV、5×10¹¹ n/cm²中子辐照后光暗电流均无显著变化。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2626 大连理工大学与清华大学合作团队基于电容瞬态谱揭示InGaN/GaN多量子阱非对称载流子动力学与空间电荷补偿机制
大连理工大学与清华大学合作团队利用自研光电协同瞬态测试系统结合电容瞬态谱，揭示了InGaN/GaN多量子阱中载流子的非对称动力学与空间电荷补偿机制，提取出104–119 meV的热激活能。研究首次建立了有效电荷浓度与实际参与热激活的量子阱数量间的定量对应关系，证实该响应源于量子阱本征态而非传统点缺陷，为Micro-LED等器件的极化势垒设计提供了技术路线。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2222 英伟达开放Vera Rubin机柜设计，联合思科开发USFP可插拔光模块
英伟达在OCP全球峰会上宣布开放Vera Rubin机柜和计算托盘关键设计，MGX 1.2规格新增机架级盲插液冷、液冷5000安培母排，支持最高250千瓦机柜部署。英伟达与思科合作开发USFP可插拔光模块，单通道速率从200G提升至400G、通道数翻倍，实现4倍带宽密度和约1.3倍能效。Meta宣布采用英伟达Spectrum-6 102.4Tb/s以太网交换机建设Vera Rubin AI工厂。
粉体圈AI 摘要AI 评分4040 MLCC微型化背后的粉体技术（二）：液相还原法制备超窄分布纳米镍粉
液相还原法通过液相原位成核生长绕开超细分级难题，可制备80nm球形纳米镍粉，在粒径均匀性和原生分散性上具备优势，但杂质残留、批次放大一致性和结晶度缺陷仍是量产门槛。广州盛立新材料已制备出最小平均直径15nm的纳米镍粉，Span值降至0.15以下，并投资3.18亿元在清远英德建设年产600吨纳米镍粉生产基地。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 上海大学任鑫：氧化锌压敏陶瓷电阻的制备工艺与应用研究进展
上海大学任鑫副教授将在第九届新型陶瓷技术与产业高峰论坛作报告，介绍氧化锌压敏陶瓷电阻的制备工艺及掺杂改性技术。报告涵盖固相法与液相法制备粉体、微波烧结和放电等离子烧结等新型烧结工艺，以及Bi₂O₃、Sb₂O₃和稀土氧化物掺杂改性，并概述其高低压多领域应用场景。论坛将于2026年12月17-18日在河南郑州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3636 成本直降30%~50%，燃烧合成氮化铝为何仍未量产？
日本东洋炭素公司研究人员通过燃烧合成法制备出松散无团聚的氮化铝粉体，将铝粉与预制氮化铝粉体混合后在低于1MPa氮气中反应，从装料到取出产品不超过两小时，成本较传统工艺降低约30–50%，并已与上海东洋炭素有限公司启动联合创业项目推进生产。该技术历经数十年研究，已从超高压跨越至低/近常压合成，但至今尚未实现大规模工业化普及。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2525 电子科技大学能量转化与热控制团队在先进热管理材料与被动散热技术领域取得系列研究进展
电子科技大学能量转化与热控制团队研制出VGPP复合热界面材料，面外热导率达621.4 W m-1 K-1，接触热阻低至41.7 mm2 K W-1。团队还通过机械穿孔构建声子桥结构，使石墨烯纸复合材料总热阻降至0.23 K cm2 W-1，经10000次热冲击循环后性能稳定。此外，分级金属—氧化物结构将表面发射率提高至0.95以上，自然对流下可使热源降温18℃以上。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 Yole：MicroLED 从客厅走向 AI 数据中心
Yole 最新报告指出，MicroLED 已分化为 TFT 大尺寸显示、硅基 CMOS AR 微显示和 AI 数据中心光互连三大方向。AR 是当前最大驱动力，中国厂商正大规模采用像素间距 2.5-4 µm 的硅基 MicroLED，预计 2025-2031 年 LEDoS 显示引擎出货量 CAGR 达 121%，2031 年 AR 市场收入约 $2.5 billion。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3636 KnowMade：2026年Q2功率GaN专利发布由工业受让人主导
