国内首条3D先进封装量产线在光谷通线
9月30日，湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目正式通线，被称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元，二期从2025年10月开工到通线用时11个月，全面建成后可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产，以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由：原文给出二期通线节点、投资规模与可承载的芯片中试和国产设备验证数量，读者可据此判断先进封装产能与设备验证需求的释放节奏。
#半导体
#半导体
今日 0 条艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分7878 第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 APWS 2026第十二届亚太宽禁带半导体国际会议西安启幕
10月12日，由西安电子科技大学主办的第十二届亚太宽禁带半导体国际会议（APWS 2026）在西安开幕，时隔17年再次回到中国大陆举办。会议为期五天，围绕III族氮化物、碳化硅、氧化镓、金刚石、六方氮化硼等宽禁带与超宽禁带半导体，设置近200个前沿主题报告，覆盖材料外延生长、器件物理机理、晶圆制造工艺、封装测试、车规级认证等全链条议题。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 长鑫科技披露4F²架构研发新进展，年底拟推新一代DDR5 RDIMM
长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，预计年底推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。4F²架构的核心是自研VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管，采用垂直包围沟道结构，可提升栅控并助力面积微缩，同面积存储密度可提升30%至50%。
推荐理由：长鑫科技披露4F² DRAM架构研发进展，并给出存储密度提升区间与自研VSG晶体管结构，读者可据此了解DRAM单元架构从6F²向4F²演进的技术路径。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分6262 立川半导体设备研发生产基地项目开工，总投资10.5亿元
立川半导体设备研发生产基地项目于10月10日上午在张家港高新区（塘桥镇）开工，总投资10.5亿元，拟建设高标准生产车间、研发中心及配套设施。一期建成投产后预计年产8英寸及12英寸全自动探针台500台、晶圆研磨设备100台套、质量检测设备20台套，全部达产后预计年产值超7亿元。
推荐理由：原文给出立川半导体设备基地的投资额、开工时间与探针台、晶圆研磨、检测设备的年产能规划，可据此判断其设备供给节奏。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4747 长飞先进启动IPO筹备，芜湖武汉两地合计42万片/年SiC产能
安徽长飞先进半导体股份有限公司10月10日召开IPO项目启动会，正式进入资本市场筹备阶段。公司专注碳化硅功率半导体，芜湖、武汉基地合计具备42万片/年晶圆及外延产能，其中芜湖已具备年产6万片SiC MOSFET晶圆制造能力并满产，武汉规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆，仍处产能爬坡阶段。今年2月公司完成超10亿元A+轮融资，由江城基金、长江产业集团领投。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4545 田中贵金属联合CITC、TNO攻坚银铜Clip粘接浆料，瞄准下一代功率半导体封装
田中贵金属与荷兰CITC、TNO启动为期三年的联合研发项目，于2026年10月正式启动，聚焦银基、铜基芯片粘接与铜夹（Clip）粘接浆料技术。项目覆盖die attach与clip-bonding两大互连场景，重点评估连接层厚度控制、烧结层孔隙率调控、铜基浆料氧化抑制及热循环可靠性等维度。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分6262 中星联华发布 SL3000A-PRO 224G 误码仪噪声注入方案，面向 800G/1.6T 接收机测试
中星联华推出基于 SL3000A-PRO 224G 误码仪的宽带噪声注入方案，面向 800G/1.6T 接收机的 ITOL 噪声容限测试。
