西安奕斯伟材料完成对重庆欣晖B+轮融资投资
西安奕斯伟材料出资3000万元完成对重庆欣晖B+轮融资投资，取得其2.0157%股权。本轮融资整体募资规模不少于1.6亿元，资金将用于设备采购、工程建设尾款支付及补充营运资金。重庆欣晖主营刻蚀机、外延炉等半导体设备用碳化硅部件与硅部件。
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今日 0 条全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分2424 全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4747 芯源微业绩会：前道设备订单收入快速增长 利润率待随规模提升
芯源微2026年上半年实现营业收入8.97亿元，同比增长26.47%，前道清洗收入占总收入比重超30%。公司新签订单实现较快增长，前道涂胶显影机、化学及物理清洗机均取得头部客户订单，HBM、CoWoS相关后道高端封装业务新签订单同比实现增长。受期间费用增加等因素影响，上半年归母净利润为806.22万元，整体毛利率34.93%。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4949 晶旭半导体16.8亿元氧化镓芯片项目年底试产
晶旭半导体二期总投资16.8亿元的氧化镓压电薄膜高频滤波器芯片生产线正安装设备，计划2026年底试产。该项目位于上杭金铜产业园，投产后将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分88 惟光探真将携最新研发成果亮相APWS 2026
苏州惟光探真科技有限公司将于10月11-15日在西安举办的APWS 2026（展位号A23）展示最新研发成果及产品。公司针对Si和第三代半导体先进制程提供AOI系统、缺陷检查系统、探针台等集成，并提供荧光和拉曼光谱相关的系统解决方案。APWS 2026由西安电子科技大学主办，围绕碳化硅、氧化镓、金刚石等宽禁带与超宽禁带半导体开展研讨。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4545 T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》等2项微纳金属烧结标准征求意见
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿，自2026年10月8日起征求意见至11月7日。前者适用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件封装；后者适用于互连面积不小于30 mm×30 mm的宽禁带半导体器件大面积烧结互连工艺。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3333 镓驰动力完成氧化镓垂直MOSFET流片验证，导通电流突破1安
镓驰动力近日完成氧化镓（β‑Ga₂O₃）垂直MOSFET芯片第一阶段迭代流片验证，研制出全球首款导通电流超1安的增强型氧化镓垂直MOSFET器件。该器件实测导通电流1.2安、击穿电压超900伏、阈值电压3.9伏、比导通电阻33毫欧・平方厘米、漏电流控制在3微安以内。团队自研沟道自对准离子注入工艺填补了行业大功率器件工艺空白。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1818 西安交大张锦英教授团队在紫磷半导体器件方面取得进展
西安交通大学张锦英教授团队首次将碲元素引入紫磷晶体，制备出高质量紫磷碲单晶（化学式P₈₀Te）。碲替位使紫磷碲纳米片与Ti/Au电极间的接触电阻由550–860 MΩ降至1.13–1.80 MΩ，电子迁移率达134.12 cm² V⁻¹ s⁻¹。该成果已发表于《Advanced Science》期刊。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分4848 御微半导体首台先进制程掩模基板缺陷检测设备Halo-300交付国内头部客户
10月8日，御微半导体自研的掩模基板缺陷检测设备Halo-300正式发运国内头部掩模基板客户。该设备可覆盖石英基板制造、空白掩模基板制造及光罩厂来料检测等环节，集成自动化开盒、倒板、翻面模块并搭配自研智能缺陷分类系统，实现全流程封闭式智能管控。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分5454 格芯与台积电达成20亿美元硅中介层制造协议
格芯与台积电达成一项20亿美元、初期为五年的制造协议，将扩充美国纽约州马耳他工厂产能为台积电CoWoS先进封装提供硅中介层。新增产能预计2028年上半年开始提升量产规模，支持AI与高性能运算需求，并为未来产能扩张提供框架。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5151 佛智芯5亿元玻璃基板生产线扩建项目完成备案复核