KnowMade报告显示，2026年Q2功率GaN领域约500个专利族发布、约800件新专利获授权，工业受让人主导了专利申请。Innoscience、Texas Instruments和Samsung在新授权专利数量上处于相近水平，WaveLord在晶圆和外延片环节领先。该季度新增约100家参与者，其中约70%为中国公司，约75%的新进入者集中在电路与应用环节。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3434 KnowMade：2026年Q2中国占新增RF GaN专利族多数
KnowMade发布RF GaN技术专利监测报告，2026年第二季度全球新公开超110个RF GaN专利族，其中中国申请人贡献超70个。当季超80个专利族首次获得授权，中国IP主体占超50个，CETC和西安电子科技大学领先。该季度新进入者超30家，多为中企，Unicompound Semiconductor披露了3项涉及HEMT器件工程的发明。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 KnowMade：2026年Q2功率GaN专利动态
KnowMade发布的2026年Q2横向功率GaN专利监测报告显示，该季度约500个专利家族公开，约800件新专利获得授权，发明集中于增强型晶体管及热管理。Innoscience在新公开和新授权专利方面表现突出，Texas Instruments和Samsung的新授权专利数量与之相当。该季度新增约100个参与者，其中约70%为中国公司，约75%通过电路与应用环节进入。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1414 FBH 等机构利用远紫外 LED 实现 1.5Gbps 数据传输创纪录速度
德国 FBH、英国斯特拉斯克莱德大学与剑桥大学研究人员利用新型远紫外 LED，在 30cm 距离内实现了最高 1.5Gbps 的数据传输速率。该器件发光波长低于 235nm，FBH 通过将发光面分割为多个小区域降低结电容并提高电流密度，从而获得更高调制带宽。此成果创下 235nm 以下波段无线光通信的速率纪录，未来有望用于自动驾驶和无人机等非视距户外通信。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2828 KnowMade发布Q2 2026 RF GaN技术专利监测报告
KnowMade发布Q2 2026 RF GaN技术专利监测报告，当季公开超110个新专利族，中国实体占超70个。超80个专利族获首次授权，CETC和西安电子科技大学领先，NXP以10个新公开专利族居海外企业首位。超30家新进入者加入该领域，多数为中国实体。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4242 浙大团队《PRL》揭示空穴掺杂调控硅压力诱导相变新机制
浙江大学团队在《PRL》发表研究，首次实验证实高浓度空穴掺杂是硅压力诱导相变路径的关键调控因素。微米压痕结合微拉曼光谱测试显示，重硼掺杂硅非晶化概率约60%，轻硼掺杂仅约20%；B/P共掺补偿空穴后降至约33%和30%。该成果为晶圆切片、研磨、抛光等高压接触加载工业过程的加工损伤调控提供了新思路。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分7171 工研院验证基于玻璃载板的面板级中介层，面向2.5D先进IC封装
工研院在2025 IEEE第75届ECTC会议论文中，完成基于玻璃载板的RDL先制与芯片先制两种面板级中介层工艺验证。样件采用37 cm × 47 cm母板，最小线宽/线距达到3 μm/3 μm，通过平衡薄膜将翘曲控制在约0.1 mm，并结合AOI偏移数据与DDC™数字动态连接技术调整通孔和布线图形。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分6161 燕山大学与中山大学团队研发热化学机械研磨工艺，降低碳化硅晶圆加工损伤
燕山大学黄水泉团队联合中山大学黄翰团队研发碳化硅热化学机械研磨工艺，相关成果发表于《极端制造国际期刊》。工艺利用接触点瞬时摩擦升温超45℃触发冷却液中的ACVA分解，在晶体表层形成厚度约10纳米的无定形碳氧化硅缓冲薄膜，使无裂纹切削深度从29纳米提升至51纳米，亚表面加工缺陷控制在70纳米以内。团队下一阶段计划优化工艺参数以适配商用8英寸碳化硅晶圆加工设备，并研发配套闭环流体回收系统，推进产业化。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3636 硅光子与 InP 光子集成电路市场预计到2036年增至$48bn
IDTechEx预测，硅光子与 InP 光子集成电路市场将以21.9%的复合年增长率增长，到2036年达到US$48bn。基于光子集成电路的收发器可加快数据中心节点连接并降低功耗，需求受 AI 推动。高质量 InP 衬底供应正成为 AI 硬件部署的瓶颈，硅光子采用增加并不意味着 InP 组件需求减少。