西安奕斯伟材料完成对重庆欣晖B+轮融资投资
西安奕斯伟材料出资3000万元完成对重庆欣晖B+轮融资投资，取得其2.0157%股权。本轮融资整体募资规模不少于1.6亿元，资金将用于设备采购、工程建设尾款支付及补充营运资金。重庆欣晖主营刻蚀机、外延炉等半导体设备用碳化硅部件与硅部件。
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今日 0 条全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分2424 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4747 芯源微业绩会：前道设备订单收入快速增长 利润率待随规模提升
芯源微2026年上半年实现营业收入8.97亿元，同比增长26.47%，前道清洗收入占总收入比重超30%。公司新签订单实现较快增长，前道涂胶显影机、化学及物理清洗机均取得头部客户订单，HBM、CoWoS相关后道高端封装业务新签订单同比实现增长。受期间费用增加等因素影响，上半年归母净利润为806.22万元，整体毛利率34.93%。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1818 碳化硅半导体依赖的“四高”碳基材料解析
PVT法制备SiC单晶依赖高纯碳化硅粉、高纯碳粉、高纯硬毡和高纯石墨四种关键材料。改进的自蔓延高温合成法在1400~2000℃下生产高纯SiC粉体，碳纤维硬毡中关键杂质元素含量需控制在10-6以下。国内烁科晶体、天科合达、赛迈科等企业已实现相关技术突破或量产。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1010 第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）10月11-15日在西安举办
第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）将于10月11日-15日在中国西安举办，由西安电子科技大学主办。大会特邀6位大会报告嘉宾、3位Short Course嘉宾及50余位邀请报告嘉宾，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体设置近200个前沿主题报告。会议包含全体大会、平行口头报告专场、海报展示及特设的宽禁带半导体女性学者论坛等环节。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4949 晶旭半导体16.8亿元氧化镓芯片项目年底试产
晶旭半导体二期总投资16.8亿元的氧化镓压电薄膜高频滤波器芯片生产线正安装设备，计划2026年底试产。该项目位于上杭金铜产业园，投产后将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3333 镓驰动力完成氧化镓垂直MOSFET流片验证，导通电流突破1安
镓驰动力近日完成氧化镓（β‑Ga₂O₃）垂直MOSFET芯片第一阶段迭代流片验证，研制出全球首款导通电流超1安的增强型氧化镓垂直MOSFET器件。该器件实测导通电流1.2安、击穿电压超900伏、阈值电压3.9伏、比导通电阻33毫欧・平方厘米、漏电流控制在3微安以内。团队自研沟道自对准离子注入工艺填补了行业大功率器件工艺空白。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 西安交大张锦英教授团队在紫磷半导体器件方面取得进展
西安交通大学张锦英教授团队首次将碲元素引入紫磷晶体，制备出高质量紫磷碲单晶（化学式P₈₀Te）。碲替位使紫磷碲纳米片与Ti/Au电极间的接触电阻由550–860 MΩ降至1.13–1.80 MΩ，电子迁移率达134.12 cm² V⁻¹ s⁻¹。该成果已发表于《Advanced Science》期刊。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4848 御微半导体首台先进制程掩模基板缺陷检测设备Halo-300交付国内头部客户
10月8日，御微半导体自研的掩模基板缺陷检测设备Halo-300正式发运国内头部掩模基板客户。该设备可覆盖石英基板制造、空白掩模基板制造及光罩厂来料检测等环节，集成自动化开盒、倒板、翻面模块并搭配自研智能缺陷分类系统，实现全流程封闭式智能管控。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5454 格芯与台积电达成20亿美元硅中介层制造协议
格芯与台积电达成一项20亿美元、初期为五年的制造协议，将扩充美国纽约州马耳他工厂产能为台积电CoWoS先进封装提供硅中介层。新增产能预计2028年上半年开始提升量产规模，支持AI与高性能运算需求，并为未来产能扩张提供框架。
粉体圈AI 摘要AI 评分88 风华高科将以技术顾问单位参与2026年MLCC关键粉体/浆料论坛