广东佛智芯微电子有限公司总投资5亿元的玻璃基板生产线扩建项目于近日完成备案复核，计划建设周期为2026年9月至2028年12月。项目无新增主体厂房，重点购置差分蚀刻线、超粗化线、FAB电镀线、研磨机、激光切割机等核心设备，建成后设计月产能约5000片。佛智芯现有产线板面尺寸为510×515mm，已实现最小孔径3μm的TGV加工，并计划于2027年实现玻璃基板量产。
粉体圈AI 摘要AI 评分2424 三星电机AI服务器MLCC解决方案解析：从性能到形态
三星电机全面转向AI服务器等高附加值市场，推动MLCC从普通电子元件升级为AI电源系统基础组件。其去年5月发布0402、47㎌及0603、100㎌两款新品，满足GPU高频带来的低ESL要求。产品形态同步向Low Profile和Embedded方向演进，以适配2.5D/3D先进封装的空间与热管理需求。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 湖北迈兆机械将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
湖北迈兆机械有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件和先进光学元件制造中的应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 漯河市泰隆超硬材料将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
漯河市泰隆超硬材料有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分4949 ASML披露Hyper NA EUV技术，俄罗斯130纳米光刻机原型通过验收
ASML与蔡司联合披露Hyper NA EUV光刻技术，有望在约十年内就绪，将最小图案特征尺寸做到5纳米。俄罗斯ZNTC与Planar合作开发的130纳米步进式光刻机原型于2026年8月7日完成第三阶段设计验收，采用193纳米准分子激光器，用于直径200毫米晶圆，计划2027年签订批量供应合同。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分5757 格芯与台积电达成20亿美元多年期制造合作协议
格芯与台积电签署一项总金额20亿美元的五年制造合作协议，为台积电CoWoS先进封装生态提供硅中介层制造服务。格芯将扩建其位于美国纽约州马耳他厂区的晶圆产能，支持包含嵌入式深沟槽电容组件在内的先进封装技术，项目预计2028年上半年启动量产爬坡。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分6969 星辰技术3D先进封装中试平台二期项目通线
湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目近日正式通线，一期、二期合计投资超70亿元。产线全面建成后可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证，并补齐2.5D中试能力。此外，其总投资250亿元的先进封装产业化基地一期计划于2027年9月底前通线，两期全部建成后月产晶圆8万片。
全球半导体观察 · 材料/设备AI 摘要AI 评分3131 欧康诺以平台化架构与O-STARS测试平台应对AI存储测试需求升级
欧康诺推出O-STARS测试平台及“春夏秋冬”四大产品线，应对企业级SSD、HBM、CXL等高端存储的测试挑战。O-STARS平台集成MLPerf Storage与DLIO引擎，可模拟真实AI混合I/O负载；SW400内存测试平台正适配国产DDR5产品。设备支持PCIe 5.0/6.0/7.0接口，故障诊断可精确定位至Die、Rank及具体行与列。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2424 佰维存储控股子公司广东芯成汉奇完成6亿元增资扩股
佰维存储控股子公司广东芯成汉奇完成6亿元现金增资扩股，本轮投资者取得增资后23.0765%股权。增资完成后，广东芯成汉奇注册资本增加至13328.6112万元，佰维存储持股比例由68.2742%变更为52.5186%，仍为控股子公司并纳入合并报表范围。
仪器信息网·标准AI 摘要AI 评分4040 GB/T 223.3—2026等466项国家标准批准发布
GB/T 223.3—2026《钢铁及合金 磷含量的测定 分光光度法、滴定法和重量法》等466项国家标准获批发布。新标准替代了GB/T 223.3—1988等多项旧版标准，涵盖钢铁及合金化学分析、半导体分立器件、多层瓷介固定电容器、电火花成形机床参数及环境试验方法等领域。
粉体圈AI 摘要AI 评分4242 巴斯夫拟收购赢创释放了哪些产业信号？
巴斯夫（BASF）9月25日确认正探索收购赢创（Evonik），后者披露收到约103亿欧元非约束性报价，但表示尚未达到正式谈判门槛。双方业务在电子和半导体材料领域互补明显，若交易达成有望形成完整的半导体CMP、封装解决方案，并将电子材料业务延伸至粉体—浆料—配方体系，覆盖MLCC等关键电子元件。
粉体圈AI 摘要AI 评分3737 Mivium建成全球首个半导体级GaN粉体量产装置
