中科创星种子轮投资赛弥烯科技,聚焦SEMI石墨烯功能化薄膜
宁波赛弥烯科技有限公司完成种子轮融资,由中科创星出资,公司聚焦原创扫描电磁感应(SEMI)石墨烯功能化薄膜的研发与产业化落地。其SEMI技术可在大气环境下数秒完成石墨烯制备,生长速度较传统工艺提升百倍以上,综合制造成本降低10倍以上,薄膜附着力高出4个数量级。公司已形成石墨烯玻璃、石墨烯纤维布、石墨烯玻璃钢复材三大产品系列,并布局G-TGV半导体玻璃基板。
宁波赛弥烯科技有限公司完成种子轮融资,由中科创星出资,公司聚焦原创扫描电磁感应(SEMI)石墨烯功能化薄膜的研发与产业化落地。其SEMI技术可在大气环境下数秒完成石墨烯制备,生长速度较传统工艺提升百倍以上,综合制造成本降低10倍以上,薄膜附着力高出4个数量级。公司已形成石墨烯玻璃、石墨烯纤维布、石墨烯玻璃钢复材三大产品系列,并布局G-TGV半导体玻璃基板。
先进封装基板正从通用件走向应用专用化,更大封装尺寸、更多层数、更精细布线和嵌入式功能使基板性能越来越具针对性。Prismark首席顾问王宇波指出,基板价值增速已超过出货量增速,服务器大尺寸倒装芯片BGA封装增长最强。基板供应商即使有闲置产能,也须复制特定层叠结构、材料体系和良率才能成为可互换供应商,合格供应商群体可能远小于标称群体。
9月30日,湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目正式通线,被称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元,二期从2025年10月开工到通线用时11个月,全面建成后可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产,以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由:原文给出二期通线节点、投资规模与可承载的芯片中试和国产设备验证数量,读者可据此判断先进封装产能与设备验证需求的释放节奏。
田中贵金属与荷兰CITC、TNO启动为期三年的联合研发项目,于2026年10月正式启动,聚焦银基、铜基芯片粘接与铜夹(Clip)粘接浆料技术。项目覆盖die attach与clip-bonding两大互连场景,重点评估连接层厚度控制、烧结层孔隙率调控、铜基浆料氧化抑制及热循环可靠性等维度。
中特微(成都)电子科技有限公司一批微米级接近式光刻机完成最后组装与调试,将于11月初集中发往全国,流向光芯片、显示半导体、LED等领域客户产线。公司专注近紫外接近式光刻与LDW激光直写光刻,2023年率先实现4/6英寸接近式光刻机批量生产,在光显示细分市场占有率约80%,预计明年产能达300台,并将启动面板封装激光直写光刻机研发。
推荐理由:国产接近式光刻机在光芯片、LED等利基市场的交付与产能规划,可观察半导体设备国产化在非高端光刻路线的落地节奏。
住友电木10月9日宣布投入约100亿日元,在苏州、新加坡两处现有基地新增产线,增产面向AI数据中心等场景的先进半导体树脂封装材料,目标争取2030年度投产,未披露具体产能数值。新增产线生产模塑底部填充材料与压缩成型颗粒封装材料,适配先进封装工艺。这是其年内第二次推进苏州工厂封装材料扩产,2026年6月曾公告苏州工厂产能提升约30%,预计2028年12月投产。
IC载板制造企业芯聚德科技(安徽)有限责任公司完成超亿元A轮融资,由老股东广德桐汭股权投资持续跟投,安徽省投资集团旗下安徽新至壹号、安徽日新智汇新晋入股。募集资金将用于宣城基地产线扩能及高端封装基板技术研发,重点投向AI算力相关IC载板产能扩充与先进工艺研发迭代。