风华高科将以技术顾问单位参与粉体圈于2026年11月3-4日在广东东莞举办的“2026年MLCC关键粉体/浆料制备创新发展论坛”。该论坛聚焦钛酸钡、钛酸镁等陶瓷粉体及镍、铜等金属电极材料的前沿制备技术，探讨其在AI服务器、新能源汽车等领域的应用痛点。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分3232 富强鑫取得中科先峰玻璃基板设备独家代理权，双轨布局半导体新事业
富强鑫与韩国中科先峰签署合作协议，取得其玻璃基板设备在台湾及东南亚地区的独家代理权。引进的VP高阶垂直生产设备可将电镀偏差控制在3%以内，同时涵盖VCP高速垂直连续电镀设备及SPP高性能板级电镀设备。SEMI预测玻璃基板最快于2028年进入初期商用量产阶段。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2929 沃格光电旗下湖北通格微与华工科技签署战略合作协议
沃格光电旗下湖北通格微与华工科技于9月29日正式签署战略合作协议。双方将围绕3.2T及更高速率光模块，联合开展玻璃基载板产品定义、架构设计与关键工艺开发，并在CPO、NPO、光引擎等方向实现技术联合攻关。合作还将聚焦TGV通孔形成、超快激光加工等核心技术，推进高端装备与量产工艺协同开发。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分4949 江西德虹第二条玻璃基Mini LED产线核心设备搬入
9月28日，江西德虹东莞松山湖基地第二条玻璃基Mini LED封测产线首套核心设备正式搬入。新产线量产后，后段封测年产能可达50万台以上（基于MNT口径），公司总规划年产600万余片玻璃产能建设目标持续推进。 ```
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5151 佛智芯5亿元玻璃基板生产线扩建项目完成备案复核
广东佛智芯微电子有限公司总投资5亿元的玻璃基板生产线扩建项目于近日完成备案复核，计划建设周期为2026年9月至2028年12月。项目无新增主体厂房，重点购置差分蚀刻线、超粗化线、FAB电镀线、研磨机、激光切割机等核心设备，建成后设计月产能约5000片。佛智芯现有产线板面尺寸为510×515mm，已实现最小孔径3μm的TGV加工，并计划于2027年实现玻璃基板量产。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分88 CML Micro 推出面向下一代 ISM 频段无线电设计的紧凑型功率放大器 CMX90A002
CML Micro 推出面向下一代 ISM 频段无线电设计的功率放大器 CMX90A002。该器件覆盖 860–960MHz，支持 868MHz 和 915MHz 免许可频段，工作电压范围 1.9–4.5V，采用 3mm x 3mm 封装，PCB 面积比现有 4mm x 4mm 器件减少约 44%。CMX90A002 已通过 DigiKey、Mouser 和 RFMW 全球分销商供货。
粉体圈AI 摘要AI 评分2424 三星电机AI服务器MLCC解决方案解析：从性能到形态
三星电机全面转向AI服务器等高附加值市场，推动MLCC从普通电子元件升级为AI电源系统基础组件。其去年5月发布0402、47㎌及0603、100㎌两款新品，满足GPU高频带来的低ESL要求。产品形态同步向Low Profile和Embedded方向演进，以适配2.5D/3D先进封装的空间与热管理需求。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 湖北迈兆机械将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
湖北迈兆机械有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件和先进光学元件制造中的应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 漯河市泰隆超硬材料将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
漯河市泰隆超硬材料有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分1818 Lumentum CEO：光器件产能售罄至2029年初，缺货看不到尽头
Lumentum首席执行官Michael Hurlston表示，受AI数据中心建设驱动，公司直至2029年初的光器件产能已全部售罄。部分产品到明年仍有约70%的需求无法满足，到2028年仍有30%无法满足。Lumentum过去两年将东京工厂产能提高12倍，并计划在该工厂及邻近设施至少投资3.5亿美元。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4949 ASML披露Hyper NA EUV技术，俄罗斯130纳米光刻机原型通过验收
ASML与蔡司联合披露Hyper NA EUV光刻技术，有望在约十年内就绪，将最小图案特征尺寸做到5纳米。俄罗斯ZNTC与Planar合作开发的130纳米步进式光刻机原型于2026年8月7日完成第三阶段设计验收，采用193纳米准分子激光器，用于直径200毫米晶圆，计划2027年签订批量供应合同。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分5757 格芯与台积电达成20亿美元多年期制造合作协议