Mivium展示了高纯度亚微米GaN粉体的批量化生产能力，并建成全球首个半导体级GaN粉体量产装置。经第三方检测证实，该产品为六方纤锌矿GaN（h-GaN），粒径分布为300-500纳米。今年7月Mivium完成423万美元私募融资，累计融资总额超过1050万美元。
全球半导体观察 · 制造/封测AI 摘要AI 评分2424 马斯克否认台积电参与特斯拉Terafab晶圆厂项目
马斯克在X平台回应称，特斯拉得克萨斯州Terafab晶圆厂将由特斯拉与SpaceX自主建设和运营，否认台积电出资持有或成立合资企业的传闻。台积电目前仅处于初步讨论阶段，可能租用Terafab部分产能或厂房。Terafab旨在满足特斯拉、SpaceX及xAI芯片需求，实现设计、制造与封装自主可控。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 上海弗鲁克将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
上海弗鲁克科技发展有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办，聚焦超精密加工技术在高性能半导体器件与先进光学元件制造中的应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分88 珠海东锦石英将参展2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会
珠海东锦石英科技有限公司将作为参展单位出席2026半导体与光学材料超精密加工技术及应用大会。本届会议将于2026年10月20日在苏州举办。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4545 半导体千℃热场用“三明治”复合石英玻璃的制备工艺与企业布局
复合石英玻璃以不透明石英为中间层、两侧复合半导体级透明石英，用于晶圆扩散、退火、氧化工序保温筒等热场部件。其二氧化硅含量≥99.99%，金属杂质小于30×10 -6，热导率较纯透明石英降低30%-40%，可在大于1000 ℃长期服役。贺利氏OM系列、石英股份PQ1652E及菲利华FCMQZ等产品已实现批量供应。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅高纯粉体哪条工艺路线能实现量产突围？
碳热还原法是目前国产高纯SiC粉体兼顾纯度与产能的最优解，也是国内企业量产的主力路线。艾奇逊法纯度不足，CVD气相法成本高且难大规模量产，燃烧合成法和等离子体法能耗低但量产稳定性不够。11月25-26日苏州将举办全国高纯碳化硅粉体制备技术及应用交流大会，探讨各工艺量产难点与低成本规模化方案。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1818 氮化硅陶瓷粉体工艺与三大高端制品应用分析
氮化硅陶瓷凭借耐高温1400℃、热导率90～120W/(m·k)等性能，正加速应用于陶瓷基板、陶瓷球和结构件三大高端领域。目前高端产品仍由日本京瓷、东芝材料等企业主导，国内中材高新、国瓷金盛等企业已实现中低端国产化。随着功率半导体、新能源汽车及半导体设备需求增长，其高端产业化与国产替代空间广阔。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分1616 华虹宏力间接控股股东华虹集团股权结构变动
华虹宏力间接控股股东华虹集团实施增资扩股，注册资本由135.22亿元增至196.69亿元。国盛集团与上海市国资委以现金认购新增注册资本61.47亿元，增资后国盛集团持股比例由15.2854%增至41.6613%，上海市国资委持股降至35.6717%。本次变动不涉及公司股份变动，实际控制人仍为上海市国资委。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分3333 应用材料携手英特尔加速芯片制造技术创新
10月7日，应用材料宣布与英特尔合作，共同开发下一代晶体管、互连技术及先进封装技术。双方将结合应用材料硅谷EPIC中心与英特尔Hillsboro研发园区的能力，针对AI工作负载所需的先进逻辑制程节点开发新一代材料与元件架构。合作还涵盖Foveros 3D堆叠的先进封装技术，以缩短支持AI运算所需先进半导体技术的上市时间。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1515 英飞凌推出面向 AI 服务器电源架构的 27kW 三相 PSU
英飞凌推出面向 AI 服务器的 27kW 三相 PSU 参考设计，满足 OCP Open Rack V3 (ORV3) 规范。该方案采用五级 ANPC PFC 拓扑和三级 LLC 转换器，在 480VAC 输入、50% 负载下峰值效率超过 98%，功率密度达 116W/in³。其集成能量缓冲器可在电网短时扰动期间提供 20ms 保持时间。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分2626 三安光电副董事长兼总经理林科闯解除留置恢复履职
