格善新材料GSD系列团聚金刚石微球用于硬脆材料研磨抛光
湖南格善新材料科技有限公司推出自主研发的GSD系列团聚金刚石微球，以99.95%高纯金刚石微粉为核心原料。该产品粒径覆盖10μm-300μm，孔隙率15%-55%精准可调，适配硬脆材料、硬质合金及高端金属的精密研磨与抛光加工场景。
#工艺/技术
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今日 6 条中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 中国粉体网AI 摘要AI 评分3434 碳化硅晶圆激光剥离技术如何替代传统线切割
激光剥离技术通过内部改性与外力裂片实现碳化硅晶圆无损切割，将材料损耗从线切割的30%~50%大幅降低。国内已实现8英寸SiC晶圆自动化激光剥离，切割道宽度缩至20μm以内，晶粒良品率超98%，加工效率较传统工艺提升30%以上。德国Siltectra、日本Disco已将切片损耗控制在60μm以内并量产8英寸晶圆。
中国储能网·产业资讯AI 摘要AI 评分1818 浙江高特智慧产业园区微电网实现“主配微”三级协同互动
浙江高特智慧产业园区微电网近日完成升级，历经3个月技术攻关，落地浙江首次“主配微”三级协同互动场景。该园区配置1万平方米光伏、16兆瓦储能、60千瓦风力发电及数十座充电桩，通过加装16套数据采集终端并接入AI智慧保供平台，实现了与主网和配网的实时调度互动。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 纳芯微推出小型化封装数字隔离器和隔离接口
纳芯微近日推出基于第三代电容隔离技术的小型化封装产品，包括NSI834xWx-DSSWR/-Q1SSWR系列数字隔离器、NSI84085-DSSR隔离式RS485收发器和NSI1150-DSPR隔离式CAN收发器。新品封装面积较同系产品缩小约50%-70%，支持最高5000Vrms隔离耐压和200kV/μs CMTI，已通过UL、CQC、CSA及VDE增强隔离认证。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1818 碳化硅半导体依赖的“四高”碳基材料解析
PVT法制备SiC单晶依赖高纯碳化硅粉、高纯碳粉、高纯硬毡和高纯石墨四种关键材料。改进的自蔓延高温合成法在1400~2000℃下生产高纯SiC粉体，碳纤维硬毡中关键杂质元素含量需控制在10-6以下。国内烁科晶体、天科合达、赛迈科等企业已实现相关技术突破或量产。
Batteries NewsAI 摘要AI 评分3737 Nano One 更新 LFP 正极生产原料供应商验证进展
Nano One 已完成来自美国、欧洲、智利和阿根廷的 6 家碳酸锂与磷酸供应商预认证，用于其 One-Pot 工艺生产 LFP 正极活性材料。加拿大氧化铁供应商正推进吨级验证，欧洲来源也在验证中。该工艺直接用碳酸锂、铁和磷酸合成 LFP 正极，无需中国产磷酸铁前驱体（pCAM），可为未来项目缩短 12 个月以上投产周期。
Batteries NewsAI 摘要AI 评分2828 XBM USA 与 SiCAM Technologies 合作开发下一代硅硫电池技术
XBM USA 与 SiCAM Technologies 宣布合作，将 SiCAM 的硅碳负极材料与 XBM 的锂硫正极材料及电芯技术结合，开发硅硫（Si-S）电池平台。该平台初期面向 eVTOL 和无人机等高能量密度、轻量化电动出行电池应用。SiCAM 采用氯硅烷（TCS）在流化床化学气相沉积（FB-CVD）工艺中制备硅碳负极，有助于缓解充放电循环中 300% 的硅膨胀问题。
Batteries NewsAI 摘要AI 评分1818 Ricardo AMBERS 模块化电池平台面向高性能车辆混动应用
Ricardo 联合 Hyperbat 和 Volklec 开发 AMBERS 先进模块化电池平台，为各赛事级别的高性能混动车辆提供即插即用电池包方案。该平台支持高电流放电、集成热管理与无线通信传感，并采用 AI 估算算法优化 BMS，首批原型件将于 2027 年推出，计划 2028 年底开始量产。 ```