格芯与台积电签署一项总金额20亿美元的五年制造合作协议，为台积电CoWoS先进封装生态提供硅中介层制造服务。格芯将扩建其位于美国纽约州马耳他厂区的晶圆产能，支持包含嵌入式深沟槽电容组件在内的先进封装技术，项目预计2028年上半年启动量产爬坡。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分6969 星辰技术3D先进封装中试平台二期项目通线
湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目近日正式通线，一期、二期合计投资超70亿元。产线全面建成后可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证，并补齐2.5D中试能力。此外，其总投资250亿元的先进封装产业化基地一期计划于2027年9月底前通线，两期全部建成后月产晶圆8万片。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2424 佰维存储控股子公司广东芯成汉奇完成6亿元增资扩股
佰维存储控股子公司广东芯成汉奇完成6亿元现金增资扩股，本轮投资者取得增资后23.0765%股权。增资完成后，广东芯成汉奇注册资本增加至13328.6112万元，佰维存储持股比例由68.2742%变更为52.5186%，仍为控股子公司并纳入合并报表范围。
粉体圈AI 摘要AI 评分4242 巴斯夫拟收购赢创释放了哪些产业信号？
巴斯夫（BASF）9月25日确认正探索收购赢创（Evonik），后者披露收到约103亿欧元非约束性报价，但表示尚未达到正式谈判门槛。双方业务在电子和半导体材料领域互补明显，若交易达成有望形成完整的半导体CMP、封装解决方案，并将电子材料业务延伸至粉体—浆料—配方体系，覆盖MLCC等关键电子元件。
粉体圈AI 摘要AI 评分3737 Mivium建成全球首个半导体级GaN粉体量产装置
Mivium展示了高纯度亚微米GaN粉体的批量化生产能力，并建成全球首个半导体级GaN粉体量产装置。经第三方检测证实，该产品为六方纤锌矿GaN（h-GaN），粒径分布为300-500纳米。今年7月Mivium完成423万美元私募融资，累计融资总额超过1050万美元。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1010 山东耐克特分析仪器有限公司邀您参加2026全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会
山东耐克特分析仪器有限公司将参加2026全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会，展示NKT5600-H智能全自动激光粒度仪。该仪器采用双镜头光学系统与第五代超高速信号采集主板，内置激光智能管理系统(LIMS)及智能除雾系统。大会将于2026.11.25-26在苏州举办。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分2424 马斯克否认台积电参与特斯拉Terafab晶圆厂项目
马斯克在X平台回应称，特斯拉得克萨斯州Terafab晶圆厂将由特斯拉与SpaceX自主建设和运营，否认台积电出资持有或成立合资企业的传闻。台积电目前仅处于初步讨论阶段，可能租用Terafab部分产能或厂房。Terafab旨在满足特斯拉、SpaceX及xAI芯片需求，实现设计、制造与封装自主可控。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 上海弗鲁克将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
上海弗鲁克科技发展有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件与先进光学元件制造中的应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 珠海东锦石英将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
珠海东锦石英科技有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4545 半导体千℃热场用“三明治”复合石英玻璃的制备工艺与企业布局
复合石英玻璃以不透明石英为中间层、两侧复合半导体级透明石英，用于晶圆扩散、退火、氧化工序保温筒等热场部件。其二氧化硅含量≥99.99%，金属杂质小于30×10 -6，热导率较纯透明石英降低30%-40%，可在大于1000 ℃长期服役。贺利氏OM系列、石英股份PQ1652E及菲利华FCMQZ等产品已实现批量供应。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅高纯粉体哪条工艺路线能实现量产突围？