三安光电10月5日收到监察机关《解除留置通知书》，副董事长兼总经理林科闯正式解除留置并恢复正常履职。林科闯于今年4月8日被立案调查并采取留置措施，历经近半年后回归岗位。公司各项生产经营、研发投产及市场运营保持平稳有序运行。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 Wolfspeed 获美国国防部 15 亿美元贷款支持 SiC 与 GaN 器件生产
Wolfspeed 获得美国国防部（DoW）最高 15 亿美元的 30 年期有条件贷款承诺，用于支持本土 SiC 材料和宽禁带功率器件的开发与生产。该融资将用于升级面向下一代通信基础设施和电子战系统的 GaN 外延能力，并为现有 SiC 及未来 GaN 产品开发抗辐射加固能力。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3434 Yole：MicroLED 从客厅走向 AI 数据中心
Yole 最新报告指出，MicroLED 已分化为 TFT 大尺寸显示、硅基 CMOS AR 微显示和 AI 数据中心光互连三大方向。AR 是当前最大驱动力，中国厂商正大规模采用像素间距 2.5-4 µm 的硅基 MicroLED，预计 2025-2031 年 LEDoS 显示引擎出货量 CAGR 达 121%，2031 年 AR 市场收入约 $2.5 billion。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4747 Wolfspeed 获美国国防部最高 15 亿美元 30 年期有条件贷款承诺 强化本土 SiC/GaN 宽禁带半导体产能
Wolfspeed 收到美国国防部战略资本办公室出具的有条件贷款承诺函，拟提供最高 15 亿美元、期限 30 年的长期融资。资金将用于升级 GaN 外延工艺能力，新建或扩产低压/高压 GaN 功率器件本土产线，并推进 GaN-on-SiC 射频外延晶圆技术研发。该交易需完成尽职调查及政府审批等前置工作，无法确保最终落地。
艾邦半导体网精选AI 摘要AI 评分7373 艾邦半导体网梳理玻璃基板产业进展：京东方等头部厂商进入客户验证与供给建设阶段
艾邦半导体网梳理了玻璃基板产业化进展，指出行业正从技术探索转向客户验证和建线投入。京东方已产出24层、超过100×100毫米样品并送客验证，蓝思科技与Intel开展先进封装合作，沃格光电部分TGV产品已小批交付；海外方面，DNP计划FY2026—FY2028投入300亿日元发展Glass Core，LG Innotek以2028年量产为目标，LPKF已取得LIDE设备订单及追加采购意向书。
推荐理由：原文梳理了国内外主要厂商在玻璃基板客户验证、设备采购和量产时间表上的具体进展，读者可据此判断产业链各环节的导入节奏。
艾邦半导体网AI 摘要AI 评分5959 JNTC将2mm厚TGV玻璃基板铜填孔时间从12小时缩短至分钟级
韩国玻璃基板企业JNTC宣布，在510×515mm、2mm厚的TGV玻璃基板上，将原本耗时半天至一天的铜填孔时间缩短至分钟级。其方案采用中间较窄的沙漏形通孔结构并配合自研金属化制程消除空洞与凹陷，已通过美国半导体客户验证，计划2027年起量产供应玻璃核芯基板。
中国仪器仪表行业协会 行业资讯AI 摘要AI 评分5151 四部门部署2026年度集成电路企业增值税加计抵减清单制定工作
工信部等四部门联合印发通知，部署2026年度享受增值税加计抵减政策的集成电路设计、生产、封测、装备、材料企业清单制定工作。符合条件的企业须于2026年10月9日至10月16日在信息填报系统提交申请，已列入2025年清单的企业也须重新提交相关材料；列入2026年清单的企业自2026年1月1日起享受政策，未续入清单的企业于2026年11月30日停止享受。
中国仪器仪表行业协会 行业资讯AI 摘要AI 评分5151 四部门部署2026年度集成电路企业增值税加计抵减清单制定工作
工信部等四部门联合印发通知，部署2026年度享受增值税加计抵减政策的集成电路设计、生产、封测、装备及材料企业清单制定工作。申请企业须于2026年10月9日至10月16日在信息填报系统提交申请，已列入2025年清单的企业也须重新提交相关材料。列入2026年清单的企业自2026年1月1日起享受政策，未续入清单的企业将于2026年11月30日停止享受政策。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分2727 俄罗斯联合微电子公司计划建造14nm晶圆厂
俄罗斯联合微电子公司（ОМК）计划建造一座生产300mm晶圆、工艺制程最高达14nm的半导体制造厂，预计2036年前完成建设。该工厂前期设计工作将于2027年开始。ОМК整体规划预计投入1.101万亿卢布，首阶段计划于2027年投入1700亿卢布。
SEMI 中国·半导体AI 摘要AI 评分3838 TOWA计划在京都建设芯片制造设备工厂
日本半导体设备制造商TOWA计划在京都府建设芯片制造设备工厂，投资额约50亿日元，将在2029年投产。新厂位于京都东事业所厂区内，涉及芯片后段制程设备布局。TOWA主要供应半导体树脂封装设备、切割分离设备及超精密模具。