Charged EVsAI 摘要AI 评分3434 Li-S Energy 锂硫电池驱动 Pegasus 无人机完成近两小时试飞
Li-S Energy 的锂硫电池包驱动 Pegasus 长航时无人机在昆士兰完成近两小时试飞，飞行距离超过 75 km。该无人机由 V-TOL Aerospace 制造机身与动力系统，Li-S Energy 提供 382 Wh 锂硫电池包及 BMS，Halocell Energy 提供钙钛矿太阳能阵列。
Charged EVsAI 摘要AI 评分2222 Avery Dennison 基于 PSA 胶带的电池包热失控预防与缓解综合策略
Avery Dennison 提出基于压敏胶（PSA）胶带的电池包热失控预防与缓解策略，涵盖改善传热、隔离电芯和管理排气三个方向。其 Volt Tough 系列介电胶带厚度仅 85 µm，相比 250 µm 粉末涂层可降低约 66% 的导热热阻。低导热 PSA 胶带可复合云母或气凝胶等隔热材料，所用胶粘剂能短时耐受近 500℃ 高温。
Converting QuarterlyAI 摘要AI 评分4242 Idvac 开发铝蒸发舟真空处理工艺
Idvac Ltd. 开发出一种干法真空处理工艺，用于改善卷对卷真空镀膜机中铝蒸发用金属间化合物蒸发舟的初始润湿性。该工艺在蒸发舟装入镀膜机前于受控真空环境中处理，无需化学涂层或表面涂料，可使熔融铝更易在舟面铺展，有望提升蒸发稳定性与镀层一致性，并减少启动时对更高电流的需求。公司计划开发紧凑型台式真空处理设备，供操作人员在装载前就地处理蒸发舟。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3333 镓驰动力完成氧化镓垂直MOSFET流片验证，导通电流突破1安
镓驰动力近日完成氧化镓（β‑Ga₂O₃）垂直MOSFET芯片第一阶段迭代流片验证，研制出全球首款导通电流超1安的增强型氧化镓垂直MOSFET器件。该器件实测导通电流1.2安、击穿电压超900伏、阈值电压3.9伏、比导通电阻33毫欧・平方厘米、漏电流控制在3微安以内。团队自研沟道自对准离子注入工艺填补了行业大功率器件工艺空白。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 西安交大张锦英教授团队在紫磷半导体器件方面取得进展
西安交通大学张锦英教授团队首次将碲元素引入紫磷晶体，制备出高质量紫磷碲单晶（化学式P₈₀Te）。碲替位使紫磷碲纳米片与Ti/Au电极间的接触电阻由550–860 MΩ降至1.13–1.80 MΩ，电子迁移率达134.12 cm² V⁻¹ s⁻¹。该成果已发表于《Advanced Science》期刊。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2929 沃格光电旗下湖北通格微与华工科技签署战略合作协议
沃格光电旗下湖北通格微与华工科技于9月29日正式签署战略合作协议。双方将围绕3.2T及更高速率光模块，联合开展玻璃基载板产品定义、架构设计与关键工艺开发，并在CPO、NPO、光引擎等方向实现技术联合攻关。合作还将聚焦TGV通孔形成、超快激光加工等核心技术，推进高端装备与量产工艺协同开发。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分88 CML Micro 推出面向下一代 ISM 频段无线电设计的紧凑型功率放大器 CMX90A002
CML Micro 推出面向下一代 ISM 频段无线电设计的功率放大器 CMX90A002。该器件覆盖 860–960MHz，支持 868MHz 和 915MHz 免许可频段，工作电压范围 1.9–4.5V，采用 3mm x 3mm 封装，PCB 面积比现有 4mm x 4mm 器件减少约 44%。CMX90A002 已通过 DigiKey、Mouser 和 RFMW 全球分销商供货。
粉体圈AI 摘要AI 评分2424 三星电机AI服务器MLCC解决方案解析：从性能到形态