光谷高端微电子器件产业园一期已建成,总建筑面积18万平方米,重点承接泛半导体领域企业研发验证、中试试验及小规模生产,蔚能电池等多家企业已签约入驻。其中蔚能电池租下约4000平方米厂房,将落地电池正极材料修复中试线,年产能约2000吨。二期总建筑面积约7.2万平方米,可提供约5.2万平方米高洁净度生产车间,配置特气站、大宗气站等公用配套设施,预计2027年6月完成主体结构施工,同年12月正式投用。
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿,自10月8日起面向联盟成员单位征求意见,截止日期为11月7日。
雄塑科技拟以现金方式收购半导体封装材料厂商芯源新材料不超过80%股权,暂定整体估值不超过8亿元,对应现金对价不超过6.4亿元。芯源新材料主营高导热封装互连材料及纳米金属产品,面向功率半导体封装与先进集成电路封装领域。交易设置2026-2028年业绩承诺,三年累计净利润不低于1.92亿元。
芯源微2026年上半年实现营业收入8.97亿元,同比增长26.47%,前道清洗收入占总收入比重超30%。公司新签订单实现较快增长,前道涂胶显影机、化学及物理清洗机均取得头部客户订单,HBM、CoWoS相关后道高端封装业务新签订单同比实现增长。受期间费用增加等因素影响,上半年归母净利润为806.22万元,整体毛利率34.93%。
天津工业大学牵头起草的T/CASAS 077—202X《半导体器件封装用烧结铜焊膏》和T/CASAS 078—202X《宽禁带半导体器件直冷散热用大面积烧结金属互连工艺规范》已完成征求意见稿,自2026年10月8日起征求意见至11月7日。前者适用于IGBT、SiC MOSFET等功率器件封装;后者适用于互连面积不小于30 mm×30 mm的宽禁带半导体器件大面积烧结互连工艺。
格芯与台积电达成一项20亿美元、初期为五年的制造协议,将扩充美国纽约州马耳他工厂产能为台积电CoWoS先进封装提供硅中介层。新增产能预计2028年上半年开始提升量产规模,支持AI与高性能运算需求,并为未来产能扩张提供框架。
富强鑫与韩国中科先峰签署合作协议,取得其玻璃基板设备在台湾及东南亚地区的独家代理权。引进的VP高阶垂直生产设备可将电镀偏差控制在3%以内,同时涵盖VCP高速垂直连续电镀设备及SPP高性能板级电镀设备。SEMI预测玻璃基板最快于2028年进入初期商用量产阶段。
沃格光电旗下湖北通格微与华工科技于9月29日正式签署战略合作协议。双方将围绕3.2T及更高速率光模块,联合开展玻璃基载板产品定义、架构设计与关键工艺开发,并在CPO、NPO、光引擎等方向实现技术联合攻关。合作还将聚焦TGV通孔形成、超快激光加工等核心技术,推进高端装备与量产工艺协同开发。
9月28日,江西德虹东莞松山湖基地第二条玻璃基Mini LED封测产线首套核心设备正式搬入。新产线量产后,后段封测年产能可达50万台以上(基于MNT口径),公司总规划年产600万余片玻璃产能建设目标持续推进。 ```
广东佛智芯微电子有限公司总投资5亿元的玻璃基板生产线扩建项目于近日完成备案复核,计划建设周期为2026年9月至2028年12月。项目无新增主体厂房,重点购置差分蚀刻线、超粗化线、FAB电镀线、研磨机、激光切割机等核心设备,建成后设计月产能约5000片。佛智芯现有产线板面尺寸为510×515mm,已实现最小孔径3μm的TGV加工,并计划于2027年实现玻璃基板量产。
ASML与蔡司联合披露Hyper NA EUV光刻技术,有望在约十年内就绪,将最小图案特征尺寸做到5纳米。俄罗斯ZNTC与Planar合作开发的130纳米步进式光刻机原型于2026年8月7日完成第三阶段设计验收,采用193纳米准分子激光器,用于直径200毫米晶圆,计划2027年签订批量供应合同。
格芯与台积电签署一项总金额20亿美元的五年制造合作协议,为台积电CoWoS先进封装生态提供硅中介层制造服务。格芯将扩建其位于美国纽约州马耳他厂区的晶圆产能,支持包含嵌入式深沟槽电容组件在内的先进封装技术,项目预计2028年上半年启动量产爬坡。
湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目近日正式通线,一期、二期合计投资超70亿元。产线全面建成后可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证,并补齐2.5D中试能力。此外,其总投资250亿元的先进封装产业化基地一期计划于2027年9月底前通线,两期全部建成后月产晶圆8万片。
10月7日,应用材料宣布与英特尔合作,共同开发下一代晶体管、互连技术及先进封装技术。双方将结合应用材料硅谷EPIC中心与英特尔Hillsboro研发园区的能力,针对AI工作负载所需的先进逻辑制程节点开发新一代材料与元件架构。合作还涵盖Foveros 3D堆叠的先进封装技术,以缩短支持AI运算所需先进半导体技术的上市时间。
艾邦半导体网梳理了玻璃基板产业化进展,指出行业正从技术探索转向客户验证和建线投入。京东方已产出24层、超过100×100毫米样品并送客验证,蓝思科技与Intel开展先进封装合作,沃格光电部分TGV产品已小批交付;海外方面,DNP计划FY2026—FY2028投入300亿日元发展Glass Core,LG Innotek以2028年量产为目标,LPKF已取得LIDE设备订单及追加采购意向书。
推荐理由:原文梳理了国内外主要厂商在玻璃基板客户验证、设备采购和量产时间表上的具体进展,读者可据此判断产业链各环节的导入节奏。
韩国玻璃基板企业JNTC宣布,在510×515mm、2mm厚的TGV玻璃基板上,将原本耗时半天至一天的铜填孔时间缩短至分钟级。其方案采用中间较窄的沙漏形通孔结构并配合自研金属化制程消除空洞与凹陷,已通过美国半导体客户验证,计划2027年起量产供应玻璃核芯基板。
日本半导体设备制造商TOWA计划在京都府建设芯片制造设备工厂,投资额约50亿日元,将在2029年投产。新厂位于京都东事业所厂区内,涉及芯片后段制程设备布局。TOWA主要供应半导体树脂封装设备、切割分离设备及超精密模具。
英伟达台湾、鲲喆科技等多家全球头部半导体企业及投资机构代表团考察中铭瓷全资子公司芯鸿光,围绕半导体新材料达成多项初步战略合作意向。中铭瓷聚焦10–50纳米超高纯陶瓷粉体研发与量产,核心产品涵盖氧化钇、氟化钇、氟化锂及复合陶瓷粉体,可匹配半导体、先进封装等领域严苛标准。各方将开展联合研发与产品定制等深度合作。
三星电机宣布在2028年前累计投入6.78万亿韩元(约50亿美元),扩充韩国世宗和越南太原两大基地的FC-BGA高端半导体基板产能。其中韩国世宗工厂投资4.27万亿韩元用于产线搭建与升级,越南子公司投资2.51万亿韩元扩建生产线,整体投资周期覆盖2026年9月至2028年5月。
汉高电子推出新一代LOCTITE® ABLESTIK CDF 900导电芯片粘接膜(cDAF),热导率约8 W/mK,提供15μm和30μm两种标准胶层厚度。该材料支持8英寸和12英寸晶圆规格,适用于3×3 mm²至7×7 mm²芯片尺寸及QFN、TQFP等封装,具备MSL 1、MSL 2等级能力。 ```
芯米半导体完成涂胶显影机内部90%核心部件自主设计研发,可批量生产2至12英寸全系列产品,是国内首家COWOS工艺前道制程专用涂胶显影设备供应商。截至目前各系列产品已交付30余台并稳定运行1至5年,2026年6月向国内头部封装企业交付12英寸设备。
9月29日,沃格光电旗下湖北通格微与华工科技签署战略合作协议,围绕玻璃基载板、激光加工及高速光通信开展合作。双方将重点面向3.2T及更高速率光模块,推进产品定义、架构设计及关键工艺开发,并围绕CPO、NPO、光引擎等方向建设工艺验证和样品试制平台。
