MLCC用钛酸钡粉体：不同制备方法中杂相抑制的关键策略
MLCC用BaTiO3粉体的物相纯度直接影响介电性能与器件可靠性，固相法和水热法需分别采取针对性措施抑制杂相。固相法煅烧温度需控制在约900–1100℃以稳定获得四方相，Ba/Ti比精确控制在0.995-1.005；水热法反应温度一般设定在180-250℃，Ba/Ti比通常为1~4。结合XRD及Rietveld全谱拟合可对多相组成进行定量分析。
#工艺/技术
#工艺/技术
今日 6 条粉体圈AI 摘要AI 评分4545 粉体圈AI 摘要AI 评分5252 MLCC超薄流延成型的关键技术挑战与应对要点
粉体圈梳理了MLCC超薄流延成型在浆料分散、干燥应力控制和厚度精度三方面的核心挑战及应对思路。当介质层减至1μm以下时，钛酸钡粉体粒径需细化至80~150nm，刮刀间隙控制要求厚度误差小于0.03μm。目前全球高端超薄流延机由日本平野、平田机工垄断，可实现0.3~5μm膜厚且波动<±0.01μm，国产设备主要用于≥0.8μm膜片且波动±0.05μm。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分4444 汉高推出LOCTITE ABLESTIK CDF 900导电芯片粘接膜拓展先进封装热管理
汉高电子推出新一代LOCTITE® ABLESTIK CDF 900导电芯片粘接膜（cDAF），热导率约8 W/mK，提供15μm和30μm两种标准胶层厚度。该材料支持8英寸和12英寸晶圆规格，适用于3×3 mm²至7×7 mm²芯片尺寸及QFN、TQFP等封装，具备MSL 1、MSL 2等级能力。 ```
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分1212 镓仁半导体入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜
镓仁半导体凭借“多智能体协同铸造长晶”案例入选“2026人工智能创新应用TOP50”典范案例榜。该方案将AI技术与自主研发的铸造法长晶工艺融合，实现氧化镓单晶生长过程的监测、分析与调控。公司已建成投产兼容6英寸、8英寸的同质外延量产线。
第三代半导体产业网AI 摘要AI 评分3333 湖北通格微与华工科技签约合作布局CPO及高速光通信
9月29日，沃格光电旗下湖北通格微与华工科技签署战略合作协议，围绕玻璃基载板、激光加工及高速光通信开展合作。双方将重点面向3.2T及更高速率光模块，推进产品定义、架构设计及关键工艺开发，并围绕CPO、NPO、光引擎等方向建设工艺验证和样品试制平台。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2525 宽场显微镜2DESM实现二维半导体量子相干性成像
意大利天主教圣心大学等机构研发出宽场显微镜2DESM，可在相机图像每个像素点并行记录二维电子光谱，无需光栅扫描。该系统时间分辨率为38 fs、空间分辨率为1.05 µm、光谱分辨率为50 meV，工作温度覆盖室温至4 K。团队已在hBN封装的WSe₂薄片上验证该技术，成功区分了本征激子退相干时间与无序引起的展宽。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 Mivium宣布GaN纳米颗粒突破
美国材料公司Mivium成功制备出300-500nm粒径分布的相纯六方纤锌矿结构亚微米GaN颗粒。第三方表征确认该材料具备多晶结构与高刻面形貌，可扩展至工业级产能，为GaN薄膜应用和衬底生产开辟新路径。Mivium于2026年7月完成423万美元融资，累计融资超1050万美元，并将在SEMICON West展示样品与表征数据。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3838 UNSW 与 UtmoLight 创 676cm² 钙钛矿太阳能子组件效率纪录
UNSW Sydney 团队与能源公司 UtmoLight 合作，将 676cm² 钙钛矿太阳能子组件的认证稳定光电转换效率提升至 23.5%，较此前纪录提高 0.6 个百分点。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分1414 Photon Design 将 HAROLD QD 量子点激光器仿真器运行时间缩短一半以上
Photon Design 优化了其 HAROLD 3D 量子点激光器仿真器，最新 HAROLD QD 版本在标准工作站或笔记本上即可将计算运行时间缩短一半以上，无需云端处理。该工具采用八带 k·p 能级模型，可仿真量子点结构、尺寸与分布，并计算 3D 应力应变及增益吸收光谱。其与 PICWave 的集成支持包含光栅和扩展腔的动态 3D 电路仿真。 ```
Charged EVsAI 摘要AI 评分3939 Princeton NuEnergy 计划闭环回收 SK Battery America 电池制造废料