三星电机全面转向AI服务器等高附加值市场，推动MLCC从普通电子元件升级为AI电源系统基础组件。其去年5月发布0402、47㎌及0603、100㎌两款新品，满足GPU高频带来的低ESL要求。产品形态同步向Low Profile和Embedded方向演进，以适配2.5D/3D先进封装的空间与热管理需求。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4949 ASML披露Hyper NA EUV技术，俄罗斯130纳米光刻机原型通过验收
ASML与蔡司联合披露Hyper NA EUV光刻技术，有望在约十年内就绪，将最小图案特征尺寸做到5纳米。俄罗斯ZNTC与Planar合作开发的130纳米步进式光刻机原型于2026年8月7日完成第三阶段设计验收，采用193纳米准分子激光器，用于直径200毫米晶圆，计划2027年签订批量供应合同。
粉体圈AI 摘要AI 评分3737 Mivium建成全球首个半导体级GaN粉体量产装置
Mivium展示了高纯度亚微米GaN粉体的批量化生产能力，并建成全球首个半导体级GaN粉体量产装置。经第三方检测证实，该产品为六方纤锌矿GaN（h-GaN），粒径分布为300-500纳米。今年7月Mivium完成423万美元私募融资，累计融资总额超过1050万美元。
锂电中国AI 摘要AI 评分5252 赛科动力硫化物固态电解质材料中试研发平台获宜宾市科技局认定
四川赛科动力科技有限公司的“宜宾市硫化物固态电解质材料中试研发平台”入选宜宾市首批中试平台认定名单。该平台聚焦硫化物固态电解质规模化试制，攻关低成本高效率工程化制备工艺，重点解决核心装备验证选型、密闭物料输送计量、全链条工艺边界识别和批量生产质量波动四大痛点。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4545 半导体千℃热场用“三明治”复合石英玻璃的制备工艺与企业布局
复合石英玻璃以不透明石英为中间层、两侧复合半导体级透明石英，用于晶圆扩散、退火、氧化工序保温筒等热场部件。其二氧化硅含量≥99.99%，金属杂质小于30×10 -6，热导率较纯透明石英降低30%-40%，可在大于1000 ℃长期服役。贺利氏OM系列、石英股份PQ1652E及菲利华FCMQZ等产品已实现批量供应。
Batteries NewsAI 摘要AI 评分2424 Novacium 向 STAT 交付首批原型电池，能量容量达现役电池两倍
Novacium 于 2026 年第三季度向法国陆军技术部门 STAT 交付首批战术电台原型电池。该电池采用 GEN3 21700 圆柱电芯替代 18650 电芯，能量容量达 144 Wh，为现役 72 Wh 参考电池的两倍，能量密度提升至 261 Wh/kg，尺寸仅微调至 42.6 × 98.63 × 74.35 mm，兼容现有连接器与充电器。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅高纯粉体哪条工艺路线能实现量产突围？
碳热还原法是目前国产高纯SiC粉体兼顾纯度与产能的最优解，也是国内企业量产的主力路线。艾奇逊法纯度不足，CVD气相法成本高且难大规模量产，燃烧合成法和等离子体法能耗低但量产稳定性不够。11月25-26日苏州将举办全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会，探讨各工艺量产难点与低成本规模化方案。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4141 AI服务器散热需求带动TEC陶瓷基板国产化，多家企业加速布局
国瓷赛创、中瓷电子、富乐德等多家国内企业正加速量产TEC半导体制冷片用陶瓷基板，以适配800G/1.6T高速光模块及AI服务器散热需求。国瓷赛创采用0.15mm超薄氮化铝基板，铜厚均匀性±5μm，良率达85%；科翔股份低介电常数氮化硅材料已完成小批量试制，计划2026年导入AI服务器。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1818 氮化硅陶瓷粉体工艺与三大高端制品应用分析
氮化硅陶瓷凭借耐高温1400℃、热导率90～120W/(m·k)等性能，正加速应用于陶瓷基板、陶瓷球和结构件三大高端领域。目前高端产品仍由日本京瓷、东芝材料等企业主导，国内中材高新、国瓷金盛等企业已实现中低端国产化。随着功率半导体、新能源汽车及半导体设备需求增长，其高端产业化与国产替代空间广阔。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分3333 应用材料携手英特尔加速芯片制造技术创新