推荐理由：原文给出 800G/1.6T 接收机噪声容限测试的完整方法，包括噪声幅度参考面、Qpp 统计指标与抖动噪声联合注入顺序，可供高速互连验证工程师迁移使用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3838 汉磊科技碳化硅业务迎V型反转，8英寸产线首批试产良率突破95%
汉磊科技在法人说明会上表示，碳化硅业务下半年有望迎来V型反转，营收增幅有望超过120%，第三季度投片量环比翻倍。其与世界先进合作的8英寸碳化硅产线首批试产良率突破95%，预计2026年底启动风险量产，已有5家客户计划第四季度至2027年第一季度完成产品设计导入。公司2026年上半年合并营收33.29亿元，同比增长25.07%，营业亏损同比收窄84.36%。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6060 中特微接近式光刻机11月初集中交付，预计明年产能达300台
中特微（成都）电子科技有限公司一批微米级接近式光刻机完成最后组装与调试，将于11月初集中发往全国，流向光芯片、显示半导体、LED等领域客户产线。公司专注近紫外接近式光刻与LDW激光直写光刻，2023年率先实现4/6英寸接近式光刻机批量生产，在光显示细分市场占有率约80%，预计明年产能达300台，并将启动面板封装激光直写光刻机研发。
推荐理由：国产接近式光刻机在光芯片、LED等利基市场的交付与产能规划，可观察半导体设备国产化在非高端光刻路线的落地节奏。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分6262 立川半导体设备研发生产基地在张家港开工，总投资10.5亿元
10月10日，张家港高新区（塘桥镇）立川半导体设备研发生产基地项目开工，总投资10.5亿元，拟建设高标准生产车间、研发中心及配套设施。一期建成投产后预计年产8英寸及12英寸全自动探针台500台、晶圆研磨设备100台套、质量检测设备20台套，全部达产后预计年产值超7亿元。同日，测迅智能网联汽车测试设备生产与检测服务中心项目签约，计划总投资3亿元，两个项目总投资13.5亿元。
推荐理由：原文给出立川半导体设备基地的投资额、探针台与晶圆研磨设备年产能及产值目标，可据此判断其半导体设备供给节奏。
中国储能网·产业资讯AI 摘要AI 评分2020 人工智能产业链对矿产资源格局的影响分析
研究构建了覆盖芯片制造层、AI基础设施层、智能终端层和能源层的AI产业链四层分析框架，系统分析各环节所需矿产资源的种类、结构与规模。单座满产晶圆厂年耗高纯石英坩埚及石英制品200～400 t，2025年全球半导体和光纤预制棒所需高纯石英达3万～4万t；2025年全球氦气产量约1.9亿m³，半导体制造约占17%。
中国粉体网AI 摘要AI 评分5252 中科院上海微系统所迭代蒙烯铜粉，破解铜粉氧化难题
中科院上海微系统与信息技术研究所于庆凯研究员团队迭代蒙烯铜粉技术，通过双振动分散耦合高温重熔CVD工艺，在1100℃下于微米级球形铜粉表面原位生长少层石墨烯包覆层，实现规模化可控制备。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3838 CASA联盟T/CASAS 021—2025 SiC MOSFET阈值电压测试方法标准获评2025年度北京市高质量团体标准
北京第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的T/CASAS 021—2025《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）阈值电压测试方法》团体标准，被北京标准化协会评为2025年度高质量团体标准。该标准制定后已升级制定为国标，为新能源汽车、新能源并网提供核心技术支撑。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分2222 晶能微电子与Wolfspeed签署合作备忘录，新一代功率模块平台优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片
晶能微电子与Wolfspeed在杭州签署合作备忘录，晶能新一代功率模块平台将优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片，率先应用于新能源车主逆变器等场景。Wolfspeed依托200mm碳化硅产线为晶能提供稳定供货与商务支持，双方将共同对接国内头部车企高压电动平台，力争获取车型design-win项目，并逐步拓展至AI数据中心、工业电源、储能等领域。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2222 科友半导体单面与双面抛光工艺对比：从效率、碎片率到损伤控制的工程逻辑