Princeton NuEnergy（PNE）将接收 SK On 子公司 SK Battery America 位于佐治亚州 Commerce 工厂的电池制造废料，用于闭环回收。该工厂合计年产能约 22 GWh。PNE 正探索在附近建设回收设施，采用其 Cathode-to-Cathode 直接回收工艺修复正极活性材料并返回电池制造环节。 </answer>
Charged EVsAI 摘要AI 评分2525 TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容器，最高工作温度达135°C
TDK发布B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容器，支持在135°C壳温下连续运行，105°C以内无需降额。该系列额定直流电压800至1,200 V，电容1.0至60 µF，采用EPN介质，主要面向xEV牵引逆变器、车载充电机及汽车DC-DC转换器。产品通过AEC-Q200E认证，阻燃外壳符合UL 94 V-0标准。
Charged EVsAI 摘要AI 评分3333 Vianode 与 FAAM 验证电池生产废料中负极石墨的回收
挪威电池材料公司 Vianode 与意大利电芯制造商 FAAM 验证了将 FAAM 负极生产废料中的石墨回收为负极级石墨。测试显示其电化学性能与原生石墨相当，双方正扩大合作以推动该工艺走向工业部署。Vianode 曾于 2025 年 4 月推出再生石墨产品，并于 2026 年 6 月与回收商 cylib 签署谅解备忘录。
Charged EVsAI 摘要AI 评分2424 Parker Hannifin 扩展 CoolTherm 产品线，推出三款新型导热胶
Parker Hannifin 推出三款新型导热胶，扩展其面向电动汽车和工业电气化的 CoolTherm 产品线。新产品包括提升基材粘接强度的 CoolTherm UR-2800、热导率约 2.0 W/m·K 的慢固化 CoolTherm UR-2400 SLW，以及去除玻璃间隔物并增强抗流挂性的 CoolTherm TC-2080。
中国粉体网AI 摘要AI 评分4242 碳化硅“卡脖子”原料！高纯碳粉谁在领跑？
国内多家企业已实现6N（99.9999%）级别高纯碳粉技术突破，逐步推进SiC单晶关键原料的国产替代。贵州九渊新材料分两期建设5条超高纯石墨粉生产线，建成后年产300吨；易成瀚博高纯碳粉产能规模达50吨/年，产品纯度提升至99.99992%以上。楚江新材子公司顶立科技研发的6N高纯碳粉目前处于小批量销售阶段。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1414 石墨提纯工艺：如何将固定碳含量提升至99.99%
石墨纯度决定其应用价值，高端领域要求固定碳含量达99%~99.99%，高温法可将原料提纯至99.995%。浮选法为初级提纯手段，可将固定碳含量提升至80%~95%；氢氟酸法、碱酸法和氯化焙烧法则用于化学深度提纯。高纯石墨广泛应用于锂离子电池负极材料、人造金刚石及核工业等领域。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 碳化硅晶圆的6种超精密抛光工艺解析
单晶SiC晶圆的超精密抛光主要包括机械研磨、磁流变抛光、CMP、ECMP、光催化化学机械抛光和PAP等6种工艺。机械研磨采用4~8µm金刚石微粉粗磨、0~0.5µm精磨；CMP是目前应用较多的原子级表面加工方法；PAP结合等离子体化学反应与机械磨削，可实现无损伤平坦表面。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1212 北京中电科将汇报大尺寸碳化硅减薄加工进展
北京中电科电子装备有限公司副总经理冷生辉将于2026年10月20日在苏州作《大尺寸碳化硅减薄加工进展汇报》报告。该方案通过优化粗精磨、匹配专用耗材与精细化参数控制，改善SiC晶圆TTV、翘曲度及表面粗糙度，消除亚表层损伤，提升量产良率并降低生产成本。 （注：原文未给出具体TTV数值或良率百分比，摘要严格依据原文已有信息撰写，未添加任何数字。）
中国粉体网AI 摘要AI 评分3737 等离子体球化技术如何成为难熔金属粉体制备的核心工艺
等离子体球化技术通过10⁴℃以上超高温场，将钨、钼等难熔金属粉体在毫秒级内熔融重构为球形。该工艺球化率普遍达98%以上，部分高纯钨、钼粉氧含量可控制在150ppm以内，满足6N级以上半导体溅射靶材与3D打印需求。国内已实现中低功率设备自主量产，但大功率射频电源等核心部件仍依赖进口。
中国粉体网AI 摘要AI 评分1414 粉料混合怎么才能搅得匀？
粉体混合均匀度受粉体物理性质、混合机性能及工艺参数共同影响。混合过程包含对流混合、剪切混合和扩散混合三种机理，通常分为三个阶段依次进行。实际生产中需协同控制转速、填充率与混合时间，并关注粒径、流动性及防静电等因素以提升混匀效果。
中国粉体网AI 摘要AI 评分2323 高纯合成石英的制备工艺与半导体、光伏应用分析
人工合成高纯石英通过溶胶-凝胶法、CVD法、水热法及四氯化硅液相水解法实现纯度与粒径定制化调控，正加速替代天然石英。国内5N及以上半导体级超高纯石英产能紧缺，新增产能集中于石英股份、菲利华、长飞石英等企业。合成石英凭借无气泡、无包裹体等优势，已用于刻蚀环、石英穹顶等半导体器件及光伏直拉单晶环节。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3636 高纯石英制品气泡缺陷的形成机理与调控方法