10月7日，应用材料宣布与英特尔合作，共同开发下一代晶体管、互连技术及先进封装技术。双方将结合应用材料硅谷EPIC中心与英特尔Hillsboro研发园区的能力，针对AI工作负载所需的先进逻辑制程节点开发新一代材料与元件架构。合作还涵盖Foveros 3D堆叠的先进封装技术，以缩短支持AI运算所需先进半导体技术的上市时间。
Battery-NewsAI 摘要AI 评分1414 Vaisala：精确露点测量如何降低正极干燥能耗
Vaisala 专家 David Dlugay 在一场 30 分钟的德语网络研讨会中，讲解电池制造商如何通过精确露点测量优化正极干燥工艺。正极干燥可占干燥房能耗的 45%，精确控制湿度能避免过度干燥并保障产品质量。该研讨会面向电池制造、干燥房运营及工业能源管理领域的工程师与运营经理。
Charged EVsAI 摘要AI 评分3939 Nanoramic 发布包含八款 NXSP 锂电电极粘结剂的产品目录
Nanoramic 发布包含八款 NXSP 电极材料的产品目录，其中四款用于锂离子电池正极，四款用于硅负极。正极系列采用超高固含量浆料，兼容 NCM、NCA、NCMA 及 LFP 活性材料且不含 PFAS；负极系列面向 20–50% 和 50–100% Si-C 体系设计。该系列产品定位为可直接导入量产的标准化材料。
Charged EVsAI 摘要AI 评分1212 H.B. Fuller：先进材料如何实现下一代电动汽车电池热管理设计
随着电动汽车电池从 cell-to-module 向 CTP、CTC 架构演进，先进胶粘剂、密封剂和阻燃泡沫已成为实现结构支撑与热管理的关键材料。高性能阻燃泡沫可替代重型机械支撑件实现轻量化，同时减缓电芯间热失控蔓延。达到 UL94 V-0 等级的材料能快速自熄并抑制火焰扩散，为电池系统安全提供保障。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1515 英飞凌推出面向 AI 服务器电源架构的 27kW 三相 PSU
英飞凌推出面向 AI 服务器的 27kW 三相 PSU 参考设计，满足 OCP Open Rack V3 (ORV3) 规范。该方案采用五级 ANPC PFC 拓扑和三级 LLC 转换器，在 480VAC 输入、50% 负载下峰值效率超过 98%，功率密度达 116W/in³。其集成能量缓冲器可在电网短时扰动期间提供 20ms 保持时间。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 QPT 发布面向 800V 数据中心的 qMicroModule IBC
QPT 发布面向下一代 AI 数据中心的 qMicroModule IBC，可将 800V DC 一步转换为 6V 为处理器供电。该设计基于 650V GaN，功率密度达现有转换器的 5 倍，两个模块堆叠输出约 5 kW。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2424 Lumentum、Coherent 等主要供应商押注 VCSEL 近封装光学（NPO）
Lumentum、Furukawa Electric、Coherent、Broadcom、Ams Osram 和 HiSilicon 正大力研发基于 VCSEL 的近封装光学（NPO）方案，多款产品预计于 2027 至 2028 年间推出。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 英飞凌推出面向 AI 服务器的 27 kW 三相 SiC 电源参考设计
英飞凌推出基于 SiC 的 27 kW 三相 PSU 参考设计，满足 OCP Open Rack V3 规范和 AI 服务器机架架构要求。该方案采用五级 ANPC PFC 拓扑和三级 LLC 转换器，在 480 VAC、50% 负载下峰值效率超 98%，功率密度达 116 W/in³。集成能量缓冲可在电网短时扰动时提供 20 ms 保持时间，无需单独 CBU。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分7373 艾邦半导体网梳理玻璃基板产业进展：京东方等头部厂商进入客户验证与供给建设阶段