科友半导体对比了碳化硅衬底单面与双面抛光工艺：单面抛光表面粗糙度可控制在0.3 nm以内，但受蜡粘工装制约存在效率瓶颈与碎片风险；双面抛光一次装夹两面同步加工，5小时后碳面粗糙度达0.151 nm，但碳面去除率是硅面的3倍及以上。科友通过抛光液配比调整与上下盘转速差异化控制，推动碳面/硅面去除率向1:1收敛，并提出“双面粗抛+单面精抛”组合工艺，8英寸衬底TTV稳定控制在≤1 μm。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3838 晶能与Wolfspeed签署合作备忘录，新一代功率模块平台优先导入碳化硅裸芯片
晶能微电子与Wolfspeed在杭州签署合作备忘录，晶能新一代功率模块平台将优先导入Wolfspeed碳化硅裸芯片，率先应用于新能源车主逆变器等场景。Wolfspeed依托200mm碳化硅产线为晶能提供稳定供货，双方将共同对接国内头部车企高压电动平台，力争获取车型design win项目，并逐步拓展至AI数据中心、工业电源、储能等领域。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分5555 住友电木投约100亿日元在苏州、新加坡扩产先进半导体树脂封装材料
住友电木10月9日宣布投入约100亿日元，在苏州、新加坡两处现有基地新增产线，增产面向AI数据中心等场景的先进半导体树脂封装材料，目标争取2030年度投产，未披露具体产能数值。新增产线生产模塑底部填充材料与压缩成型颗粒封装材料，适配先进封装工艺。这是其年内第二次推进苏州工厂封装材料扩产，2026年6月曾公告苏州工厂产能提升约30%，预计2028年12月投产。
全球半导体观察 · 材料/设备精选AI 摘要AI 评分6262 立川半导体设备研发生产基地在张家港高新区开工，总投资10.5亿元
10月10日，立川半导体设备研发生产基地在张家港高新区（塘桥镇）开工，项目总投资10.5亿元，实施主体为立川技研（苏州）科技有限公司，用地约44亩。一期建成投产后预计年产8英寸及12英寸全自动探针台500台、晶圆研磨设备100台套、质量检测设备20台套，全部达产后年产值超7亿元。同日该区还有测迅智能网联汽车测试设备生产与检测服务中心项目签约，两个项目合计总投资13.5亿元。
推荐理由：项目给出了一期探针台、晶圆研磨与检测设备的年产台套数和达产产值，可据此判断国产半导体测试装备的产能释放节奏。
全球半导体观察 · 制造/封测精选AI 摘要AI 评分6262 富乐德长江合肥12英寸晶圆再生项目主体封顶
富乐德长江（合肥）12英寸晶圆再生项目于10月11日完成主体结构封顶，建设周期172天，落地合肥新站高新区少荃湖片区。项目总投资约20亿元，一期投资约10亿元，达产后可形成每月30万片12英寸再生晶圆产能、预计年营收4亿元；全部建成后合计产能每月70万片、年营收突破8亿元。
推荐理由：原文给出富乐德长江合肥12英寸晶圆再生项目的投资额、分期产能与设备清单，读者可据此判断再生晶圆配套的产能释放节奏与设备需求。
SEMI 中国·半导体精选AI 摘要AI 评分7575 奕斯伟武汉硅材料基地预计本月内搬入首批设备
由西安奕材投资建设的奕斯伟武汉硅材料基地预计本月内搬入首批设备，项目主体结构封顶和外墙封闭已于9月25日完成。该项目总投资约125亿元，占地约310亩，计划今年12月厂房基础建设全面完工、明年二季度投产，全面达产后月产50万片12英寸硅片，产品涵盖抛光片和外延片，聚焦高性能存储芯片、高端图像传感器及先进逻辑芯片等领域，预计年产值超35亿元。
推荐理由：原文给出武汉硅材料基地的投资额、设备搬入节点、投产时间和达产后月产能，读者可据此判断12英寸硅片的产能释放节奏。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1212 芯片初创公司Nuvacore以约25亿美元估值融资，开发数据中心CPU
成立仅六个月的芯片初创公司Nuvacore正以约25亿美元估值筹集数亿美元资金，用于开发专为数据中心设计的新型中央处理器。该公司尚未推出产品，上个月说明了一项非传统设计策略：先打造芯片核心功能，再决定采用哪一种架构，以避开特定架构限制并针对数据中心与AI基础设施最常见运算类型优化设计。Nuvacore今年稍早完成由红杉资本领投的种子轮募资。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5656 芯聚德科技完成超亿元A轮融资，投向AI算力IC载板扩产
IC载板制造企业芯聚德科技（安徽）有限责任公司完成超亿元A轮融资，由老股东广德桐汭股权投资持续跟投，安徽省投资集团旗下安徽新至壹号、安徽日新智汇新晋入股。募集资金将用于宣城基地产线扩能及高端封装基板技术研发，重点投向AI算力相关IC载板产能扩充与先进工艺研发迭代。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2525 电子科技大学能量转化与热控制团队在先进热管理材料与被动散热技术领域取得系列研究进展