碳热还原法是目前国产高纯SiC粉体兼顾纯度与产能的最优解，也是国内企业量产的主力路线。艾奇逊法纯度不足，CVD气相法成本高且难大规模量产，燃烧合成法和等离子体法能耗低但量产稳定性不够。11月25-26日苏州将举办全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会，探讨各工艺量产难点与低成本规模化方案。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4141 AI服务器散热需求带动TEC陶瓷基板国产化，多家企业加速布局
国瓷赛创、中瓷电子、富乐德等多家国内企业正加速量产TEC半导体制冷片用陶瓷基板，以适配800G/1.6T高速光模块及AI服务器散热需求。国瓷赛创采用0.15mm超薄氮化铝基板，铜厚均匀性±5μm，良率达85%；科翔股份低介电常数氮化硅材料已完成小批量试制，计划2026年导入AI服务器。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1818 氮化硅陶瓷粉体工艺与三大高端制品应用分析
氮化硅陶瓷凭借耐高温1400℃、热导率90～120W/(m·k)等性能，正加速应用于陶瓷基板、陶瓷球和结构件三大高端领域。目前高端产品仍由日本京瓷、东芝材料等企业主导，国内中材高新、国瓷金盛等企业已实现中低端国产化。随着功率半导体、新能源汽车及半导体设备需求增长，其高端产业化与国产替代空间广阔。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分3030 泰晶科技拟赴越南设立全资子公司并新建生产基地
泰晶科技计划投资不超过4000万美元在越南设立全资子公司并新建生产基地，开展石英晶体频率元器件研发、生产与销售业务。该子公司暂定名越南泰科电子有限公司，注册资本500万美元，由泰晶科技100%持股。这是泰晶科技首个海外生产项目，资金全部来自境内自有资金。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1616 华虹宏力间接控股股东华虹集团股权结构变动
华虹宏力间接控股股东华虹集团实施增资扩股，注册资本由135.22亿元增至196.69亿元。国盛集团与上海市国资委以现金认购新增注册资本61.47亿元，增资后国盛集团持股比例由15.2854%增至41.6613%，上海市国资委持股降至35.6717%。本次变动不涉及公司股份变动，实际控制人仍为上海市国资委。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分3333 应用材料携手英特尔加速芯片制造技术创新
10月7日，应用材料宣布与英特尔合作，共同开发下一代晶体管、互连技术及先进封装技术。双方将结合应用材料硅谷EPIC中心与英特尔Hillsboro研发园区的能力，针对AI工作负载所需的先进逻辑制程节点开发新一代材料与元件架构。合作还涵盖Foveros 3D堆叠的先进封装技术，以缩短支持AI运算所需先进半导体技术的上市时间。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1515 英飞凌推出面向 AI 服务器电源架构的 27kW 三相 PSU
英飞凌推出面向 AI 服务器的 27kW 三相 PSU 参考设计，满足 OCP Open Rack V3 (ORV3) 规范。该方案采用五级 ANPC PFC 拓扑和三级 LLC 转换器，在 480VAC 输入、50% 负载下峰值效率超过 98%，功率密度达 116W/in³。其集成能量缓冲器可在电网短时扰动期间提供 20ms 保持时间。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2626 三安光电副董事长兼总经理林科闯解除留置恢复履职
三安光电10月5日收到监察机关《解除留置通知书》，副董事长兼总经理林科闯正式解除留置并恢复正常履职。林科闯于今年4月8日被立案调查并采取留置措施，历经近半年后回归岗位。公司各项生产经营、研发投产及市场运营保持平稳有序运行。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1818 QPT 发布面向 800V 数据中心的 qMicroModule IBC
QPT 发布面向下一代 AI 数据中心的 qMicroModule IBC，可将 800V DC 一步转换为 6V 为处理器供电。该设计基于 650V GaN，功率密度达现有转换器的 5 倍，两个模块堆叠输出约 5 kW。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 Wolfspeed 获美国国防部 15 亿美元贷款支持 SiC 与 GaN 器件生产
Wolfspeed 获得美国国防部（DoW）最高 15 亿美元的 30 年期有条件贷款承诺，用于支持本土 SiC 材料和宽禁带功率器件的开发与生产。该融资将用于升级面向下一代通信基础设施和电子战系统的 GaN 外延能力，并为现有 SiC 及未来 GaN 产品开发抗辐射加固能力。