艾邦半导体网梳理了玻璃基板产业化进展，指出行业正从技术探索转向客户验证和建线投入。京东方已产出24层、超过100×100毫米样品并送客验证，蓝思科技与Intel开展先进封装合作，沃格光电部分TGV产品已小批交付；海外方面，DNP计划FY2026—FY2028投入300亿日元发展Glass Core，LG Innotek以2028年量产为目标，LPKF已取得LIDE设备订单及追加采购意向书。
推荐理由：原文梳理了国内外主要厂商在玻璃基板客户验证、设备采购和量产时间表上的具体进展，读者可据此判断产业链各环节的导入节奏。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2121 沃尔夫C系列吸波材料C4技术介绍
沃尔夫推出C系列吸波材料C4，通过抗饱和体系升级、磁介双损耗协同与近场自适应阻抗匹配设计，在30MHz以下低频强磁场区间屏蔽效能全面超越铝合金。C4集成EMC屏蔽与NVH阻尼功能，导热系数达普通塑料10倍以上，满足GB 18384-2025安规要求并实现IP67气密兼容。2026年沃尔夫电磁材料技术白皮书（第一版）正式定稿。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5959 JNTC将2mm厚TGV玻璃基板铜填孔时间从12小时缩短至分钟级
韩国玻璃基板企业JNTC宣布，在510×515mm、2mm厚的TGV玻璃基板上，将原本耗时半天至一天的铜填孔时间缩短至分钟级。其方案采用中间较窄的沙漏形通孔结构并配合自研金属化制程消除空洞与凹陷，已通过美国半导体客户验证，计划2027年起量产供应玻璃核芯基板。
粉体圈AI 摘要AI 评分2525 韩国成均馆大学开发拉伸后导热率提高的新型银纳米复合材料
韩国成均馆大学（SKKU）研究团队开发出一种新型银纳米复合材料，材料被拉伸后电导率和热导率反而提高。该材料将粒径3.4 nm的银纳米颗粒分散在可拉伸硅橡胶中，颗粒间距控制在约4.1 nm，利用量子隧穿效应和弹道输运实现高效传输。研究团队已将其应用于折叠手机的热管理，相关成果发表于《Advanced Functional Materials》。
中国粉体网AI 摘要AI 评分66 1200℃以上高温热障涂层如何用锆基材料突破性能瓶颈
锆基材料是航空发动机和燃气轮机高温热障涂层陶瓷层的首选，但6wt%~8wt%Y2O3部分稳定ZrO2（YSZ）在1200℃以上易发生相变导致涂层失效。纳米氧化锆粉体与空心球氧化锆粉体制备的涂层具有更高抗烧结性能和更低热导率。稀土锆酸盐（RE2Zr2O7）因更低热导率和更高相稳定性，成为下一代热障涂层核心候选材料。
Batteries NewsAI 摘要AI 评分3636 NMG 联合麦吉尔大学开发低碳负极材料涂布工艺
NMG 联合麦吉尔大学开发出一种用于负极材料的绿色化学涂布工艺，可兼容现有制造设备。用生物基涂布替代沥青涂布，每生产一吨 CSPG 可减少 130 kg Scope 1 CO₂e 排放。电化学测试显示其容量、首效和快充性能与行业标准相当，已提交专利申请。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分1414 复用检测计划前如何冻结 CAD 版本
将 revision A 的检测计划复用于 revision B 前，需锁定对比文件对、确认受控要求并记录工程师决策。以轴承座为例，外形保持 120 × 74 × 89 mm 不变，四个法兰孔标称直径由 6.4 mm 变为 8 mm，CADProps 可识别此类几何差异。标称尺寸变化不自动提供公差或验收标准，必须回归受控图纸判定现有计划是否适用。 ```
粉体圈AI 摘要AI 评分2828 MLCC制造中的三类关键助剂介绍
MLCC制造过程需使用介质材料掺杂与烧结助剂、流延浆料有机助剂、内电极浆料有机助剂和共料三类关键助剂。目前高容小型化MLCC使用的钛酸钡原料粒径在150 nm左右，部分高端应用已下探至120 nm甚至100 nm。随着粉体粒径细化，浆料的分散稳定性、杂质控制及各组分工艺匹配要求进一步提高。