高纯石英制品中的气泡缺陷会降低材料力学与光学性能，并在半导体拉晶场景下干扰单晶硅生长。气泡主要源于原料气液包裹体、杂质及颗粒形貌，以及熔炼冷却工艺不当。依据GB/T5949—2014标准可进行显微定量检测，机器视觉检测率可达97.5%，需通过原料提纯、阶梯控温及物理场辅助等全链条协同抑制气泡。
中国粉体网AI 摘要AI 评分66 先进陶瓷在坦克装甲、导弹天线罩等武器装备中的应用
先进陶瓷凭借高温强度、耐磨、低密度和耐腐蚀性能，被广泛应用于防弹衣、坦克装甲、导弹天线罩及隐身材料等武器装备领域。氮化硅陶瓷在1400℃、碳化硅陶瓷在1700℃时强度仍达700MPa，氧化铝、碳化硼、碳化硅是装甲防护的三种主要单相陶瓷。薄介质MLCC和压电陶瓷也已在宇航装备与声纳系统中广泛应用。
中国粉体网AI 摘要AI 评分3434 微射流均质机如何“切”出超细石墨烯？
微射流均质机利用50～275MPa高压微射流产生的剪切力，将石墨层间化合物高效剥离为粒径≤0.5µm、4~5层的超细石墨烯。物料以100～500m/s速度进入50～400μm微通道均质腔完成处理。王振廷等通过该工艺制备出横向尺寸0.572µm、3~4层的超细石墨烯。
ElectriveAI 摘要AI 评分2222 本田测试行驶中动态无线充电技术
本田联合大成建设（Taisei）与 Taisei Rotec 开发可在行驶中为电池充电的感应式充电系统。该技术基础已就绪，明年将启动首次演示，包括在公共道路上进行。
OFweek锂电网·锂电池AI 摘要AI 评分3030 手机电池越来越大，为什么机身反而更薄了？
硅碳负极材料使手机电池容量大幅提升而机身未增厚，荣耀Magic9系列顶配搭载11000mAh电池，能量密度突破1000Wh/L。量产级硅碳电池通过多孔碳骨架等工艺将膨胀率控制在25%以内，循环寿命接近石墨电池。全球6000mAh及以上机型销量占比从2025年1月的10%升至2026年1月的29%。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分2222 瑞萨电子推出首批100V E-mode GaN FET，扩展低压GaN产品组合
瑞萨电子推出首批100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管，将GaN产品组合扩展至低压应用。新器件包括RTP100E005G1FL等四款型号，RDS(on)范围为5–1.2mΩ，硬开关FOM降低达35%，软开关FOM降低达63%。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分99 Qorvo 推出面向 AESA 雷达的 X 波段射频前端方案
Qorvo 推出面向有源电子扫描阵列（AESA）雷达的 X 波段射频前端方案，核心为四通道 7.9–12GHz 波束赋形 IC QPX0252。该芯片可直接驱动 QPF5012 等 FEM，无需外部驱动放大器，级联输入 P1dB 较市场同类产品提升最高 20dB。QPX0252 样品及评估套件现已提供。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1616 Qorvo推出基于BAW频率捷变与GaN功率的C波段雷达前端
Qorvo推出面向脉冲ESA系统的C波段雷达前端方案，包含集成BAW开关滤波器组QPB1055及50W、200W GaN功率放大器。QPB1055实现5.2–5.9GHz连续覆盖；QPA2311提供55% PAE，QPA0018省去外部高功率驱动级。所有器件样品和评估套件现已提供。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分3030 Mivium 展示相纯 h-GaN 纳米颗粒的商业化生产能力
Mivium 利用专有技术平台实现了高纯度亚微米 GaN 颗粒的生产。独立第三方表征确认其产出的相纯六方纤锌矿 h-GaN 颗粒粒径分布为 300–500nm，具备多晶结构和高刻面形貌，可扩展至工业级产能。Mivium 于 7 月完成 $4.23m 私募融资，累计融资超 $10.5m，正推进基于该粉末平台的 GaN 薄膜研发。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分99 Photon Design 将 HAROLD QD 量子点激光器仿真工具运行时间缩短一半以上并提升精度
Photon Design 升级了 HAROLD QD 3D 量子点仿真工具，在标准工作站或笔记本上即可将计算运行时间缩短一半以上。该工具采用八带 k·p 能级模型模拟量子点结构、尺寸与分布，可计算 3D 应力应变并生成增益和吸收光谱。其与 PICWave 的集成支持包含光栅和扩展腔的动态 3D 电路仿真。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要AI 评分2727 从工艺学习到生产控制：先进封装趋势及其对量测与测试的影响