电子科技大学能量转化与热控制团队研制出VGPP复合热界面材料，面外热导率达621.4 W m-1 K-1，接触热阻低至41.7 mm2 K W-1。团队还通过机械穿孔构建声子桥结构，使石墨烯纸复合材料总热阻降至0.23 K cm2 W-1，经10000次热冲击循环后性能稳定。此外，分级金属—氧化物结构将表面发射率提高至0.95以上，自然对流下可使热源降温18℃以上。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分7474 惠科投资100亿元M-LED芯片基地预计年底试投产
惠科总投资约100亿元的南充全色系M-LED新型显示芯片基地整体工程量已完成约八成，预计11月下旬首批光刻、外延、封装设备进场，12月启动联动调试，年底具备试投产条件。项目总占地242亩，规划月产能100万片，分三期建设，一期月产能15万片，覆盖RGB外延生长、芯片制造、封装测试环节，主攻单芯片全彩显示技术，面向AR/VR近眼显示和高端直显场景。
推荐理由：原文给出了南充基地从设备进场到年底试投产的具体节点和一期月产能，读者可据此判断其光刻与外延设备的采购窗口。
第三代半导体产业网精选AI 摘要AI 评分7575 奕斯伟武汉硅材料基地首批设备预计本月进场，明年二季度投产
西安奕材投资建设的奕斯伟武汉硅材料基地已完成主体结构封顶，首批设备预计本月内搬入，计划明年二季度实现投产。该项目总投资约125亿元，全面达产后月产50万片12英寸硅片，产品涵盖抛光片和外延片。届时公司总产能将突破180万片/月。
推荐理由：原文给出了武汉基地的设备搬入、厂房完工和投产节点，以及达产后月产50万片12英寸硅片的规划，读者可据此判断该项目的产能释放节奏。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2424 三星电机签订2.10亿美元AI服务器MLCC合同，村田制作所子公司投资90亿日元扩产陶瓷原料
三星电机与一家全球大型企业签订约2.10亿美元的AI服务器用MLCC供货合同，交货期为2027年。这是其今年第6笔长期合同，累计金额约3.9万亿韩元，AI服务器MLCC市场份额超40%。村田制作所子公司冈山村田制作所将投资约90亿日元增设MLCC用陶瓷原料产线，计划2026年10月动工、2028年4月投产。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5353 用于HEMT功率器件的硅衬底GaN外延片国家标准GB/T 48345发布
国家市场监督管理总局批准发布推荐性国家标准GB/T 48345-2026《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》，将于2027年4月1日正式实施。该标准采信了CASA制定的团体标准T/CASAS 060—2025，由苏州晶湛半导体、华润微电子（重庆）、三安集成电路等单位参与起草。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分5353 光谷高端微电子器件产业园一期建成即将投用，二期开工预计2027年建成
光谷高端微电子器件产业园一期已建成，总建筑面积18万平方米，重点承接泛半导体领域企业研发验证、中试试验及小规模生产，蔚能电池等多家企业已签约入驻。其中蔚能电池租下约4000平方米厂房，将落地电池正极材料修复中试线，年产能约2000吨。二期总建筑面积约7.2万平方米，可提供约5.2万平方米高洁净度生产车间，配置特气站、大宗气站等公用配套设施，预计2027年6月完成主体结构施工，同年12月正式投用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 惠丰钻石邀您出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
惠丰钻石股份有限公司作为参展单位，邀请业界出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 儒亚科技将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
儒亚科技（北京）有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 瑞芯智造将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