2026湾芯展(WESEMiBAY 2026)已发布展商名录及展位平面图,观众完成预登记即可下载。展会将于10月14-16日在深圳会展中心(福田)举办,展览面积超70,000m²,汇聚全球1000余家半导体企业,覆盖晶圆制造、化合物半导体、先进封装、IC设计/AI基础设施四大环节,并新设AIE AI基础设施产业生态展。
盛美上海截至2026年9月29日在手合同订单总金额达170.73亿元,同比增长88.20%。该数据包含已交付但尚未完成收入确认及后续计划交付的设备订单,未经审计。公司主营清洗、电镀、PECVD等半导体设备,2026上半年实现营业收入37.18亿元,归母净利润9.89亿元。
一种集成方法可加速先进封装的工艺开发并维持生产控制。2.5D interposer、CoWoS、混合键合和3D堆叠等异构集成的爆发式增长,正重新定义“工艺爬坡”的含义。先进封装的良率敏感性和缺陷机制与前道逻辑或标准封装根本不同,行业亟需专用的量测、表征与分析框架应对规模化挑战。
单一测试、检测或量测技术无法完整呈现先进芯片全貌,提升缺陷覆盖率日益依赖不同检测手段间的数据关联。Nordson Test & Inspection指出X射线和电学测试聚焦芯片互连,但焊料裂纹等缺陷可能通过电学测试却在长期运行中提前失效。ZEISS Microscopy强调高分辨率X射线扫描会产生GB甚至TB级数据,需结合启发式方法定位检测区域。
先进封装制造商需在统一工作流中整合高灵敏度2D检测、高速红外亚表面检测和3D量测,以在关键缺陷演变为高成本失效前将其检出。随着键合间距缩小,CMP等工艺步骤对检测灵敏度和过程控制提出更严格要求。有效分类可区分影响良率的缺陷与干扰缺陷,帮助工程师在不降低产能的前提下做出更早的处置决策。
ISO 9001:2026 于 9 月 16 日发布,替代 2015 版,鼓励制造商在现有质量体系上改进而非全面修订。Xnovo Technology ApS 的自动化 3D-CT 检测工具已在 BMW Group 电芯制造能力中心部署,用于电芯高通量质量保证。Renishaw Equator-X 双方法测量系统获 2026 AMB Award 测量技术与质量保证类奖项。
半导体湿制程设备供应商苏科斯近日完成 4000 万元 A 轮融资,由昆山高新创投、浦东科投、南京河西国资联合投资。公司核心产品包括晶圆电镀设备和 TGV 电镀设备,覆盖 RDL、TSV、TGV 电镀及清洗、蚀刻等湿法装备。本轮资金将用于产品迭代、产能扩充与市场拓展。
英伟达9月10日宣布将d-Matrix下一代Raptor推理XPU接入其AI基础设施体系,该芯片采用3D DRAM堆叠架构。3D集成与存算一体结合,有望缩短数据传输距离并降低搬运开销。亿铸正推进3D DRAM与通用存算一体架构协同设计,探索面向云端AI推理的产品化路径。
9月30日,湖北星辰技术有限公司先进封装中试平台二期项目在光谷正式通线,报道将其称为国内首条3D先进封装量产线。一期、二期合计投资超70亿元,二期自2025年10月开工,历时11个月达成通线节点。二期补齐2.5D中试能力,使公司同时具备2.5D和3D先进封装技术;产线全面建成后,可同步承载40至50款芯片的中试与风险量产,以及30至40套国产半导体设备与材料的性能验证。
推荐理由:二期将芯片中试与风险量产、国产设备材料验证纳入同一平台,为理解先进封装产线如何衔接工艺开发与量产提供了具体案例。
IFWS&SSLCHINA 2026将于2026年11月16-19日在江苏苏州召开,首批嘉宾名单已公布。论坛设置1场主论坛、6大主题方向,议题覆盖碳化硅衬底与器件、氮化镓功率与射频、车规级器件可靠性验证及先进封装等,同期举办2026先进半导体技术应用创新展。
TOPPAN新加坡FC-BGA基板工厂于2026年9月29日举行开业典礼,计划2026年12月开始生产。该厂是TOPPAN首个FC-BGA基板海外生产基地,拥有约70,000平方米设施及200名以上工程师和技术人员,聚焦生成式AI、机器学习和大型网络交换机所需的大型高多层基板。