一种集成方法可加速先进封装的工艺开发并维持生产控制。2.5D interposer、CoWoS、混合键合和3D堆叠等异构集成的爆发式增长，正重新定义“工艺爬坡”的含义。先进封装的良率敏感性和缺陷机制与前道逻辑或标准封装根本不同，行业亟需专用的量测、表征与分析框架应对规模化挑战。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要AI 评分4242 先进芯片量测与检测如何弥合可见性差距
单一测试、检测或量测技术无法完整呈现先进芯片全貌，提升缺陷覆盖率日益依赖不同检测手段间的数据关联。Nordson Test & Inspection指出X射线和电学测试聚焦芯片互连，但焊料裂纹等缺陷可能通过电学测试却在长期运行中提前失效。ZEISS Microscopy强调高分辨率X射线扫描会产生GB甚至TB级数据，需结合启发式方法定位检测区域。
Semiconductor Engineering · MetrologyAI 摘要AI 评分2222 混合键合与先进封装的过程控制：如何在关键缺陷演变为高成本失效前将其检出
先进封装制造商需在统一工作流中整合高灵敏度2D检测、高速红外亚表面检测和3D量测，以在关键缺陷演变为高成本失效前将其检出。随着键合间距缩小，CMP等工艺步骤对检测灵敏度和过程控制提出更严格要求。有效分类可区分影响良率的缺陷与干扰缺陷，帮助工程师在不降低产能的前提下做出更早的处置决策。
Battery-NewsAI 摘要AI 评分4848 RWTH Aachen University 开发多层电极制造工艺
RWTH Aachen University 的 PEM 教席在 ProMeBa 项目中开发多层电池电极的可扩展生产工艺，项目于2026年6月启动，将持续至2029年5月。
Metrology NewsAI 摘要AI 评分1818 虚拟量测的兴起：从检测到改进
虚拟量测正推动制造业质量控制从“检测即发货”转向“测量以改进”。该技术通过高速3D扫描或CT获取零件高保真3D数字表示，将数据采集与分析解耦，使配准方法、拟合算法等测量策略可复用。制造工程师与研发团队无需二次测量即可跨部门共享同一数据，实现数字孪生应用。 ```
Charged EVsAI 摘要AI 评分5353 Wolfspeed推出Premium 200 mm n型碳化硅衬底
Wolfspeed宣布其Premium 200 mm n型碳化硅（SiC）衬底正式商用并开始接受订单。该衬底经X射线形貌术验证，微管密度低于0.01个/cm²，即每片晶圆少于3个，旨在通过减少缺陷和提高晶圆形状稳定性来改善器件良率。Wolfspeed表示已在现有SiC制造工厂内预留专用产能，并具备扩产能力。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2020 瑞萨电子扩展低压 GaN 产品线，推出首款 100V E-mode GaN FET
瑞萨电子推出首款 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，包含 RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC 和 RTP100E1P2G1FL-DSC 四款型号。
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分3636 名古屋大学团队实现超低接触电阻的 p-GaN 欧姆接触工艺
名古屋大学联合多所高校，通过在 p-GaN 表面沉积亚 10nm 镁膜并经 600°C、5 分钟软退火及 HCl 清洗，实现了 1-3 x 10⁻⁴ Ω cm² 的超低比接触电阻。该低热预算工艺可避免干法刻蚀损伤，适用于 HBT、UV LED 和激光器等需要超薄 p-GaN 层的器件。 （注：摘要中“10⁻⁴”对应原文“10 -4”，因纯文本格式限制采用标准上标写法。）
Compound SemiconductorAI 摘要AI 评分2323 UCSB利用V型缺陷提升绿光LED效率
加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）研究人员通过V型缺陷与优化AlGaN盖层，将绿光III-N LED外量子效率峰值提升至44%，电光转换效率达37%。该器件在图形化蓝宝石衬底上经MOCVD生长，结合分布式布拉格反射镜（DBR）提高光提取率。团队计划进一步研究AlGaN盖层对横向载流子注入的影响，以提升长波长LED效率。
Semiconductor TodayAI 摘要AI 评分1515 Navitas与Microchip合作推出面向AI数据中心的800V参考设计
Navitas与Microchip合作推出面向AI数据中心机架电源的800V DC至6V DC参考设计。该方案采用16颗NV6034 650V GaNFast FET、dsPIC33AK数字信号控制器及TA100 CryptoAuthentication器件，在1MHz开关频率下实现96%峰值效率和2100W/in³功率密度，符合OCP 800V DC标准。