瑞芯智造(深圳)科技有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件和先进光学元件制造中的应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 【展商推荐】山东科翰硅源新材料邀您出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
临沂市科翰硅制品有限公司将以参展单位身份出席2026年10月20日在苏州举办的2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。大会聚焦超精密加工技术，该技术被视为支撑集成电路、高端装备等战略产业发展的关键使能技术。
中国粉体网AI 摘要AI 评分5353 上海新阳年产30500吨集成电路关键工艺材料项目开工，总投资10.5亿元
上海新阳全资子公司上海芯刻微在上海化学工业区开工年产30500吨集成电路关键工艺材料项目，总投资由原计划5.8亿元上调至10.5亿元，计划2028年底投产。项目规划了I线/KrF/ArF光刻胶500吨/年、光刻胶稀释剂5000吨/年、氮化钛刻蚀液5000吨/年、干法蚀刻清洗液15000吨/年及新增芯片铜互联电镀液5000吨/年，产能重心向电镀液与蚀刻清洗液倾斜。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 格善新材料GSD系列团聚金刚石微球用于硬脆材料研磨抛光
湖南格善新材料科技有限公司推出自主研发的GSD系列团聚金刚石微球，以99.95%高纯金刚石微粉为核心原料。该产品粒径覆盖10μm-300μm，孔隙率15%-55%精准可调，适配硬脆材料、硬质合金及高端金属的精密研磨与抛光加工场景。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2424 深圳平湖实验室与埃芯半导体达成战略合作，启动国产高端XRD仪器在宽禁带半导体领域的首台验证
深圳平湖实验室与埃芯半导体近日签署战略合作框架协议，启动国产高端XRD仪器在宽禁带半导体领域的首台验证。双方将基于埃芯半导体的先进XRD设备开展测试方法开发与产业应用验证，打通“设备-方法-验证”创新链条。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4848 T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》等2项微纳金属烧结标准征求意见
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿，自10月8日起面向联盟成员单位征求意见，截止日期为11月7日。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3434 碳化硅晶圆激光剥离技术如何替代传统线切割
激光剥离技术通过内部改性与外力裂片实现碳化硅晶圆无损切割，将材料损耗从线切割的30%~50%大幅降低。国内已实现8英寸SiC晶圆自动化激光剥离，切割道宽度缩至20μm以内，晶粒良品率超98%，加工效率较传统工艺提升30%以上。德国Siltectra、日本Disco已将切片损耗控制在60μm以内并量产8英寸晶圆。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 纳芯微推出小型化封装数字隔离器和隔离接口
纳芯微近日推出基于第三代电容隔离技术的小型化封装产品，包括NSI834xWx-DSSWR/-Q1SSWR系列数字隔离器、NSI84085-DSSR隔离式RS485收发器和NSI1150-DSPR隔离式CAN收发器。新品封装面积较同系产品缩小约50%-70%，支持最高5000Vrms隔离耐压和200kV/μs CMTI，已通过UL、CQC、CSA及VDE增强隔离认证。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 中关村半导体照明联合创新重点实验室参编国家标准GB/T 12454—2026《光环境评价方法》正式发布
国家标准GB/T 12454—2026《光环境评价方法》近日正式发布，将于2027年4月1日起实施。该标准适用于民用和工业建筑、室外作业场地、道路、夜景照明等室内外光环境的质量评价。中关村半导体照明联合创新重点实验室作为参编单位之一参与了制修订工作。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 CSA 5项团体标准转化为国家标准发布
中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）组织制定的5项团体标准已转化为国家标准并于9月28日发布，将于2027年4月1日实施。这5项标准涵盖LED/紫外LED核心器件、寿命评估到终端应用产品。